专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光模块-CN201610634326.9有效
  • 张强;赵其圣 - 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
  • 2016-08-05 - 2019-01-01 - G02B6/42
  • 本发明提供一种光模块,包括:第一热电制冷器TEC、第一TEC驱动器、第一激光器、第一热敏电阻、第二TEC、第二TEC驱动器、第二激光器、第二热敏电阻、第三TEC以及第三TEC驱动器;第一TEC与第二TEC分别设置在第三TEC上;第三TEC根据第三TEC驱动器的控制进行制冷或制热;第一激光器设置在第一TEC上,第一热敏电阻设置在第一激光器上,第一TEC驱动器与第一TEC连接,第二激光器设置在第二TEC上,第二热敏电阻设置在第二激光器上,第二TEC驱动器与第二TEC连接。
  • 模块
  • [发明专利]一种降低激光器的TEC能耗的方法-CN201210459560.4无效
  • 穆罕默德·阿扎德;蒋旭 - 索尔思光电(成都)有限公司
  • 2012-11-15 - 2013-02-06 - H01S5/024
  • 本发明公开了一种降低激光器的TEC能耗的方法。一种降低激光器的TEC能耗的方法,所述的方法为:设定TEC目标温度;在TEC目标温度的基础上设定TEC温度上下限值;将TEC温度区间内距离激光器温度最近的温度设定为TEC工作温度;当激光器的温度在TEC温度区间之内时,TEC工作温度为激光器的温度,TEC不工作;当激光器的温度高于TEC温度的上限值时,将上限值设置为TEC工作温度,TEC工作,将激光器温度控制在上限温度范围内;同理,当激光器的温度低于TEC温度的下限值时,将下限值设置为TEC工作温度,TEC工作,将激光器温度控制在下限温度范围内;采用该温度控制方法的激光器,可有效地降低激光器的TEC的能耗。
  • 一种降低激光器tec能耗方法
  • [发明专利]一种光模块-CN202011488471.3有效
  • 张晓磊;刘学儒;唐毅 - 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
  • 2020-12-16 - 2023-05-09 - G02B6/42
  • 本申请提供的光模块包括TECTEC包括上基板和电极柱,上基板表面具有导热区域和绝热区域,绝热区域表面设有TEC正极和TEC负极,TEC正极和TEC负极与电极柱的上端电连接,本申请中将原本增加打线立柱方式设置的TEC电极调整为设置在TEC的上基板表面,一方面不需要增加打线立柱,进而不需要额外增加TEC的尺寸;另一方面,将TEC电极设置在上基板表面更容易进行金丝键合,尤其针对深腔结构的光模块。同时,TEC正极和所述TEC负极设置于绝热区域内,可避免TEC上基板热量通过金丝传导至管座或与电路板电极发生热传导。
  • 一种模块
  • [实用新型]一种TEC散热组件及投影装置-CN201520874938.6有效
  • 邓高飞;林伟;李锦清 - 深圳市光峰光电技术有限公司
  • 2015-11-04 - 2016-03-16 - H05K7/20
  • 一种TEC散热组件及投影装置,其中,TEC散热组件包括:TEC制冷模组,所述TEC制冷模组包括TEC制冷芯片,用于固定所述TEC制冷芯片的安装板,及位于TEC制冷芯片发热面一侧、用于冷却所述TEC制冷芯片的冷水板;用于封盖所述TEC制冷模组与热源基板的盖板;安装板表面设有与所述TEC制冷芯片外形相契合、用于所述TEC制冷芯片发热面透过所述安装板与所述冷水板接触的镂空开窗,所述制冷芯片制冷面于所述镂空开窗另一侧贴近需冷却的热源基板本实用新型缩短了TEC制冷芯片与水冷板之间的热传导距离,降低了热阻;避免了TEC制冷芯片制冷面由于冷热不均导致的散热效果差,并有效的延长了设备的使用寿命。
  • 一种tec散热组件投影装置
  • [发明专利]MCU和TEC控制器双向选择实现TEC控制的方法-CN202011478017.X在审
  • 熊伟霖;陈丽;丁征 - 四川华拓光通信股份有限公司
  • 2020-12-15 - 2021-04-06 - G05D23/24
  • 本发明公开了一种MCU和TEC控制器双向选择实现TEC控制的方法,包括可选择性的与TEC连接TEC控制芯片和MCU,所述MCU连接有相配合的热敏电阻;其中,在带TEC功能的长距离光模块中,通过MCU和/或TEC控制器,双向选择地与TEC进行连接,控制TEC的加热或者致冷,进而使激光器工作在稳定温度下。本发明提供一种MCU和TEC控制器双向选择实现TEC控制的方法,采用复合控制方法实现TEC温度锁定,即通过MCU和TEC控制器双向选择实现TEC的温度控制,使得光模块的控制板可以兼容了MCU和TEC控制器配合使用,及MCU独立使用,控制TEC温度的方式,能够灵活选择适用于工业级或者商业级模块应用的配置,具有更私广泛的适应性,物料管控更方便,成本可控。
