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- [发明专利]半导体晶片加工装置-CN200910179458.7无效
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津野贵彦
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株式会社迪思科
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2009-10-13
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2010-06-16
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H01L21/00
- 一种半导体晶片加工装置,其能缩短晶片的搬出时间,并能防止半导体晶片在半导体晶片搬出时破损。半导体晶片加工装置包括:收纳半导体晶片的盒;载置盒的盒载置台;和将收纳在盒内的半导体晶片搬入和搬出的搬送装置,其中,盒具有开口部和多个晶片收纳部,晶片收纳部以半导体晶片的表面和背面处于大致水平方向的朝向收纳一块半导体晶片,开口部与将半导体晶片相对于盒搬入和搬出的搬送装置对置,半导体晶片加工装置还包括:摄像装置,其与开口部对置地配设,用于对盒的多个晶片收纳部进行拍摄;移动装置,其使盒载置台和摄像装置在垂直方向上相对移动;判断装置,其对利用摄像装置拍摄到的摄像图像进行解析,来判断半导体晶片的收纳状态;和存储装置,其存储利用判断装置判断出的判断结果。
- 半导体晶片加工装置
- [发明专利]气相生长装置-CN02829134.4有效
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清水英一;牧野修仁
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株式会社日矿材料
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2002-10-16
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2005-06-22
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H01L21/205
- 本发明提供一种气相生长装置,至少备有:可密闭的反应炉、设置在该反应炉内并用于将晶片配置在规定位置上的晶片收纳部、用于向晶片供给原料气体的气体供给机构、用于加热前述晶片的加热机构,在前述反应炉内,通过利用前述加热机构经由前述晶片收纳部加热晶片、并且在高温状态下供给原料气体,来在前述晶片的表面上形成生长膜,在前述晶片收纳部由单一的原材料或者部件构成的情况下,从前述晶片收纳体的内面朝向前述晶片的表面的热传递路径中的热阻R1与从前述晶片收纳体的内面朝向前述晶片收纳体的表面的热传递路径中的热阻R2之比R2/R1为0.4以上、1.0以下。
- 相生装置
- [发明专利]探测装置和晶片装载器-CN201410060208.2无效
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秋山收司;雨宫浩
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东京毅力科创株式会社
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2014-02-21
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2014-08-27
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H01L21/66
- 本发明提供一种探测装置和晶片装载器。其能够使晶片收纳容器的载置高度应对由搬运机械手进行的自动搬运,且能够与大型的测试头等对应。进行形成于半导体晶片的半导体器件的电检查的探测装置,具备探测器部,其具有载置台、驱动载置台使其上所载置的半导体晶片的半导体器件与探测器接触的载置台驱动机构、容纳载置台和载置台驱动机构的探测器壳体;和晶片装载器,其具备装载器壳体、载置晶片收纳容器的收纳容器载置部、使该收纳容器载置部移动至装载器壳体外的第一位置和在装载器壳体内比第一位置低的第二位置的收纳容器载置部驱动机构、容纳于装载器壳体内且能够在晶片收纳容器与载置台之间搬运半导体晶片的晶片搬运机构
- 探测装置晶片装载
- [发明专利]基板搬送处理装置-CN200710101348.X有效
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田上光广;榎木田卓
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东京毅力科创株式会社
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2007-04-19
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2007-10-24
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H01L21/677
- 本发明提供一种尽可能缩小基板收纳部的基板的收纳空间,以实现装置的小型化、增大基板的收纳数量,并且提高生产率的基板搬送处理装置。该基板搬送处理装置包括:配置收容晶片的载体的载体块;具有晶片的处理单元的处理块;将晶片交接至处理单元的主臂;配置在载体块和处理块之间,能够收纳晶片的架单元;以及将晶片交接至架单元的交接臂。架单元具有能够从主臂与交接臂交叉的两个方向进行晶片交接的开口部,并且,将支撑晶片的多个载置架相互隔开间隔而叠层,将主臂和交接臂形成为以在截面方向上与载置架的厚度重叠的位置关系相对于基板收纳部进退。
- 基板搬送处理装置
- [发明专利]晶片收纳方法-CN201310096181.8在审
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中村胜
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株式会社迪思科
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2013-03-25
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2013-10-23
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H01L21/677
- 本发明提供一种晶片收纳方法,在将沿着分割预定线在内部形成有改性层的晶片收纳到盒中并进行搬送时,避免了晶片破裂。在将沿着交叉的分割预定线(L)形成有改性层(8)的晶片收纳到盒(9)中时,通过以分割预定线(L)的方向与支撑搁板(92)交叉的方式收纳晶片(W),来避免晶片(W)的自重集中到分割预定线(L),防止晶片(W)在盒(9)的搬送中等破裂,该盒(9)至少具有:开口部(90),其容许晶片的进出;一对侧壁(91),其设置于该开口部(90)的两侧部;以及支撑搁板(92),其对置地形成于一对侧壁(91)的内侧的面,且从开口部
- 晶片收纳方法
- [发明专利]气相生长装置以及气相生长方法-CN02829135.2有效
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清水英一;牧野修仁
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株式会社日矿材料
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2002-10-10
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2005-06-15
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H01L21/205
- 本发明提供一种气相生长装置以及气相生长方法,所述气相生长装置至少备有:可密闭的反应炉、设置在该反应炉内并用于将晶片配置在规定位置上的晶片收纳体、用于向晶片供给原料气体的气体供给机构、用于加热前述晶片的加热机构,在前述反应炉内,通过利用前述加热机构经由前述晶片收纳体加热晶片、并且在高温状态下供给原料气体,在前述晶片的表面上形成生长膜,前述晶片收纳体包括:形成有用于收纳前述晶片的空部的热流控制部、与该热流控制部接合并用于将热量传递到收纳在前述空部中的晶片的热流传导部使前述热流控制部和前述热流传导部的接触热阻为1.0×10-6m2K/W以上、5.0×10-3m2K/W以下,并且用具有配置在前述热流传导部上的晶片的热传导率的
- 相生装置以及方法
- [发明专利]晶片装载皿-CN201480074104.5在审
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安德利斯·里查;安德利斯·凯勒
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山特森光伏AG
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2014-12-19
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2016-10-12
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H01L21/673
- 本发明提供一种用于收纳晶片的晶片装载皿及用于处理半导体晶片的设备。晶片装载皿包括:由石英制成的至少两个细长收纳元件,每一收纳元件具有多个平行收纳槽,收纳槽横切于收纳元件的纵向延伸而延伸;以及两个端板,收纳元件配置并附接于两个端板之间,使得收纳元件的收纳槽彼此对准。为增加晶片装载皿的稳定性,晶片装载皿包括多个附接零件,收纳元件经由附接零件附接至端板,其中每一附接零件的圆周为包括接收槽的收纳元件的收纳区段的圆周的至少1.5倍,且其中每一附接零件经焊接或接合至以下各物中的至少一个:端板及收纳元件。在可与以上实施例组合的另外实施例中,收纳元件各自具有邻近于端板的至少一个松弛槽、较佳具有至少两个松弛槽,所述松弛槽的深度小于收纳槽的深度,其中当提供至少两个松弛槽时,松弛槽的深度随距端板的距离增加而增加
- 晶片装载
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