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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多晶膜、多晶膜的形成方法、激光晶化装置及半导体装置-CN202080084865.4在审
发明人： 后藤顺;斋藤香织;池上浩 -专利权人：株式会社V技术;国立大学法人九州大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的多晶膜具备多个晶粒沿着膜面方向以相互邻接的方式均匀地配置且在划分相互邻接的一对所述晶粒彼此的晶界面中的所述膜面方向上的两端部配置有非晶体生长区域的结构。根据本发明，能够实现具有表面平坦性并具备均匀且稳定的电特性及高的机械特性的多晶硅薄膜、铝薄膜、铜薄膜等多晶膜、多晶膜的形成方法、用于多晶膜的制造的激光晶化装置、以及具备多晶膜的具有良好的电特性及高耐压特性的半导体装置。
多晶形成方法激光化装半导体装置

[发明专利]激光退火装置和晶化膜的形成方法-CN202080056343.3在审
发明人：小杉纯一;后藤顺;鸟山诚也 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：激光退火装置向成膜在基板上的被退火处理膜照射从光源振荡出的连续振荡激光，使所述被退火处理膜改性为晶化膜，其中，所述激光退火装置具备光束加工部，该光束加工部对所述连续振荡激光进行加工，使其成为收敛的激光束，在所述激光束最为收敛的光斑部位于所述被退火处理膜的膜内部的状态下，该激光束相对于所述被退火处理膜相对地进行扫描。
激光退火装置晶化膜形成方法

[发明专利]激光退火方法、激光退火装置及晶化硅膜基板-CN202080010817.0在审
发明人： 后藤顺;杨映保;水村通伸;盐饱义大 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：进行照射第一激光束来使非晶硅膜变化为微晶硅膜的第一激光束照射和使第二激光束以该微晶硅膜为起点沿着所述规定方向移动而在基板面上横向结晶生长出晶化硅膜的第二激光束照射，在基板面上沿着规定方向交替地形成微晶硅膜和晶化硅膜。
激光退火方法装置晶化硅膜基板

[发明专利]激光退火装置-CN201980076628.0在审
发明人： 后藤顺;泽井卓哉 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：激光退火装置具备：光源部，其具备射出激光束的半导体激光器；均匀化元件，其具有光入射面和与该光入射面对置的光出射面，从半导体激光器直接射出的激光束向光入射面入射，从光出射面射出均匀化了的激光束；以及出射侧成像系统，其将该均匀化元件的光出射面向被处理基板的表面投影。
激光退火装置

[发明专利]触摸显示屏-CN201310309209.1有效
发明人：张炜炽;后藤顺;江冠贤 -专利权人：业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：一种触摸显示屏，包括液晶显示面板以及设置在液晶显示面板之上的触摸结构。所述液晶显示面板包括上玻璃基板、下玻璃基板以及设置在上玻璃基板和下玻璃基板之间的液晶层。所述上玻璃基板邻近液晶层的下表面设置有滤光层。所述触摸结构包括第一透明氧化铟锡薄膜。所述第一透明氧化铟锡薄膜上形成有沟道。所述第一透明氧化铟锡薄膜与滤光层之间设置有光蚀刻阻挡层，用于防止第一透明氧化铟锡薄膜中的沟道延伸至滤光层以及液晶层。由于第一透明氧化铟锡薄膜与滤光层之间设置有光蚀刻阻挡层，当在第一透明氧化铟锡薄膜上设置沟道时，所述沟道将不会延伸至滤光层以及液晶层中，从而避免对液晶显示面板的显示性能造成影响。
触摸显示屏

[发明专利]压入螺杆装置及辊轧成型机-CN201180011870.3有效
发明人：真田辉男;藤川秀树;后藤顺 -专利权人：新日本制铁株式会社;株式会社铁原
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B30B11/00 文献下载
摘要：该压入螺杆装置使俯视时的各旋转驱动轴沿同一直线排列地配置各压入螺杆；各螺杆叶片的铅垂方向下端位置互相相同，并且这些螺杆叶片的螺旋状的盘旋方向在互相相邻的叶片之间是相反方向；将上述各压入螺杆中位于排列方向中央的2根作为中央螺杆，在俯视这些中央螺杆所具有的上述各旋转驱动轴间的部分时，上述各螺杆叶片的旋转方向与原料的供给方向一致。
螺杆装置成型

