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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310772447.X在审
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杨帆;胡胜;盛备备
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2021-06-09
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2023-09-15
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H01L27/146
- 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一晶圆；沟槽隔离环，形成于所述第一晶圆中，所述沟槽隔离环包括第一金属层；第一绝缘介质层，形成于所述第一晶圆的表面，所述第一绝缘介质层中形成有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别单独暴露出所述第一金属层的表面和所述第一晶圆的表面；阻挡层，至少形成于所述第二通孔暴露出的所述第一晶圆的表面；以及，第二金属层，形成于所述第一绝缘介质层上，且所述第二金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔。本发明的技术方案能够避免导致接触电阻增大以及铝尖峰等问题，提高了半导体器件的制造工艺的稳定性以及提高了半导体器件的性能。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310810936.X在审
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薛晓晨;盛备备
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2023-07-03
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2023-08-25
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H01L23/64
- 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：第一基板，包括正面以及与所述正面相背的背面，第一基板正面形成有器件结构，第一基板背面形成有深沟槽电容；第一绝缘层、第二绝缘层，分别形成于所述第一基板的正面与背面；第一互联结构、第二互联结构，所述第一互联结构形成于所述第一绝缘层中，所述第二互联结构形成于所述第二绝缘层中；插塞结构，形成于所述第一绝缘层中，所述插塞结构的一端通过所述第一互联结构与所述器件结构电连接，所述插塞结构的另一端通过所述第二互联结构与所述深沟槽电容电连接。本发明的技术方案缩短了将深沟槽电容与器件结构电引出的电路路径，使得去耦效率得到提高；且增大了单位面积集成度。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110642170.X有效
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杨帆;胡胜;盛备备
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2021-06-09
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2023-06-09
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H01L29/06
- 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一晶圆；沟槽隔离环，形成于所述第一晶圆中，所述沟槽隔离环包括第一金属层；第一绝缘介质层，形成于所述第一晶圆的表面，所述第一绝缘介质层中形成有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层的表面，所述第二通孔暴露出所述第一晶圆的表面；阻挡层，至少形成于所述第二通孔暴露出的所述第一晶圆的表面；以及，第二金属层，形成于所述第一绝缘介质层上，且所述第二金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔。本发明的技术方案能够避免导致接触电阻增大以及铝尖峰等问题，提高了半导体器件的制造工艺的稳定性以及提高了半导体器件的性能。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210923546.9在审
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谭学聘;叶国梁;盛备备;杨道虹;孙鹏
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2022-08-02
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2022-11-04
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H01L21/768
- 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一基底，所述基底上形成有介质层；形成第一开口，所述第一开口贯穿所述介质层且暴露出所述基底；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述第一开口的侧壁与所述介质层的表面，并执行一热处理工艺致密化所述保护层；以致密化的所述保护层为掩膜刻蚀所述第一开口下的所述基底形成第二开口，所述第一开口侧壁与所述介质层表面仍保留部分厚度的所述保护层。所述第一开口和所述第二开口构成硅通孔。本发明形成第二开口时，由于第一开口的侧壁形成保护层，避免了位于第一开口侧壁的介质层在形成第二开口的刻蚀工艺中被刻蚀损伤，减少侧壁的粗糙度；同时保护层也起到保护缓冲作用，使得硅通孔刻蚀后的侧壁均匀光滑，提高了半导体器件的性能。
- 半导体器件及其制作方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910625448.5有效
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盛备备;胡胜;梁斐
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2019-07-11
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2021-09-10
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H01L21/768
- 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：S1，提供至少一片晶圆；S2，形成重工刻蚀停止层于所述晶圆上；S3，形成聚合物材料层于所述重工刻蚀停止层上；S4，对所述聚合物材料层进行包含烘烤在内的工艺处理；S5，检测所述聚合物材料层是否出现异常，若所述聚合物材料层出现异常，则去除异常的聚合物材料层并形成新的聚合物材料层于所述重工刻蚀停止层上，接着再循环执行步骤S4至步骤S5，直至形成的新的聚合物材料层未出现异常。本发明的技术方案使得重工刻蚀停止层下方的结构不会受到重工刻蚀工艺的影响，进而使得晶圆的报废率得到降低，从而使得生产成本得到降低。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201910554804.9有效
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盛备备;胡胜
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2019-06-25
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2021-06-29
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H01L21/60
- 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在粘合层上形成光刻胶层之后，利用光刻技术形成刻蚀图形时，非引出区上对应的掩膜版的图形为亚分辨率辅助图形，引出区上对应的掩膜版的图形为可曝光图形，这样，在光刻工艺中，亚分辨率辅助图形对应的光刻胶层中将形成具有部分曝光深度的第一部分曝光区，而在可曝光图形对应的光刻胶层中将形成完全曝光的曝光图形，利用该光刻胶层进行粘合层的各项异性刻蚀后，同时在部分厚度粘合层中形成开口以及贯穿粘合层的过孔。这样，通过一次刻蚀工艺，同时形成开口和过孔，开口则用于过孔填充工艺时平坦化过程中的负载均衡，实现平坦化过程中的负载均衡，同时降低制造成本。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010700294.4在审
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杨帆;胡胜;盛备备
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2020-07-20
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2020-10-27
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H01L21/762
- 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供第一晶圆，刻蚀所述第一晶圆的正面，以形成第一沟槽于所述第一晶圆中；形成第一沟槽填充结构填充于所述第一沟槽中；形成第一器件层于所述第一晶圆和所述第一沟槽填充结构上；提供第二晶圆，将所述第一器件层键合到所述第二晶圆上；形成第二沟槽于所述第一晶圆的背面上，且所述第二沟槽与所述第一沟槽对准并连通，以组合形成深沟槽；以及，形成深沟槽隔离结构。本发明的技术方案能够在形成具有高深宽比的深沟槽的同时，还能改善刻蚀工艺的缺点，进而提升半导体器件的性能；并且，能够降低对刻蚀工艺和设备的要求，进而减少工厂的生产和制造成本。
- 半导体器件及其制造方法
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