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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通孔的刻蚀方法-CN201010597890.0有效
发明人：肖中强;顾静;王萍;何万梅;华强;徐振宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实施例公开了一种通孔的刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底包括层间介质ILD层和位于ILD层上表面的包括通孔图案的掩膜层；在各向异性刻蚀腔体中，对所述基底进行各向异性刻蚀，所述各向异性刻蚀在所述通孔图案内纵向上去除掉预设厚度的ILD层材料，所述预设厚度小于所述ILD层的厚度；在各向异性刻蚀腔体中，调整刻蚀气体的组分和配比，对经过各向异性刻蚀的基底进行各向同性刻蚀，所述各向同性刻蚀在横向上去除掉预设尺寸的ILD层材料，以满足通孔形貌的要求本发明实施例在异性刻蚀腔体内实现各向同性刻蚀，省去了在两个不同类型的腔体间传送的时间，减少了通孔刻蚀所需的时间，缩短了产品的生产周期。
刻蚀方法

[发明专利]导电插塞的形成方法-CN201310745861.8在审
发明人：张城龙;黄敬勇;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电插塞的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍式场效应晶体管、刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层中形成第一接触孔；在所述第一接触孔中形成有机填充层；在所述有机填充层上形成图案化的掩膜层；采用第一各向异性刻蚀工艺和第二各向异性刻蚀工艺沿第一开口蚀刻所述填充层，直至形成暴露所述层间介质层的凹槽，所述第一各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括CO2，所述第二各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括N2第一各向异性刻蚀工艺对有机填充层的蚀刻速度较快，第二各向异性刻蚀工艺对有机填充层的蚀刻较为缓和，使有机填充层始终保护鳍式场效应晶体管的重掺杂区。
导电形成方法

[发明专利]一种控温深硅刻蚀方法-CN201310009037.6有效
发明人：林红 -专利权人：林红
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种控温深硅刻蚀方法，用于感应耦合等离子体刻蚀机，该方法包括：正性光刻胶图形制作步骤，各向异性刻蚀步骤，各向同性淀积步骤，去除光刻胶步骤；其特征在于，该方法采用在所述刻蚀机的多处冷却并采用低温冷却液作为循环冷却液，从而获得低温，并且所述各向异性刻蚀步骤和各向同性淀积步骤交替循环刻蚀是在刻蚀机的等离子体刻蚀室的低温条件下完成的。本发明的有益效果是控温深硅刻蚀方法使交替刻蚀中的各向异性刻蚀步骤延长，各向同性淀积步骤缩短，从而提高刻蚀速率，垂直刻蚀易控制，并且使光刻胶的选择比大大提高。
一种控温深硅刻蚀方法

[发明专利]半导体图像传感器件的制造方法-CN201510511908.3有效
发明人：黄双武;刘辰;黄麦瑞;陈洁 -专利权人：苏州科阳光电科技有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体图像传感器件的制造方法，其盲孔由碗状孔和位于碗状孔底部的直孔组成，所述盲孔通过以下工艺获得；通过蚀刻机第一次各向同性干法刻蚀形成碗状孔，第一次各向同性干法刻蚀工艺参数为：腔压90mTorr、SF6流量为800sccm、线圈功率3000W、射频偏置电压0W、刻蚀时间180s；通过北微的DSE200C深硅蚀刻机采用第一各向异性刻蚀和第二各向异性刻蚀交替进行，从而在碗状孔的底部向下形成直孔，第一各向异性刻蚀和第二各向异性刻蚀交替次数为
半导体图像传感器制造方法

[发明专利]一种多样性纳米结构的加工方法-CN200910083938.3有效
发明人：毛海央;吴文刚;张煜龙;郝一龙;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：：1)准备并清洗衬底；2)在衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二；3)在薄膜二上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行前烘和曝光，在薄膜二上形成光刻胶图形一；4)采用氧等离子体去胶机对光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀，在薄膜二上得到光刻胶图形二；5)用光刻胶图形二作为掩模，各向异性刻蚀薄膜二，形成薄膜二的纳米结构；6)在薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三；7)各向异性刻蚀薄膜三，在薄膜二的纳米结构四周形成纳米侧墙；8)各向异性刻蚀薄膜二的纳米结构，在衬底表面上留下纳米侧墙；9)以纳米侧墙为掩模，各向异性刻蚀衬底，在衬底上得到最终纳米结构；10)腐蚀掉最终纳米结构上残留的侧墙。
一种多样性纳米结构加工方法

[发明专利]一种刻蚀铜的方法-CN200910200623.2无效
发明人：王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种刻蚀铜的方法。该方法包括：采用湿法刻蚀并用光照射促进电化学刻蚀的技术将铜刻蚀，然后在铜上填充low-k介质。由于光的各向异性特性，本发明提出的湿法刻蚀也具有各向异性的特性，这样可以实现铜和其它多种金属的各向异性刻蚀，同时这也解决了集成电路铜互连中的low-k刻蚀、孔洞等问题。
一种刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610147809.2有效
发明人：程卫华;叶彬;曾红林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；执行一各向异性刻蚀制程，在所述通孔刻蚀基底上刻蚀通孔；沉积牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；刻蚀所述牺牲层，以暴露通孔开口；执行一各向同性刻蚀制程，首先采用各向异性刻蚀通孔，继而再采用各向同性的方法扩大通孔开口，可形成具有圆角开口的通孔结构，相比具有尖角开口的通孔结构，对具有相同深宽比的通孔，更不易在开口处形成沉积材料的堆积。
刻蚀方法

