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[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180086546.1在审
发明人： 远藤雅久;服部隼人;光武祐希;西卷裕和 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C08G10/02 文献下载
摘要：本发明的课题是提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，能够形成对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，平坦且进一步具有优异的硬度的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)或式(2)所示的化合物与下述式(3)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。
抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]感光性绝缘膜形成用组合物-CN202180021724.2在审
发明人： 远藤雅久;泽田和宏;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供一种能给予初始介电损耗角正切低，且其经时变化也小的固化物的感光性绝缘膜树脂组合物、使用该感光性绝缘膜组合物制造带固化浮雕图案的基板的方法、及具备该固化浮雕图案的半导体装置。所述感光性绝缘膜形成用组合物包含具有下述式(1)表示的重复单位结构的聚合物，及溶剂。式(1)中，基团A1表示(A1)所示的芳族杂环，基团A2表示(A2)所示的芳族杂环，基团A1、基团A2可以具有交联性取代基，基团B1表示具有交联性取代基的有机基团，基团B2表示不具有交联性取代基的有机基团。
感光性绝缘形成组合

[发明专利]单缩水甘油基异氰脲酸酯化合物及其制造方法-CN201780020057.X有效
发明人：后藤裕一;远藤雅久;孙军 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C07D405/06 文献下载
摘要：本发明的课题是提供具有1个缩水甘油基作为与氮原子结合的取代基的、新的异氰脲酸酯化合物。解决手段是下述式(1)、式(2)或式(3)所示的单缩水甘油基异氰脲酸酯化合物。(在这些式中，2个R1分别表示碳原子数2～10的烷基，2个R2分别表示碳原子数1～5的亚烷基，2个R3分别表示碳原子数1或2的烷基，2个R4分别表示碳原子数1或2的亚烷基，2个R5分别表示碳原子数1或2的烷基。)
缩水甘油基异氰脲酸酯化及其制造方法

[发明专利]含氮环状化合物及其制造方法-CN201780073389.4有效
发明人： 远藤雅久;孙军 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明的课题是提供新的甘脲类及其制造方法。解决手段是下述式(1)所示的含氮环状化合物，该式(1)所示的含氮环状化合物例如由下述式(1A)或式(1B)表示。(式中，R1、R2、R3和R4之中的任意2个表示缩水甘油基，其余2个表示甲氧基甲基。)
环状化合物及其制造方法

[发明专利]硫代甘脲类及其制造方法-CN201780053682.4有效
发明人： 远藤雅久;孙军 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明的课题是提供新的单硫代甘脲类和二硫代甘脲类。解决手段是下述式(1)所示的硫代甘脲类。(式中，X表示氧原子或硫原子，4个R分别表示氢原子、碳原子数1～4的直链状、支链状或环状的烷基、苯基、萘基、苄基、或主链具有至少1个醚键的碳原子数3～9的烷基。)
硫代甘脲类及其制造方法

[发明专利]能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201580056230.2有效
发明人：若山浩之;中岛诚;柴山亘;远藤雅久 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用，通过使用了硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻的方法能够除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)式(1)〔式(1)中，R1表示式(2)：所示的有机基团且通过Si‑C键与硅原子结合。R3表示烷氧基、酰氧基或卤基。a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。〕所示的水解性硅烷，(B)成分为包含具有烷氧基甲基或羟基甲基的环结构的交联性化合物、或者具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联性化合物。
能够除去含有抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]聚合物主链中包含杂原子的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201980048330.9在审
发明人：上林哲;水落龙太;佐久间大辅;远藤雅久;西田登喜雄;远藤贵文;染谷安信;远藤勇树;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，[在式(1)中，A1表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]。
聚合物主包含原子抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]包含与缩水甘油基酯化合物的反应生成物的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201980042837.3在审
发明人：远藤贵文;后藤裕一;远藤雅久;上林哲;远藤勇树 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C07D405/14 文献下载
摘要：提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：通过下述式(1)所示的化合物、与环氧加成物形成用化合物的反应而获得的环氧加成生成物；以及溶剂。上述环氧加成物形成用化合物为选自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羟基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亚胺基的化合物中的至少1种化合物。
包含缩水甘油酯化反应生成物抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]含交联反应性硅的膜形成用组合物-CN201580059708.7有效
发明人：中岛诚;高濑显司;远藤雅久;若山浩之 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C09D183/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种具有固化性、埋入性等良好的效果的膜形成用组合物、用于半导体装置的光刻工序的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种膜形成用组合物，其含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)：[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，且R1通过Si‑C键与硅原子键合。]表示的水解性硅烷。膜形成用组合物为光刻工序中所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜，其是通过在半导体基板上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物并烧成而得到的。
交联反应形成组合

