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[发明专利]一种生物兼容的人机接口系统、制造方法以及监测设备-CN202310686201.0在审
发明人： 张冠张;李蕾;刘炎欣 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A61B5/263 文献下载
摘要：一种生物兼容的人机接口系统、制造方法以及监测设备，人机接口系统包括：衬底，衬底为离体的生物组织；有机缓冲层，形成在衬底上，有机缓冲层的顶面为平坦的平面，有机缓冲层为生物兼容的有机材料；隔离层，形成在有机缓冲层上，隔离层为生物兼容的绝缘材料，隔离层具有连通至有机缓冲层的电极窗口；电极层形成在隔离层上，且通过电极窗口与有机缓冲层接触，且至少具有两个触点；电极层用于通过触点采集有机缓冲层中的生物电信号，电极层为生物兼容的导电材料；电磁线圈，与电极层电连接，用于通过电磁感应与外部设备进行无线通讯，通过电磁感应接收外部设备提供的电能，电磁线圈为生物兼容的导电材料。本申请生物电信号能够进行监测。
一种生物兼容人机接口系统制造方法以及监测设备

[发明专利]一种提升器件光学特性的处理方法-CN202310481493.4在审
发明人： 张冠张;李蕾;王仕栋 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种提升器件光学特性的处理方法，包括：提供一待处理器件以及第一流体，待处理器件为光学元件或光电子器件；对第一流体进行超临界处理，得到超临界态的第一流体；通过超临界态的第一流体对待处理器件处理，对待处理器件进行杂质萃取，或进行杂质萃取与进行晶体缺陷修复。本申请可以提高待处理器件的光学特性。
一种提升器件光学特性处理方法

[发明专利]一种可植入的电刺激设备、控制方法以及控制系统-CN202310685825.0在审
发明人：李蕾;张冠张;许艺铧 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： A61N1/05 文献下载
摘要：一种可植入的电刺激设备、控制方法以及控制系统，电刺激设备包括：电极探针，与控制电路电连接；第一电磁线圈，用于通过电磁感应与外部的终端设备进行无线通信，通过电磁感应接收外部的终端设备提供的电能；控制电路，与第一电磁线圈电连接，用于通过第一电磁线圈获取外部的终端设备提供的电能；还用于通过第一电磁线圈接收外部的终端设备发送的控制信号，在控制信号的触发下，通过电极探针释放对应该控制信号的电刺激信号。本申请可以实现通过电感线圈实现电刺激设备的控制与电刺激信号的释放，使用便捷。
一种植入刺激设备控制方法以及控制系统

[发明专利]一种基于遗忘时变特性求解方程的方法及系统-CN202310485417.0在审
发明人： 张冠张;许艺铧;李蕾 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F17/13 文献下载
摘要：一种基于遗忘时变特性求解方程的方法及系统，涉及信息技术领域。本申请的方案通过获取并识别参与计算的函数方程组，然后根据识别的函数方程组建立初始矩阵，并以初始矩阵的各个矩阵单元为坐标点建立坐标系，在坐标系中，对函数方程组的曲线所经过的目标矩阵单元施加刺激值，在施加刺激后，目标矩阵单元开始偏离预设的初始值，在撤去刺激后，目标矩阵单元由偏离状态向初始状态恢复，在遗忘过程中，选取目标时刻的遗忘矩阵，计算遗忘矩阵与初始矩阵的偏差量，得到差值矩阵，然后在差值矩阵中选取满足预设标准的矩阵单元作为方程组的解。通过采用本申请的方案，能够高效率、低能耗地实现对高自由度和高阶的复杂函数方程组的求解。
一种基于遗忘特性求解方程方法系统

