“迈克尔·达内克”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果24个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体制造工艺的性能预测器-CN202180011337.0在审
发明人：卡皮尔·优曼许·萨维拉尼;迈克尔·达内克;拉维·韦兰基;桑杰·戈皮纳特;大卫·G·科恩;萨珊·罗汉姆;萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼;本杰明·艾伦·哈斯凯尔;李·J·布罗根 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提出了用于预测半导体制造设备操作的性能的方法、系统和计算机程序。一种方法包括用于获得机器学习(ML)模型的操作，每个模型都与预测半导体制造工具的操作的性能度量有关。此外，每个ML模型都利用为ML模型定义输入的特征。该方法还包括用于接收用于利用半导体制造工具制造产品的工艺定义的操作。使用一个或多个ML模型来估计半导体制造工具中使用的工艺定义的性能。此外，该方法包括在显示器上呈现显示产品的制造的性能的估计的结果。在某些方面，混合模型的使用通过利用由基于物理的模型提供的增强来增强数据驱动模型的能力来提高系统的预测准确性。
半导体制造工艺性能预测

[发明专利]用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法-CN202210124989.1在审
发明人：亚当·扬德尔;塞马·埃梅兹;劳伦斯·施洛斯;桑杰·戈皮纳特;迈克尔·达内克;西维·尼奥;约瑟亚·科林斯;汉娜·班诺乐克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法，具体提供了用于减少线弯曲的方法和装置：在将诸如钨、钼、钌或钴等金属沉积到衬底上的特征中时，在原子层沉积、化学气相沉积或顺序化学气相沉积期间将特征周期性地暴露于氮、氧或氨，以便减少沉积在特征侧壁上的金属之间的相互作用。方法适合于沉积到V形特征内。
用于金属填充工艺期间防止弯曲方法

[发明专利]用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法-CN201710700258.6有效
发明人：亚当·扬德尔;塞马·埃梅兹;劳伦斯·施洛斯;桑杰·戈皮纳特;迈克尔·达内克;西维·尼奥;约瑟亚·科林斯;汉娜·班诺乐克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法，具体提供了用于减少线弯曲的方法和装置：在将诸如钨、钼、钌或钴等金属沉积到衬底上的特征中时，在原子层沉积、化学气相沉积或顺序化学气相沉积期间将特征周期性地暴露于氮、氧或氨，以便减少沉积在特征侧壁上的金属之间的相互作用。方法适合于沉积到V形特征内。
用于金属填充工艺期间防止弯曲方法

[发明专利]钨特征填充-CN202110914064.2在审
发明人：阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王德齐 -专利权人：诺发系统公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明描述了以钨来填充特征的方法以及相关系统和设备。这些方法包括由里朝外填充技术以及特征内的保形沉积。由里朝外填充技术可包括在特征内的蚀刻过的钨层上的选择性沉积。根据各种实施例可使用保形与非保形蚀刻技术。本发明所述的这些方法可用于填充例如钨通孔的垂直特征、以及例如垂直NAND(VNAND)字线的水平特征。应用的实例包括逻辑和内存接点填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成内存栅极/字线填充以及具有硅通孔(TSVs)的3‑D集成。
特征填充

[发明专利]用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻-CN202110431456.3在审
发明人：黎照健;克伦·雅各布斯·卡纳里克;萨曼莎·坦;阿南德·查德拉什卡;泰赫-婷·苏;杨文兵;迈克尔·伍德;迈克尔·达内克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻。本发明提供了使用沉积‑蚀刻‑沉积工艺将钨沉积到高深宽比的特征中的方法，该工艺整合了多种沉积技术与在蚀刻期间交替的表面改性的脉冲和去除的脉冲。
用于增强沉积填充原子蚀刻

[发明专利]钨特征填充-CN201811491805.5有效
发明人：阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王德齐 -专利权人：诺发系统公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明描述了以钨来填充特征的方法以及相关系统和设备。这些方法包括由里朝外填充技术以及特征内的保形沉积。由里朝外填充技术可包括在特征内的蚀刻过的钨层上的选择性沉积。根据各种实施例可使用保形与非保形蚀刻技术。本发明所述的这些方法可用于填充例如钨通孔的垂直特征、以及例如垂直NAND(VNAND)字线的水平特征。应用的实例包括逻辑和内存接点填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成内存栅极/字线填充以及具有硅通孔(TSVs)的3‑D集成。
特征填充