[发明专利]微结构释放的方法及深硅刻蚀微结构-CN201410648558.0有效
发明人：刘海鹰;蒋中伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种微结构释放的方法及深硅刻蚀微结构，包括以下步骤：采用刻蚀工艺在被加工工件的被加工面获得微结构；在所述微结构的侧壁和底部沉积保护层；采用各向异性刻蚀工艺去除所述微结构的底部的所述保护层；采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述微结构的底部至所需深度；采用各向同性刻蚀工艺释放所述微结构的下方以释放所述微结构。另外，本发明还提供一种深硅刻蚀微结构。
微结构释放方法刻蚀

[发明专利]单次纳米压印制作深纳米T型栅的方法-CN200410009933.3无效
发明人：谢常青;范东升;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种单次纳米压印制作纳米T型栅的方法，其工艺步骤如下：1.熔石英基片表面上淀积铬薄膜；2.铬薄膜表面上甩电子束光刻胶，电子束光刻宽栅槽图形；3.一次各向异性刻蚀铬薄膜；4.一次各向异性刻蚀熔石英，被刻蚀的熔石英深度等于纳米T型栅所要求的总高度；5.除电子束光刻胶；6.电子束光刻胶，电子束光刻窄栅槽图形；7.二次各向异性刻蚀铬薄膜；8.二次各向异性刻蚀熔石英，被刻蚀的熔石英深度等于纳米T型栅所要求的底层窄栅槽图形高度；9.
纳米压印制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110432155.2在审
发明人：金路;孙鹏;林先军;金懿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括：提供衬底；在衬底上形成若干相互分立初始第一伪栅结构和初始第二伪栅结构；在衬底上、初始第一伪栅结构的侧壁和顶部表面、以及初始第二伪栅结构的侧壁和顶部表面形成初始停止层；在衬底上形成初始第一填充层；刻蚀暴露出的初始停止层，形成停止层和第一填充层，且各向异性刻蚀工艺对初始停止层的刻蚀速率大于对初始第一填充层的刻蚀速率。通过各向异性刻蚀工艺能够保证停止层的顶部表面低于第一掩膜层和第二掩膜层的同时，位于第一区上的第一填充层不会被完全去除，进而避免各向异性刻蚀工艺对形成在第一区内的第一源漏掺杂层造成损伤，进而提升最终形成的半导体结构的性能
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种硅纳米线的制备方法-CN201910391545.2有效
发明人：李铁;鲁梓程;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括：提供硅片；通过窗口干法刻蚀以形成刻蚀凹槽，该刻蚀凹槽的底壁与埋氧层之间保留有第一剩余顶层硅结构；湿法刻蚀以形成各向异性刻蚀槽，第一剩余顶层硅结构被减薄以形成位于各向异性刻蚀槽的底壁与埋氧层之间的第二剩余顶层硅结构，相邻两个各向异性刻蚀槽之间形成硅间壁；通过对第二剩余顶层硅结构和硅间壁进行氧化，在氧化硅间壁的底部和相邻氧化硅底壁的交界处形成贴附于埋氧层的单晶硅纳米线；去除氧化硅底壁、氧化硅间壁和埋氧层，硅纳米线被悬空而位于腐蚀槽的底部
一种纳米制备方法

[发明专利]金属氧化物半导体管的制作方法-CN201010612068.7无效
发明人：唐兆云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物半导体(MOS)管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极及半导体衬底的表面依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层；各向异性刻蚀第二氧化层，刻蚀停止在氮化层上；进行灰化和湿法去除刻蚀第二氧化层过程中产生的聚合物；各向异性刻蚀氮化层，刻蚀停止在第一氧化层上；经过各向异性刻蚀，保留多晶硅栅极两侧的第一氧化层、氮化层和第二氧化层，形成氧化物-氮化物
金属氧化物半导体制作方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN02130351.7无效
发明人：上浦有纪;飞松博;小田耕治;泽田真人;芝田耕治;川田宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社
申请日： 2002-08-16 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种半导体装置的制造方法，在该方法中，在用热处理对聚酰亚胺膜进行了亚胺化的情况下，防止聚酰亚胺膜从被进行各向同性刻蚀的膜剥离下来，而且防止因各向异性刻蚀而附着的淀积物在各膜的侧壁上剥离将被形成了规定的图形的聚酰亚胺膜5用作掩模，对氮化硅膜4进行各向同性刻蚀。然后，在对氧化硅膜3进行各向异性刻蚀之前，用热处理对聚酰亚胺膜5进行亚胺化。此时，由于因显示出各向异性的干法刻蚀而发生的淀积物没有附着到各膜的侧壁上，故在用热处理对聚酰亚胺膜5进行了亚胺化的情况下，聚酰亚胺膜5不从氮化硅膜4剥离下来。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种对位标记及其制作方法-CN201210190822.1有效
发明人：郭梅寒;张新伟;周国平;夏长奉 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种对位标记及其制作方法，该对位标记采用各向异性刻蚀技术制作形成，由于各向异性刻蚀在晶圆不同晶面上的刻蚀速率不一致，可以在晶圆上刻蚀出特定的晶面。
一种对位标记及其制作方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201310738990.4在审
发明人：潘周君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有垫氧化层；在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶部高于所述半导体衬底的表面；采用各向异性刻蚀工艺同时去除所述垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底表面的部分，所述各向异性刻蚀工艺采用的蚀刻气体包含NF3，并且还包含NH3和H2的至少其中之一。包含NF3和NH3（H2）的各向异性刻蚀工艺能够降低蚀刻后的表面粗糙度，沟槽隔离结构的顶部平坦，不会出现尖凸，从而防止后续形成在浅沟槽隔离结构上的各层结构表面出现尖凸，进而防止电场不均匀或者尖端放电等不良后果
半导体器件制作方法

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