  • mcutec控制器双向选择实现控制方法
  • [发明专利]一体式焊接散热背夹及电子设备-CN202111133755.5在审
  • 梁志强 - 努比亚技术有限公司
  • 2021-09-27 - 2021-12-31 - H05K7/20
  • 所述一体式焊接散热背夹包括:散热器和半导体制冷器TEC冷源基板;其中:所述散热器,包括散热片、散热片基板和TEC;所述散热片和所述TEC背靠背地安装在所述散热片基板的两面;所述TEC包括TEC冷面和TEC热面,所述TEC热面连接在所述散热片基板的一面上;所述TEC冷源基板,用于安装所述TEC,包括:在所述TEC冷源基板和所述TEC冷面的接触面之间选择其中一个接触面填充焊接材料,再通过回流焊接技术使焊接材料融化将所述TEC冷源基板和所述TEC冷面焊接固定在一起。通过本发明实施例,可以使TEC冷源基板和TEC之间不存在有间隙,极大地降低介面之间的传热阻力,从而快速降低移动终端机身的热量,提升用户体验。
  • 体式焊接散热电子设备
  • [发明专利]一种离心式散热背夹及电子设备-CN202110968409.2在审
  • 梁志强 - 努比亚技术有限公司
  • 2021-08-23 - 2021-11-23 - H05K7/20
  • 所述离心式散热背夹包括:散热器和半导体制冷器TEC冷源基板;其中:所述散热器,包括散热片、散热片基板和TEC;所述散热片和所述TEC背靠背地安装在所述散热片基板的两面;所述TEC包括TEC冷面和TEC热面,所述TEC热面连接在所述散热基板的一面上,所述TEC冷面连接在所述TEC冷源基板上;所述TEC冷源基板,用于安装所述TEC;所述TEC冷源基板通过与移动终端机身接触,将移动终端机身的热量通过所述TEC冷面传递给所述TEC,再通过所述TEC热面传递给所述散热片,通过所述散热片将移动终端机身的热量散发到空气中。
  • 一种离心散热电子设备
  • [实用新型]TEC芯片低温测试组件-CN201921339555.3有效
  • 李雄杰 - 福州中科光芯科技有限公司
  • 2019-08-19 - 2020-03-27 - G01K7/02
  • 本实用新型涉及一种TEC芯片低温测试组件,包括转接板,所述转接板上设置有安装槽,所述安装槽内设置有冷却块,所述冷却块的上侧设置有TEC降温块,所述转接板的上侧设置有封盖在TEC降温块上的TEC芯片吸附台,所述TEC芯片吸附台上设置有用于吸附TEC芯片的吸附机构,TEC芯片吸附台上还设置有用于感应TEC芯片吸附台温度的热电偶。该TEC芯片低温测试组件通过TEC降温块降低吸附台温度并实时监测吸附台温度,达到低温测试的效果。
  • tec芯片低温测试组件
  • [发明专利]一种TEC封装结构及电路结构-CN202311069243.6在审
  • 丁宇鹏;和巍巍;汪之涵 - 深圳基本半导体有限公司
  • 2023-08-24 - 2023-09-15 - H10N19/00
  • 本申请公开了一种TEC封装结构及电路结构,其中封装结构包括第一TEC制冷器,第二TEC制冷器,以及设置在所述第一TEC制冷器和所述第二TEC制冷器之间的导热绝缘层、覆铜区和半导体芯片;所述第一TEC制冷器的制冷侧与所述导热绝缘层相贴合,所述第一TEC制冷器的侧壁设置有TEC制冷端子;所述第二TEC制冷器的制热侧与所述半导体芯片相贴合,所述第二TEC制冷器的制冷侧设置有TEC制热端子;所述覆铜区的顶部设置有信号端子,所述信号端子与所述覆铜区的接触端设置有贴片式热电偶,所述信号端子、所述TEC制冷端子和所述TEC制热端子的另一端均与温度控制单元连接,从而突破了传统液冷散热模式所带来的散热瓶颈,实现了对半导体芯片的精准散热。
  • 一种tec封装结构电路
  • [发明专利]一种电离层TEC异常值提取方法及系统-CN202010128064.5有效
  • 钟佳;邹自明;佟继周 - 中国科学院国家空间科学中心
  • 2020-02-28 - 2022-11-08 - G01V1/00
  • 本发明公开了一种电离层TEC异常值提取方法及系统,所述方法包括:从预先构建的数据集中,选取前27天中同一时刻的TEC值组成一组时间序列数据,构建时滞矩阵,利用主成分分析方法提取27天TEC值的变化趋势,然后利用四分位距法计算参考背景TEC下界值和参考背景TEC上界值;采集当前时间范围内的电离层TEC时间序列数据并进行均值化处理;将均值化处理后的时间序列中的每个TEC值,与计算出的参考背景TEC下界值和参考背景TEC上界值分别进行比较,如果小于参考背景TEC下界值,则该TEC值为负异常值;如果大于参考背景TEC上界值,则该TEC值为正异常值。
  • 一种电离层tec异常提取方法系统

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