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[发明专利]一种丙硅烷的制备方法-CN202210386212.2在审
发明人：闫晓军;陈刚军;周明星;贾辉 -专利权人：烟台万华电子材料有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种丙硅烷的制备方法，包含以下步骤：(1)将多孔碳材料置于耐压容器中，在抽真空条件下对耐压容器进行加热，冷却至室温后继续维持抽真空条件；(2)将耐压容器的温度降低至‑160～‑50℃后，并在该温度下将低阶硅烷以0.2L/min～0.8L/min的流速通入至耐压容器中，静置30～120min；(3)将耐压容器中的温度升至室温，静置后收集挥发出的丙硅烷；其中，多孔碳材料的比表面积≥500m2/g，孔径分布在0.4nm～5nm。本发明提供了一种利用高比表面积的多孔碳材料催化转化低阶硅烷合成高阶硅烷的方法，本发明的制备方法极大地降低了原料的损失、催化低阶硅烷合成转化为高阶硅烷。
一种硅烷制备方法

[发明专利]一种基于强电场电离放电技术合成电子级乙硅烷的方法-CN202310702741.3在审
发明人：陈润泽;徐海云;李欣;鲁毅;孙加其;吝秀锋;王艳;李国伟 -专利权人：中船（邯郸）派瑞特种气体股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于强电场电离放电技术合成电子级乙硅烷的方法，本发明以甲硅烷为初始原料，采用强电场电离放电技术制备乙硅烷，硅烷和乙硅烷混合气随后经过初步分离，硅烷返回系统继续使用，乙硅烷经过两步精制后得到电子级乙硅烷。本发明以甲硅烷为原始原料，以强电场电离放电技术为合成工艺，原料价格低廉，反应收率高，节能环保；同时使用两步法对产物进行精馏，提纯深度高、提纯效率高，适合大规模生产，对于降低生产乙硅烷成本，打破国外企业垄断有重要的意。
一种基于电场电离放电技术合成电子硅烷方法

[发明专利]一种乙硅烷的制备方法及应用-CN202310817508.X在审
发明人：李欣;陈润泽;张露露;王佳佳;吝秀峰;孙加其;吕浩然;商洪涛 -专利权人：中船（邯郸）派瑞特种气体股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种乙硅烷的制备方法及应用，该方法包括以下步骤：将甲硅烷气体及其他气体进入气体混合装置内混合均匀，然后进入等离子体发生装置内，控制等离子体电参数。最后将反应产物乙硅烷采出后进入收集冷阱，充装至钢瓶，得到转化率为90％的乙硅烷产品。利用该方法制备的乙硅烷经二级精馏提纯后，易得到纯度为99.999％的乙硅烷，之后采用LPCVD方式制备多晶硅薄膜，得到了更低的工艺温度条件下生长的Si层。
一种硅烷制备方法应用

[发明专利]一种光催化法制备乙硅烷的方法-CN202310733750.9在审
发明人：陈润泽;徐海云;李欣;孙加其;吝秀锋;赵星;姜世楠;张心智 -专利权人：中船（邯郸）派瑞特种气体股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本申请属于乙硅烷生产应用的领域，具体涉及一种光催化法制备乙硅烷的方法。该方法包括光催化合成、气液分离、精制提纯，具有原料利用率高、乙硅烷的收率高、能耗小、安全性能好的优点，弥补了相关技术中制备方法的不足；同时，本申请对乙硅烷进行两步精制，提纯深度高、提纯效率高，适用于大规模生产，对于降低乙硅烷的生产成本以及打破国外技术垄断有着重要的意义。
一种光催化法制硅烷方法

[发明专利]一种外延制程尾气全温程变压吸附提取硅烷的方法-CN202011537627.2有效
发明人：汪兰海;钟娅玲;钟雨明;陈运;唐金财;蔡跃明 -专利权人：浙江天采云集科技股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延制程尾气全温程变压吸附提取硅烷的方法，通过预处理、压缩冷凝、中温变压吸附浓缩、中浅冷精馏、硅烷精制与HCl水洗工序，从基于Si、SiC或蓝宝石衬底上进行含氯或不含氯的同质或异质CVD外延制程尾气中高纯度、高收率的提纯回收有效组分硅烷，并返回到CVD外延制程中循环使用，同时可副产盐酸，既实现尾气中有效组分的回收再利用，又减少了尾气排放，弥补了外延制程尾气回收与提纯SiH4技术的空白。
一种外延尾气全温程变压吸附提取硅烷方法