[发明专利]一种源漏端引入势垒的半导体器件及其制造方法-CN202310341507.2在审
发明人： 张冠张;李蕾;王正大;冯西贝 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种源漏端引入势垒的半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的主动层；形成在主动层的栅介质层、源极与漏极；形成在栅介质层上的栅极；第一势垒层，第一势垒层具有预设宽度与预设厚度，第一势垒层部分包裹在源极与漏极的侧壁，部分嵌入主动层，第一势垒层的材料为高肖特基势垒材料。本申请能够实现晶体管具有存算一体能力。
一种源漏端引入半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于生物材料的光导纤维、制备方法以及生物材料-CN202310293474.9在审
发明人： 张冠张;李蕾;周骞 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种基于生物材料的光导纤维、制备方法以及生物材料，光导纤维包括芯层与包层；芯层与包层中的一个的材料包括第一生物大分子，芯层与包层中的另一个的材料包括第二生物大分子以及生物小分子，生物小分子用于对第二生物大分子进行掺杂，降低第二生物大分子的折射率，以使得包层的折射率小于芯层的折射率。通过生物小分子对生物大分子进行掺杂，实现生物大分子折射率的改变，满足光导纤维的全反射要求，通过采用生物材料制成光导纤维，以使得光导纤维具备生物可兼容或可降解的特性。
一种基于生物材料光导纤维制备方法以及

[发明专利]双栅薄膜晶体管的结构及制造方法-CN202011592482.6有效
发明人：陆磊;张盛东;张冠张;张立宁;李倩;王云萍;周雨恒 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种双栅薄膜晶体管的结构及其制造方法，其结构中包括衬底、底栅电极层、绝缘介质层、有源层、顶栅绝缘介质层、图形化的绝氧层以及顶栅电极层。由于有源层的上方具有图形化的绝氧层，使得可以通过热处理的方式将有源层导体化，形成源极和漏极，源漏极的稳定性更好，并且图形化绝氧层可以更好的隔绝外界空气和湿气，避免内部电极被氧气或湿气腐蚀，进一步保障器件的性能和稳定性。其方法中采用背部曝光的方式形成图形化绝氧层，使得形成的器件中，底栅宽度和有源层的宽度相同，有效对准，底栅和源极漏极之间没有交叠量，也可通过增加绝缘层的厚度或层数进一步降低顶栅与源极和漏极之间的交叠电容。
薄膜晶体管结构制造方法

[发明专利]一种基于生物组织的生物兼容集成电路系统及其制造方法-CN202310283737.8在审
发明人： 张冠张;李蕾;刘炎欣;王泽文 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K39/30 文献下载
摘要：一种基于生物组织的生物兼容集成电路系统及其制造方法，生物兼容集成电路系统，包括：衬底，衬底为离体的生物组织；形成在衬底上的至少一个突触器件，突触器件包括第一电极、第二电极以及功能层，第一电极与第二电极分别设在功能层上，衬底作为功能层，第一电极与第二电极均为具有生物兼容性的金属。本申请提供的生物兼容集成电路系统具有生物兼容性。
一种基于生物组织兼容集成电路系统及其制造方法

[发明专利]高生物兼容电子器件及其制造方法-CN202310188480.8在审
发明人： 张冠张;李蕾;刘炎欣 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：一种高生物兼容电子器件及其制造方法，其结构中包括半导体基底层、位于所述半导体基底层上的突触底电极、位于所述突触底电极上方的生物介质薄膜层，以及位于所述生物介质薄膜层上的突触顶电极。其中，由于生物介质薄膜层是通过至少包括生物体粘多糖材料和多元醇材料混合而成的生物介质混合液所制成的，生物介质薄膜层作为生物体粘多糖复合材料，结合了生物体粘多糖材料与添加材料之间共同的优势，使得器件功耗低、仿生程度高、生物兼容性高并且物理性质可调节。
生物兼容电子器件及其制造方法

[发明专利]生物兼容器件性能的测试方法、生物兼容器件及制造方法-CN202310312035.8在审
发明人： 张冠张;李蕾;黄培 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：一种生物兼容器件性能的测试方法、生物兼容器件及制造方法，测试方法，包括：配置生物兼容材料的第一溶液，采用多种不同PH值的酸碱盐向分别第一溶液进行掺杂，调整第一溶液的PH值，得到多种PH值的第一溶液；采用经PH值调整的第一溶液，制成半导体器件的功能层，得到半导体器件，半导体器件为生物兼容器件；对半导体器件进行待测性能测试，得到待测性能与第一溶液PH值的相关性。通过多种PH值的生物兼容材料制成半导体器件的功能层，并对半导体器件进行测试，可以得到半导体器件待测性能与功能层PH值的相关性。为了后续调节生物兼容器件的性能提供参考标准，通过测试得到的相关性，对应制造的生物兼容器件可以更好的匹配当前的应用环境。
生物兼容器件性能测试方法制造

