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[发明专利]半导体装置-CN200710180904.7无效
发明人：池上浩;中田錬平;依田孝;早坂伸夫;久恒善美 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-09-07 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C－H键和C－C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30％以上。
半导体装置

[发明专利]挤压件-CN200610131830.3有效
发明人：竹腰清;保坂久富;荻原顺一;初鹿国彦;臼井孝公;金子尚史;早坂伸夫;井户义幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社;IBIDEN股份有限公司
申请日： 2002-11-27 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种挤压件，其具备接触器、晶片固定装置以及存放在该晶片固定装置上的半导体晶片(W)，该接触器具有耐热片基以及在该耐热片基上形成的导体电路，被用来在不低于160℃的温度下执行可靠性评估测试，该耐热片基的热膨胀系数为1～50ppm/℃，在使该接触器的连接衬垫部分和半导体晶片的电极衬垫完全接触的状态下，将该晶片固定装置、该半导体晶片及该接触器组合成一体。
挤压

[发明专利]电子装置的制造系统-CN200610138995.3无效
发明人：伊藤信一;东木达彦;池上浩;早坂伸夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-07 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括：发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。
电子装置制造系统

[发明专利]基片的电镀装置和电镀方法以及电解处理方法及其装置-CN200410102211.2无效
发明人：国泽淳次;小田垣美津子;牧野夏木;三岛浩二;中村宪二;井上裕章;木村宪雄;松田哲朗;金子尚史;早坂伸夫;奥村胜弥;辻村学;森田敏行 -专利权人：株式会社荏原制作所;株式会社东芝
申请日： 2000-12-25 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
电镀装置方法以及电解处理及其

[发明专利]层叠型半导体器件-CN200410094613.2有效
发明人：松尾美惠;早坂伸夫;有门经敏;石内秀美;作井康司;田洼知章 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种层叠型半导体器件，由至少三个分别包含半导体集成电路芯片且具有规格的半导体集成电路器件层叠而形成，其中：上述半导体集成电路器件中，至少两个的除尺寸以外的上述规格的数值不同，且最下层的或最上层的半导体集成电路器件的除尺寸以外的规格的数值为最小或最大。
层叠半导体器件

[发明专利]可靠性评估测试装置、可靠性评估测试系统、接触器以及可靠性评估测试方法-CN02821110.3无效
发明人：竹腰清;保坂久富;荻原顺一;初鹿国彦;臼井孝公;金子尚史;早坂伸夫;井户义幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社;株式会社东芝;IBIDEN股份有限公司
申请日： 2002-11-27 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。
可靠性评估测试装置系统接触器以及方法

[发明专利]电子装置的制造系统-CN02119009.7无效
发明人：伊藤信一;东木达彦;池上浩;早坂伸夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-07 - 公布日： 2002-10-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。
电子装置制造系统

[发明专利]层叠型半导体器件-CN01140933.9有效
发明人：松尾美惠;早坂伸夫;有门经敏;石内秀美;作井康司;田洼知章 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2002-05-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种层叠型半导体器件,由包含半导体集成电路芯片且具有规格的多个半导体集成电路器件层叠而成,其中上述半导体集成电路器件中的至少三个以上的预定的半导体集成电路器件按上述规格的值的大小的顺序进行层叠。
层叠半导体器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN01140937.1无效
发明人：宫岛秀史;山田展英;早坂伸夫;仓嶋延行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2002-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]基片的电镀装置和电镀方法以及电解处理方法及其装置-CN00804253.5无效
发明人：国泽淳次;小田垣美津子;牧野夏木;三岛浩二;中村宪二;井上裕章;木村宪雄;松田哲朗;金子尚史;早坂伸夫;奥村胜弥;辻村学;森田敏行 -专利权人：株式会社荏原制作所;株式会社东芝
申请日： 2000-12-25 - 公布日： 2002-03-20 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
电镀装置方法以及电解处理及其

[发明专利]半导体基片处理装置及处理方法-CN00804252.7无效
发明人：木村宪雄;三岛浩二;国泽淳次;小田垣美津子;牧野夏木;辻村学;井上裕章;中村宪二;松本守治;松田哲郎;金子尚史;森田敏行;早坂伸夫;奥村胜弥 -专利权人：株式会社荏原制作所;东芝株式会社
申请日： 2000-12-25 - 公布日： 2002-03-20 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。
半导体处理装置方法

[发明专利]成膜装置-CN01119694.7无效
发明人：池上浩;早坂伸夫;伊藤信一;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-03-26 - 公布日： 2001-12-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种成膜装置,备有药液喷出喷嘴,对被处理衬底连续地喷出药液;气体喷出部,配置在该药液喷嘴下方,对从该喷嘴喷出的药液吹气,通过该气体的压力使药液的轨迹改变;药液回收部,相对于喷出的药液与所述气体喷出部相隔配置,回收由该喷出部使轨迹改变的药液;和移动部,使所述液体喷出喷嘴和所述被处理衬底相对移动。所述气体喷出部备有激光振荡器,使激光振荡;和气体发生膜,由所述振荡器照射的激光加热气化产生所述气体。
装置

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