[发明专利]一种乙硅烷的合成方法-CN202310710370.3在审
发明人：李欣;张露露;尚青;孙加其;王佳佳;李雷;郭花花;张储桥 -专利权人：中船（邯郸）派瑞特种气体股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种乙硅烷的合成方法，该方法包括以下步骤：用活化后的分子筛，将溶剂二乙二醇二甲醚中的水分除去后转移至乙硅烷反应容器，再将氢化铝锂或氢化铝钠加入反应器，开启搅拌及恒温水浴。之后将六氯乙硅烷通过计量泵打入反应器，控制速率。最后将反应产物乙硅烷采出进入收集冷阱，充装至钢瓶，得到转化率为95％的乙硅烷产品。本发明可以有效的增加反应速率，同时避免六氯乙硅烷与水发生反应，可以有效的减少副反应的发生，从而提高乙硅烷的转化率。
一种硅烷合成方法

[发明专利]一种带隙可调、降解性可控的二维氢硅烯纳米材料及其制备方法和应用-CN202110569451.7有效
发明人：林翰;徐德良;施剑林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种带隙可调、降解性可控的二维氢硅烯纳米材料及其制备方法和应用，所述二维氢硅烯纳米材料具有纳米片结构，直径为300 nm～500 nm，厚度为1 nm～6 nm。
一种可调降解可控二维氢硅烯纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种含硅烷尾气中硅烷回收系统及方法-CN202310407170.0在审
发明人：陈其国;赵彦清;张森;陈辉;兰天石 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅烷尾气中硅烷回收系统及方法，属于高纯多晶硅制备技术领域。系统包括第一储罐、第一尾气管、膜分离器、冷凝器、除雾器、第三储罐；第一储罐用于储存含硅烷尾气，且设置有进气口和出气口；第一储罐的进气口与第一尾气管连接；第一储罐的出气口与膜分离器的进口连接；膜分离器设置有第一出口和第二出口，膜分离器的第一出口与冷凝器的进口连接，冷凝器的出液口与第三储罐的进口连接，冷凝器的出气口与除雾器的进气口连接，除雾器的出液口与第三储罐的进口连接，回收的硅烷存储在第三储罐中。在回收了硅烷、氢气的同时，减轻了硅烷气冷凝负荷，提升了硅烷冷凝效果，降低了含硅烷尾气回收的成本，同时提升了回收氢气的纯度。
一种硅烷尾气回收系统方法

[发明专利]一种甲硅烷回收系统及方法-CN202310407168.3在审
发明人：陈其国;赵彦清;张森;陈辉;兰天石 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种甲硅烷回收系统及方法，属于高纯多晶硅制备技术领域。系统包括：用于储存含硅烷尾气的第一储罐的进气口与第一流体管相连，第一储罐的出气口与冷凝器的进口连接，冷凝器的出液口与第二储罐的进口连接，冷凝器的出气口与除雾器的进气口连接，除雾器的出液口与第二储罐的进口连接；回收的硅烷存储在第二储罐中；除雾器的出气口通过第一管道与第一吸附器、第二吸附器、第三吸附器的吸附进口连接；第一吸附器、第二吸附器、第三吸附器中设置有用于去除甲烷的吸附剂，在第一吸附器、第二吸附器、第三吸附器中吸附除去甲烷处理得到不含甲烷的硅烷。硅烷回收和甲烷选择性吸附组合，回收硅烷的同时，提高了产品纯度，避免了甲烷富集。
一种硅烷回收系统方法

[发明专利]一种含硅烯量子点的硅氧烯纳米薄膜及其制备方法-CN201980097729.6有效
发明人：黄靖云;徐鑫苓;周丽萍;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅烯量子点的硅氧烯纳米薄膜及其制备方法，属于荧光功能纳米材料领域。本发明将CaSi2与脱钙有机溶剂、过渡金属氯化物催化剂按比例混合均匀，酸洗后超声分散制备获得了镶嵌硅烯量子点的硅氧烯薄膜，这种硅氧烯薄膜厚度在1~2.5 nm以下，硅烯量子点尺寸在2~5 nm，并且在蓝光区域有很强的荧光发射性能，具有准直接带隙，显示了其在光电等领域良好的应用前景。
一种含硅烯量子硅氧烯纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]一种硅烷的生产工艺及其生产系统-CN202111640024.X有效
发明人：耿金春;栗广奉;吴希湖;郑安雄;王矿宾;柴岗元 -专利权人：浙江中宁硅业有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及硅烷的生产技术领域,特别是一种硅烷的生产工艺及其生产系统，包括S1：预加热，S2：催化裂解，S3：除固，S4：除氢，S5：除硅烷，S6：获得乙硅烷，S7：获得丙硅烷的步骤。通过依次连通设置的预热器、反应器、过滤器、第一精馏塔、第二精馏塔、第三精馏塔以及第四精馏塔，所述预热器具有进气管和出气管，所述过滤器的进气端与出气管连接，所述第一精馏塔的进料端与过滤器的出气端连接，所述第二精馏塔的进料端与第一精馏塔的出料端连接，第三精馏塔的进料端与第二精馏塔的出料端连接，第四精馏塔的进料端与第三精馏塔的出料端连接，其中，所述第一精馏塔、第二精馏塔、第三精馏塔以及第四精馏塔的塔顶均设置副出料端，完成工艺，提供了一种硅烷的生产工艺及其生产系统，简单合理，控制方便，且反应获得的高阶硅烷纯度更高。
一种硅烷生产工艺及其生产系统