[发明专利]半导体设备的缺陷分类和来源分析-CN202080008796.9在审
发明人：卡皮尔·索拉尼;理查德·A·戈奇奥;迈克尔·达内克;基思·威尔斯;基思·汉森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：可利用计算缺陷分析系统对包含电子组件的衬底上的缺陷进行分类，该计算缺陷分析系统可以多个阶段实现。例如，第一阶段分类引擎可处理计量数据以产生缺陷的初始分类。第二阶段分类引擎可利用该初始分类、以及制造信息和/或先验缺陷知识，以输出由一或更多个潜在来源造成缺陷的概率。
半导体设备缺陷分类来源分析

[发明专利]用于固体和液体前体的蒸汽输送方法和装置-CN202011277527.0在审
发明人：约瑟亚·科林斯;埃里克·H·伦茨;迈克尔·达内克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用于固体和液体前体的蒸汽输送方法和装置。提供汽化器系统，其使得能够快速改变汽化的反应物的流速，同时使得汽化的反应物和载气的总流速保持恒定。
用于固体液体蒸汽输送方法装置

[发明专利]用于钴的锰阻挡层和粘附层-CN201710337590.0有效
发明人：黎照健;罗郑硕;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于钴的锰阻挡层和粘附层。本发明提供了形成导电钴(Co)互连和Co特征的方法。所述方法包括在电介质上沉积含锰(Mn)的薄膜，随后在含Mn膜上沉积钴。含Mn膜可以沉积在诸如二氧化硅之类的含硅电介质上，并且退火以形成硅酸锰。
用于阻挡粘附

[发明专利]用于固体和液体前体的蒸汽输送方法和装置-CN201710357210.X有效
发明人：约瑟亚·科林斯;埃里克·H·伦茨;迈克尔·达内克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用于固体和液体前体的蒸汽输送方法和装置。提供汽化器系统，其使得能够快速改变汽化的反应物的流速，同时使得汽化的反应物和载气的总流速保持恒定。
用于固体液体蒸汽输送方法装置

[发明专利]自限制生长-CN201880074995.2在审
发明人：约瑟亚·科林斯;格里芬·肯尼迪;汉娜·班诺克尔;迈克尔·达内克;施卢蒂·维维克·托姆贝尔;帕特里克·A·范克莱姆普特;戈鲁恩·布泰尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本文提供了用于在半导体衬底上形成金属膜(如钨(W)及钼(Mo)膜)的方法和装置。所述方法涉及形成还原剂层，然后将该还原剂层暴露于金属前体以将该还原剂层转换为金属层。在某些实施方案中，该还原剂层为含有硅(Si‑)和硼(B‑)的层。所述方法可涉及：在第一衬底温度下形成还原剂层，将衬底温度升高至第二衬底温度，然后在该第二衬底温度下将该还原剂层暴露于该金属前体中。在某些实施方案中，该方法可用于形成无氟钨或钼膜。还提供用于执行所述方法的装置。
限制生长

[发明专利]三维竖直NAND字线的金属填充过程-CN201880059689.1在审
发明人：劳伦斯·施洛斯;拉什纳·胡马雍;桑杰·戈皮纳特;高举文;迈克尔·达内克;凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：公开了在半导体衬底上沉积诸如钨之类的过渡金属的方法。该方法包括提供乙硼烷和余量的氢的气体混合物，其中氢用于稳定气体混合物中的乙硼烷。该方法还包括将气体混合物输送到半导体衬底以形成硼层，其中硼层用作还原剂层以将含金属的前体转化为金属，例如将含钨的前体转化为钨。在一些实现方式中，半导体衬底包含竖直结构，例如三维竖直NAND结构，其具有在竖直结构的侧壁中具有开口的水平特征或字线，其中硼层可共形地沉积在竖直结构的水平特征中。
三维竖直 nand 金属填充过程

[发明专利]用核化抑制的特征填充-CN201910729470.4在审
发明人：阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王徳齐 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。
填充核化选择性抑制特征填充字元线可用埋入式字元线远程等离子体垂直集成垂直特征存储栅极工艺窗口水平特征特征暴露特征轮廓由内向外硅通孔钨填充钨通孔共形垂直存储治疗应用

[发明专利]用核化抑制的特征填充-CN201510644832.1有效
发明人：阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王徳齐 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。
用核化抑制特征填充

[发明专利]用于字线应用的钨-CN201610085046.7有效
发明人： 迈克尔·达内克;汉娜·班诺乐克;拉什纳·胡马雍;高举文 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-02-14 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及用于字线应用的钨，公开了用于在存储器器件中形成钨字线的方法和相关设备。本文还公开了用于沉积不含氟的钨(FFW)的方法和相关设备。根据多个实施方式，所述方法涉及使用氯化钨(WCl_x)前体和含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的还原剂沉积多组分钨膜。
用于应用

1
2
下一页»
尾页
共 24 条