[发明专利]感光性树脂组合物-CN201880071449.3在审
发明人：大桥拓矢;西村直也;远藤雅久;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：提供作为树脂组合物的可获得介电常数、介质损耗角正切被进一步降低了的固化体的感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物制造固化浮雕图案的方法、以及具备该固化浮雕图案的半导体装置。一种负型感光性树脂组合物，其包含：(A)具有特定的单元结构的聚酰亚胺前体100质量份；以及(B)自由基型光聚合引发剂0.1质量份～20质量份。
感光性树脂组合

[发明专利]丁内酯化合物的制造方法-CN201580058138.X有效
发明人：后藤裕一;远藤雅久;孙军 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C07D307/42 文献下载
摘要：提供以良好的收率廉价地制造对于液晶表示元件而言有用的聚合性化合物的新型方法。一种式(3)(n表示下述意义)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)(n为1～10的整数，PG是碳原子数为1～2的二烷基缩醛基、1,3‑二噁烷基或1,3‑二氧戊环基，Ar1为亚联苯基等)所示化合物与式(2)(R为碳原子数1～6的烷基)所示化合物在金属锡或含锡化合物和在钯催化剂的存在下在酸性条件下发生反应。
内酯化合物制造方法

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201880045116.3在审
发明人：绪方裕斗;臼井友辉;远藤雅久;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物和溶剂。(在上述式中，X表示碳原子数2～10的二价链状烃基，该二价链状烃基可以在主链具有至少1个硫原子或氧原子，此外可以具有至少1个羟基作为取代基，R表示碳原子数1～10的链状烃基，2个n分别表示0或1。)
抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]高分子量聚硅烷及其制造方法-CN201580038296.9有效
发明人： 远藤雅久;孙军;后藤裕一;永井健太郎 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：[问题]本发明提供使用重均分子量大的聚硅烷制成涂布型聚硅烷组合物，在涂布于基板并烧成后而得到导电性高且良好的硅薄膜。[解决方案]所述聚硅烷具有5000～8000的重均分子量。聚硅烷为环戊硅烷的聚合物。硅膜是将聚硅烷溶解于溶剂而成的聚硅烷组合物涂布于基材并在100℃～425℃下进行烧成而得到的。环戊硅烷的聚合在负载于聚合物的钯催化剂的存在下进行。负载于聚合物的钯催化剂是将催化剂成分的钯固定于官能化聚苯乙烯而成的。钯为钯化合物或钯络合物。钯的固定化是用官能化聚苯乙烯对零价钯络合物或二价钯化合物进行微胶囊化。零价钯络合物为四(三苯基膦)钯(0)络合物。
分子量硅烷及其制造方法

[发明专利]丁内酯化合物和制造方法-CN201580058217.0有效
发明人：后藤裕一;远藤雅久;孙军 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C07D307/38 文献下载
摘要：提供用于以良好的收率廉价地制造液晶表示元件等中使用的光聚合性化合物的新型制造方法和新型中间体化合物。一种式(1)所示化合物的制造方法，其中，使式(A)所示化合物与式(C)在金属锡或含锡化合物的存在下在酸性条件下发生反应；一种式(2‑A)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)所示化合物与式(D)所示化合物在碱的存在下发生反应；以及，式(1)所示化合物、式(2‑A)所示化合物等。(式中，n表示1或2，J¹、J²表示卤素原子，R表示碳原子数1～6的烷基，Y¹表示‑SO₂‑R²，R表示烃基。)
式( 1 )制造光聚合性化合物烷基含锡化合物新型中间体卤素原子酸性条件碳原子数丁内酯金属锡式中收率烃基液晶

[发明专利]具有乙内酰脲环的化合物的制造方法-CN201780039711.1在审
发明人：后藤裕一;远藤雅久;绪方裕斗;孙军 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C07D403/14 文献下载
摘要：本发明的课题是提供具有乙内酰脲环的化合物的新的制造方法。解决手段是一种具有乙内酰脲环的化合物的制造方法，其具有下述工序：在包含至少30质量％的乙醇和/或至少10质量％的丙醇的醇类中，在催化剂的存在下，使下述式(1)所示的化合物与下述式(2)所示的化合物以相对于该式(1)所示的化合物1摩尔当量为3摩尔当量的该式(2)所示的化合物的比例反应，而获得包含下述式(3)所示的化合物的溶液的反应工序；以及向上述溶液中加入阳离子交换树脂和阴离子交换树脂，接着将其进行搅拌，然后进行过滤的离子交换处理工序。(式中，A₁表示三价脂肪族基、或具有芳香族环或杂环的三价基团，Z₁表示直接结合、‑O‑基或‑C(＝O)O‑基，R₁和R₂各自独立地表示氢原子或甲基，X表示碳原子数1～3的羟基烷基、碳原子数2～5的烷氧基烷基或碳原子数1～3的烷基。)
式( 1 )式( 2 )碳原子数乙内酰脲摩尔当量阳离子交换树脂阴离子交换树脂制造离子交换处理烷基烷氧基烷基丙醇反应工序芳香族环三价基团脂肪族基直接结合羟基烷基氢原子乙醇醇类三价式中杂环催化剂过滤

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