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[发明专利]一种可调谐VCSEL激光器芯片及其制造方法-CN202010883173.8有效
发明人：宋世金;汤惠淋;朱刘;刘留;苏小平;程勇 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明一种可调谐VCSEL激光器芯片及其制造方法，包括：一单晶衬底；单晶衬底正面单元，生长在所述单晶衬底正面，发射激光，包括：外延层、N‑欧姆接触层、P‑欧姆接触层、光学钝化层；单晶衬底背面单元，二次外延生长在所述单晶衬底背面，调谐所述激光波长，反馈芯片温度，依次包括倾斜外延生长的绝缘层、原子层热电堆层，所述绝缘层具有绝缘层外延倾角，所述原子层热电堆层具有原子层热电堆层外延倾角，所述原子层热电堆层外延倾角与所述绝缘层外延倾角具有第一倾角差；两电极，沿所述原子层热电堆层倾斜方向分布在所述原子层热电堆层两侧。本发明的一种可调谐VCSEL激光器芯片及其制造方法，能够同时实现波长的可调谐和温度反馈功能。
一种调谐 vcsel 激光器芯片及其制造方法

[发明专利]一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法-CN202210235685.2在审
发明人： 汤惠淋;宋世金;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于功能薄膜材料及器件领域，公开了一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，包括如下步骤：安装In靶材；安装Al靶材或Si靶材；在清洗后的衬底上，射频磁控溅射生长Al2O3薄膜或SiO2薄膜；在Al2O3薄膜或SiO2薄膜上，直流磁控溅射生长金属铟薄膜。本发明的方法在直流磁控溅射沉积金属铟薄膜的过程中，创造性的通过在玻璃衬底与金属铟薄膜之间增加过渡层，能有效调节基底和铟薄膜之间的晶格失配，减少界面之间的缺陷，改善铟薄膜与基底的结合力，从而获得符合焊接需求的薄膜。
一种改善玻璃基金属铟膜结合方法

[发明专利]一种热电材料焊接用复合薄膜的制备方法-CN202210089001.2在审
发明人： 汤惠淋;宋世金;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及功能薄膜材料制备技术领域，公开了一种热电材料焊接用复合薄膜的制备方法。本发明的制备方法包括：安装靶材；打磨衬底；清洗衬底；直流磁控溅射生长金属薄膜，即成。本发明的方法通过对衬底材料打磨、清洁剂清洗后生长薄膜，能够在直流磁控溅射沉积金属薄膜中，有效地改善薄膜的附着力，保持溅射获得的薄膜表面光滑、金属光泽度高、组分均一，适用于热电材料碲化铋焊接的Cr‑Ni复合薄膜。
一种热电材料焊接复合薄膜制备方法

[发明专利]一种有效去除TEC用薄膜氧化层的方法和应用-CN202111546430.X在审
发明人： 汤惠淋;宋世金;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种有效去除TEC用薄膜氧化层的方法和应用，属于功能薄膜材料及器件领域。本发明提出一种通过打磨清洗并使用Plasma轰击衬底材料的方法，可有效去除TEC用薄膜氧化层。与现有技术相比，本发明方法能够在直流磁控溅射沉积金属Cr‑Ni薄膜中，有效地去除氧化层，改善薄膜的附着力，保持溅射获得的薄膜表面光滑和组分均一，适用于铬镍复合薄膜在微型热电模块焊接中的应用。
一种有效去除 tec 薄膜氧化方法应用