[发明专利]用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷及其制备方法-CN201880035956.1有效
发明人： J.泰希曼;M.瓦格纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)或作为甲硅烷基团(SiH3)的转移剂的三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH3)。通过在溶液中用氢化物还原三氯甲硅烷基‑三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)来制备三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH3)的方法。通过在溶液中在AlCl3存在下使三氯甲硅烷基三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)与氯化氢(HCl)反应来制备三氯甲硅烷基三氯甲锗烷(Cl3Ge‑SiCl3)的方法。三氯甲硅烷基三氯甲锗烷用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)的用途。
用于制备苯基烷基硅烷三氯甲三氯甲锗烷及其方法

[发明专利]一种制备硅烷的系统和方法-CN201911290850.9有效
发明人：陶刚义 -专利权人：内蒙古兴洋科技股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种以硅粉和氢气为原料或以三氯氢硅制备硅烷的系统和方法，包括第一歧化反应精馏塔、四氯硅烷氢化系统、第二歧化反应精馏塔、硅烷粗馏塔、第一硅烷精馏塔和第二硅烷精馏塔；第一歧化反应精馏塔与四氯硅烷氢化系统连接，同时第一歧化反应精馏塔连接第二歧化反应精馏塔；第二歧化反应精馏塔与硅烷粗馏塔连接；硅烷粗馏塔下游依次连接第一硅烷精馏塔和第二硅烷精馏塔；氯硅烷的转化率高、能耗低、成本低，有利于进行规模化生产，并且得到的硅烷纯度在99.9999％以上，达到电子级，可作为大规模集成电路和液晶显视器、光伏电池等制造材料。
一种制备硅烷系统方法

[实用新型]一种硅烷除磷纯化器-CN202223492703.X有效
发明人：陈谋杰;陈佳 -专利权人：湖北君德新材料有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅烷除磷纯化器，包括纯化器本体，所述纯化器本体内开设有吸附腔，吸附腔内填充有吸附剂，纯化器本体下侧开设有进气口，纯化器本体上侧开设有出气口，且进气口和出气口与吸附腔相连通，且纯化器本体的侧面开设有与吸附腔相连通的进料口和出料口，吸附腔的上侧转动配合有与进料口相对应的上堵板，吸附腔的下侧转动配合有与出料口相对应的下堵板。在本实用新型中，可以通过转动下堵板，使得下堵板带动上堵板一同转动，从而可以控制吸附腔内隔板一侧的吸附剂进行吸附，向进料口内通入吸附剂，吸附腔内隔板另一侧的吸附剂就会被新通入的吸附剂取代，已经饱和的吸附剂就会从出料口出来，从而实现对吸附剂进行更换。
一种硅烷纯化

[发明专利]一种由二氯氢硅歧化反应制备甲硅烷和三氯氢硅的系统及方法-CN202211641257.6在审
发明人：李学刚;肖文德;阎建民;罗漫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种由二氯氢硅歧化反应制备甲硅烷和三氯氢硅的系统，该系统以二氯氢硅为原料，通过二氯氢硅歧化反应装置(200)，制备甲硅烷并联产三氯氢硅。该方法包括以下步骤：二氯氢硅歧化反应：将二氯氢硅送入二氯氢硅歧化反应装置(200)；粗甲硅烷精制：来自二氯氢硅歧化反应装置(200)的气态粗甲硅烷经冷却后送入粗甲硅烷精制装置(400)。与现有技术相比，本发明以二氯氢硅为原料，经过歧化反应制备甲硅烷和副产物三氯氢硅，其中副产物三氯氢硅在提纯后可直接用于改良西门子法沉积多晶硅，实现甲硅烷生产与多晶硅生产工艺结合程度高、综合能耗和物耗低。
一种二氯氢硅歧化反应制备硅烷三氯氢硅系统方法

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