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- [发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180076716.8在审
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德永光;西卷裕和;中岛诚
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日产化学株式会社
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2021-11-16
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2023-07-11
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C08G65/38
- 提供能够响应即使不包含酸催化剂、交联剂也在低温下自固化、可以减少升华物量、可以获得弯曲耐性高的高硬度的膜这样的要求，并且，也可以作为交联剂而利用，如果作为交联剂利用则与现有的交联剂相比，显示高平坦化和高耐热性，而且，埋入性与现有品同等，光学常数、蚀刻耐性能够通过单体的选择而自由地变更的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(X)以及溶剂，上述聚合物(X)包含具有ROCH2‑基(R为一价有机基、氢原子或它们的混合)的芳香族化合物A、与不同于A的碳原子数120以下的芳香族化合物B经由连接基‑O‑交替地结合而得的重复结构单元，并且上述重复结构单元中相对于1个A结合了1～6个B。
- 抗蚀剂下层形成组合
- [发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180057971.8在审
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德永光;中岛诚;西卷裕和
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日产化学株式会社
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2021-08-03
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2023-05-02
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C08G61/00
- 提供应对可以获得显示高的纯水接触角，对上层膜的密合性高，不易剥离的疏水性的下层膜，且涂布性良好这样的要求，并且，能够发挥对抗蚀剂下层膜所使用的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及包含下述式(1)、和/或下述式(2)所示的单元结构(A)的聚合物。(式中，Ar1和Ar2各自表示苯环、或萘环，Ar3表示可以包含氮原子的碳原子数6～60的芳香族化合物，R1、和R2各自为取代Ar1、和Ar2的环上的氢原子的基团，R3、和R8选自碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合，R4、和R6选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，R5、和R7选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数，n3为1以上，并且为能够在Ar3上进行取代的取代基数以下的整数，n4为0或1，在n4为0时，R8与Ar3所包含的氮原子结合。)
- 抗蚀剂下层形成组合
- [发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180057444.7在审
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德永光;中岛诚;西卷裕和
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日产化学株式会社
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2021-08-03
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2023-05-02
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C08G12/08
- 提供能够发挥污染装置的升华物量的减少、被覆膜的面内均匀涂布性的改善、并且对也被用于抗蚀剂下层膜的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶剂、以及包含下述式(1)所示的单元结构(A)的聚合物。(在式(1)中，Ar1和Ar2各自表示苯环或萘环，R1和R2各自为取代Ar1和Ar2的环上的氢原子的基团，R4选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，R5选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数。)。
- 抗蚀剂下层形成组合
- [发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201780030002.7有效
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西卷裕和;桥本圭祐;坂本力丸
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日产化学株式会社
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2017-05-02
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2022-08-02
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G03F7/11
- 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)和/或式(1b)所示的重复结构单元的聚合物、和溶剂。[式(1a)和(1b)中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基或杂环基，R4表示氢原子、苯基或萘基，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，p表示3～500的整数，X表示苯环，与该苯环结合的2个‑C(CH3)2‑基处于间位或对位的关系。]
- 抗蚀剂下层形成组合
- [发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202080052220.2在审
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绪方裕斗;西卷裕和;中岛诚;光武祐希;服部隼人
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日产化学株式会社
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2020-07-20
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2022-03-11
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G03F7/11
- 本发明提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与下述式(B)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。(式中，X表示氧原子、或氮原子，Y表示单键、氧原子、或氮原子，X与Y也可以彼此结合而形成环，R1、R2、R3、和R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～8的环状烷基、或碳原子数6～10的芳香族基，R2仅在X为氮原子的情况下存在，R4仅在Y为氮原子的情况下存在。)
- 抗蚀剂下层形成组合
- [发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202080033573.8在审
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绪方裕斗;广原知忠;西卷裕和;中岛诚
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日产化学株式会社
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2020-05-14
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2022-01-07
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C08G59/17
- 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。
- 抗蚀剂下层形成组合
- [发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202080019762.X在审
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绪方裕斗;德永光;西卷裕和;中岛诚
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日产化学株式会社
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2020-03-05
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2021-10-22
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G03F7/11
- 本发明的课题是提供涂布于基板，然后通过将其加热的工序来表现高回流性，即使在高低差基板上也可以平坦地涂布，可以形成平坦化膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物是下述抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有式(1)所示的重复结构单元和/或式(2)所示的重复单元的共聚物、和有机溶剂。(在式(1)和式(2)中，R1表示式(3)所示的官能团，在式(3)中，Q1和Q2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基、＊表示与氧原子的结合端，在式(2)中，X1表示碳原子数1～50的有机基、i和j各自独立地表示0或1。)
- 抗蚀剂下层形成组合
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