[发明专利]一种用于微型热电模块的薄膜的制备方法-CN202111419015.8在审
发明人： 汤惠淋;宋世金;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于微型热电模块的薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料及器件领域。该方法包括以下步骤：(1)安装金属Cr靶材和金属Ni靶材；(2)打磨衬底，然后清洗打磨后的衬底，得到清洗后的衬底，打磨后的衬底的粗糙度为0.16μm≤Ra≤0.34μm；(3)在清洗后的衬底上，直流磁控溅射生长金属Cr薄膜；(4)在金属Cr薄膜上，直流磁控溅射生长金属Ni薄膜，得到Cr‑Ni复合薄膜。本发明通过对衬底材料打磨清洗后再生长薄膜，能够在直流磁控溅射沉积金属Cr‑Ni复合薄膜中，有效地改善Cr‑Ni复合薄膜的附着力，获得的Cr‑Ni复合薄膜表面光滑、金属光泽度高、组分均一，以及适用于微型热电模块焊接。
一种用于微型热电模块薄膜制备方法

[发明专利]一种快速判别金属薄膜粗糙度的方法-CN202110661647.9在审
发明人： 汤惠淋;宋世金;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速判别金属薄膜粗糙度的方法。所述快速判别方法包括如下步骤：(1)以金属为靶材，玻璃为衬底，在惰性气体下进行直流磁控溅射，得到金属薄膜；(2)测试步骤(1)得到的金属薄膜反面的镜像光泽度，识别粗糙度。本发明通过对金属薄膜反面的镜像光泽度的测试，不仅可以判断金属薄膜在直流磁控溅射沉积过程中的粗糙度，快速的筛选制备的产品是否合格；又可以通过判断在特定直流磁控溅射参数下制备的产品的粗糙度，来进一步来指导优化直流磁控溅射的参数，使制备的金属薄膜具有纯度高、氧化度低以及粗糙度低的特点。且本发明所述方法有利于降低由于金属薄膜表面和内部粗糙度异常导致的产品不良的几率，缩短金属薄膜的质检时间。
一种快速判别金属薄膜粗糙方法

[发明专利]非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法-CN202110509475.3在审
发明人：朱刘;宋世金;狄聚青;刘浩飞;张新勇;苑汇帛;汤惠淋 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本公开提供一种非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法，其外延片结构包括：生长碳化硅衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的低温a面AlGaN层、生长在所述低温a面AlGaN层上的高温非掺杂a面AlGaN层、生长在所述高温非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本公开的碳化硅衬底上非极性AlGaN基紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳，能有效减少位错形成，提高了载流子辐射复合效率，制备出高导热、高导电、高发光性能紫外LED。
极性 algan 紫外 led 外延制备方法

[发明专利]一种声光调制器用铟薄膜的制备方法-CN202110271388.9在审
发明人： 汤惠淋;宋世金;朱刘;马英俊 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种声光调制器用铟薄膜的制备方法，其包括如下步骤：(1)安装In靶材；(2)清洗衬底；(3)通过直流磁控溅射在衬底上生长铟薄膜，生长温度为100～400℃；(4)对铟薄膜进行氢气退火处理。本发明的制备方法，在100～400℃的温度下生长铟薄膜，还对铟薄膜进行氢气退火，由此，不仅可利用高温处理降低铟薄膜的电阻率，使其具有优良的导电性能，还可防止最终获得的铟薄膜被氧化，最终制得表面光滑、金属光泽度高、组分均一、导电性能稳定、以及适用于声光调制器中的铟薄膜。
一种声光调制器用薄膜制备方法

[发明专利]一种GaN基LED外延片及其制备方法-CN202110272272.7在审
发明人：朱刘;宋世金;狄聚青;刘浩飞;张新勇;苑汇帛;汤惠淋 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及LED外延片及其制备方法，具体公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，该外延片包括FTO衬底、在FTO衬底上的GaN种子层、生长在GaN种子层上的GaN纳米柱层、生长在GaN纳米柱层上的非掺杂GaN层、生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜、生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱、生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明采用FTO衬底，FTO衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本；同时，FTO具有导电、透光的特点，可以直接作为n型电极，在LED外延片上制作p型电极，有利于制备垂直结构的LED。
一种 gan led 外延及其制备方法