[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN201110021240.6有效
发明人： 后藤顺;畠山荣祐;安生健二;荻岛义智 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了显示装置及显示装置的制造方法，所述制造方法制造的显示装置具有栅电极膜、第一电极膜及第二电极膜以及导电膜，所述导电膜与第一电极膜连接，由包括第一导电层及与第一导电层重叠而形成的第二导电层的导电层构成。所述显示装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：形成第一电极膜和第二电极膜的电极膜形成工序；形成导电层使其与第一电极膜及第二电极膜连接的导电层形成工序；从导电层中除去规定区域以外的部分由此形成导电膜的导电膜形成工序，导电层形成工序包括：在第一电极膜及第二电极膜的上面分别形成第一导电层的第一导电层形成工序；和在第一导电层的上面形成第二导电层的第二导电层形成工序。
显示装置制造方法

[发明专利]显示装置-CN201010169297.6有效
发明人： 后藤顺;中山贵德 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：提供一种显示装置，无需减少从母TFT衬底取得TFT衬底的片数且无需增大各TFT衬底的外形，就可以进行TFT衬底的状态下的检查。在驱动液晶显示装置的端子的外侧形成检查用端子(101)，在配置在该TFT衬底(100)下侧的TFT衬底(100)上形成检查用布线(102)。由于形成了检查用布线(102)的区域是在下侧的TFT衬底(100)的端部与显示区域(10)之间形成了密封部件等的空间，所以不会实质上增大TFT衬底(100)。另外，由于不用另行形成检查布线区域(110)并废弃该部分，所以不会减少可以从一片母TFT衬底取得的TFT衬底(100)的片数。
显示装置

[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN200510069975.0有效
发明人：栗田诚;后藤顺 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供一种不增加成膜装置的成本，就能防止由透明导电膜的电池反应所引起的劣化的显示装置。所述显示装置包括：由以氧化铟为主要成分的透明导电膜形成的第1导电层、形成在上述第1导电层的上面的导电性的基底层、由以Al为主要成分的膜形成在上述基底层的上面的第2导电层、以及由与上述第2导电层相同的材料形成在上述第2导电层的上面的第3导电层。在上述第2导电层和上述第3导电层之间的界面上，晶界的位置不连续。另外，上述基底层，是以Mo、Ti、Ta中的任意一个为主要成分的膜。上述第3导电层，被用作反射电极。
显示装置制造方法

[发明专利]多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板-CN200510000501.0无效
发明人：武田一男;佐藤健史;后藤顺;斋藤雅和;武藤大祐 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2005-01-07 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板，通过一边对非晶半导体膜扫描激光光束一边照射来进行结晶化，从而防止形成多晶半导体膜时的照射光束内强度的突起分布的发生。在用于使进行照射的激光光束(13)内的光强度分布均匀的光学系统(5)～(8)中，设置将成为狗耳(16)的发生原因的由透镜边界产生的衍射光(17、18)除去的除去狗耳用滤光器(15)。由此，通过除去狗耳分布，不需要使激光光束(13)的光强度分布模糊，就能维持高能量效率的分布，提高处理能力。
多晶半导体制造方法及其装置图像显示面板

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200410058669.2有效
发明人：山口裕功;尾形洁;田村太久夫;后藤顺;斋藤雅和;武田一男 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-07-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置及其制造方法。测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚，将激光照射到该非晶质硅膜，然后，测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布，根据多晶硅膜的2个点A、B的粒径的测定值，计算出适当的激光照射能量密度值，然后，测量下一非晶质硅膜的平均膜厚，根据该平均膜厚与1个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值，将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样，通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量，从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅，结果，可在大面积形成多晶硅TFT。
显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用-CN200410059047.1有效
发明人：武田一男;佐藤健史;斋藤雅和;后藤顺 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。
半导体薄膜及其改性方法评价应用

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200410000160.2有效
发明人：原野雄一;后藤顺;金子寿辉;山本昌直 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-01-08 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，目的在于防止在把铝系导电层用做与低温多晶硅接触的源极·漏极电极时的加热工序中铝元素向多晶硅层的扩散，并避免显示不良的发生。在本发明的显示装置中，把铝系导电层用做源极·漏极电极，在该铝系导电层和多晶硅层之间设置钼或钼合金层的阻挡层。在构成阻挡层的钼或钼合金层的表面上，设置在氮气氛下进行高速热处理(高速热退火)所形成的氮氧化钼膜。
显示装置及其制造方法

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