[发明专利]半导体器件结构及其制造方法-CN202310231489.2在审
发明人： 张冠张;李蕾;郑斐;王泽文 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体器件结构及其制造方法，在其结构中，在基底中形成有凹槽，并且将器件中比较重要的结构部分例如第一电极层设置在凹槽内，再在凹槽的上方形成其他器件结构部件例如第二电极层，形成嵌入式的结构，嵌入式技术运用了削弱电子器件内部结构中的寄生效应、规整化整体器件的堆叠结构、改善对于光电信号的响应程度等原理，旨在对现有存在的各类电子器件进行结构与性能上的双重优化，通过研究其能够进行改善的出发点改善其透光率、工作电压区间、开关速度、能源利用率等等重要指标，综合传统的工艺简单的优点以及自对准顶栅结构，使得保障器件的尺寸微缩优点，同时能够提升器件的载流子迁移率、开关速度以及开态电流等性能。
半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]一种生物兼容材料双层薄膜电池及其制备方法-CN202310185939.9在审
发明人： 张冠张;李蕾;刘炎欣 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：一种生物兼容材料双层薄膜电池及其制作方法，通过由衬底、底电极、带相反电荷离子掺杂生物兼容材料双层薄膜、以及顶电极组成的堆栈结构。通过阴阳离子掺杂生物兼容材料薄膜，双层薄膜的界面区域会形成类似p‑n结附近的内建电场，阴阳离子在这种类内建电场的作用下，通过扩散，分别向上下两个电极移动，形成离子电压。其整体制备过程采用磁控溅射，制备电极与阴阳离子掺杂双层薄膜，结构简单，易于制备。所得到的电池器件可供能于生物突触启动电压级别器件，并具有生物可兼容性，可作为生物兼容性集成电路系统供能单元，驱动生物兼容集成电路系统稳定运作，符合柔性生物电子器件、生物植入芯片与生物电信号监测等方向的发展趋势和需求。
一种生物兼容材料双层薄膜电池及其制备方法

[发明专利]一种有机半导体器件超临界处理方法-CN202110985897.8有效
发明人： 张冠张;李蕾;刘凯 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B01D11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机半导体器件超临界处理方法，包括：提供一有机半导体器件以及二氧化碳；获得超临界态的二氧化碳；通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取。可见有机材料结构中的杂质，如聚合物单体分子、寡聚物等小分子或软交联剂杂质，会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。同时，水分子同样会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。因此，有机材料结构在有机半导体器件中发挥的电学性能，能够进一步靠近理想模型，杂质带来的影响下降。
一种有机半导体器件临界处理方法

[发明专利]一种发光二极管超临界处理方法-CN202110984706.6有效
发明人： 张冠张;李蕾;刘凯 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供的发光二极管超临界处理方法，通过根据发光二极管的半导体结构所具有的第一元素，选取第二物质；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质的元素，对发光二极管的半导体结构进行晶体缺陷修复，使得其半导体结构趋向于理想晶体结构，其光学性能更加贴近理想模型，由此，发光二极管的电光转换，以及产生的发光光谱，更加符合理想模型。
一种发光二极管临界处理方法

[发明专利]一种半导体器件超临界处理方法-CN202110985825.3在审
发明人： 张冠张;李蕾;刘凯 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件超临界处理方法，通过提供一半导体器件以及第二物质，第二物质为含碳元素以及氢元素的化合物；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质进入半导体结构中，第二物质或第二物质的元素与半导体结构中晶体缺陷产生的悬挂键键合，起到对晶体缺陷的修复作用，降低晶体缺陷对半导体器件性能的影响。
一种半导体器件临界处理方法

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