[发明专利]锡酸镉薄膜的制备方法-CN202110048126.6在审
发明人： 汤惠淋;任丽;朱刘;宋世金 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本公开提供了一种锡酸镉薄膜的制备方法，包括步骤：步骤一，将CTO单靶材安装于靶位上；步骤二，将玻璃衬底置于磁控溅射室的衬底托盘上；步骤三，对腔室抽真空；步骤四，对衬底托盘加热；步骤五，通入氩气，设置腔室压强；步骤六，设定溅射功率和衬底转盘的转速；步骤七，将CTO预溅射10min后，开始正式溅射，得到CTO薄膜。本公开通过磁控溅射单靶溅射，相比采用多靶材溅射，操作简单，从而CTO薄膜的制备得到改善。
锡酸镉薄膜制备方法

[发明专利]一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法-CN202011641556.0在审
发明人： 汤惠淋;宋世金;朱刘;邵学亮 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提出一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法，包括：安装靶材；清洗衬底；通过直流磁控溅射在衬底上生长薄膜；靶材使用中，监测靶材的沟道深度，沟道深度每增加0.1mm，则溅射功率增加0.02‑0.15W/cm2。本发明的使用方法能够获得组分均一、厚度无明显差异、以及透明导电性能稳定的镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜，解决了因靶材沟道加深而导致的同批次薄膜的厚度误差较大的问题，有效提高了靶材的利用率。
一种迁移率 tft 器件用靶材使用方法

[发明专利]薄膜晶体管用薄膜的制备方法-CN202011642912.0在审
发明人： 汤惠淋;宋世金;朱刘;邵学亮 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管用薄膜的制备方法，其包括步骤：步骤一：将掺镨的IGZO靶材安装；步骤二：衬底清洗；步骤三：直流磁控溅射生长镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜，其中，所述的掺镨的IGZO靶材为IGZO靶材远离背板的一侧表面镨掺杂质量浓度的范围为15％～20％，随着靶材深度每增加0.3～0.7mm，镨掺杂浓度增加0.2％～0.6％；掺镨的IGZO靶材的密度≥6.642g/cm3。本公开通过提供一种浓度梯度的靶材，随着溅射沟道的加深，靶材组分梯度的变化，使得溅射获得的薄膜组分均一，透明导电性能稳定。
薄膜晶体管用制备方法

[发明专利]一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法-CN202011033632.X在审
发明人：宋世金;赵炆兼;汤惠淋;王雷;刘浩飞;马金峰 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体外延薄膜及器件技术领域，公开了一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，包括以下步骤：S1、对GaAs基晶圆沿自然解理面进行分割；S2、沿平行于GaAs基晶圆的衬底表面，并与自然解理面法线一侧呈45°方向，观察并测量解理边与GaAs基晶圆上下表面的夹角，记为θ1；S3、若θ1≠90°，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°‑θ1|；S4、若θ1＝90°，则沿平行于GaAs基晶圆衬底表面、与自然解理面法线另一测呈45°方向，观察并测量解理边与晶圆衬底上、下表面的夹角，记为θ2，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°‑θ2|。本发明能够简便、准确、直观的对GaAs基晶圆斜切角度进行表征，并适用于经外延、金属、介电薄膜沉积后的完整器件晶圆。
一种 gaas 基晶圆斜切角度快速表征方法

[发明专利]可调谐激光器芯片-CN202010818345.3在审
发明人：宋世金;汤惠淋;王雷;刘浩飞;朱刘;刘留;苏小平;程勇 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调谐激光器芯片。本发明的可调谐激光器芯片，包括：一光电发射单元，发射激光；一波长调谐单元，与所述光电发射单元电性分隔，调谐所述激光的波长；所述波长调谐单元包括至少一薄膜热电堆，所述薄膜热电堆间相互串联；所述波长调谐单元直接集成在所述光电发射单元中。本发明的可调谐激光器芯片可独立工作并实现波长的调谐，芯片及其封装模块集成度高，调制速率高，调制波长范围大。
调谐激光器芯片

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