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[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据储存系统-CN202310082481.4在审
发明人：申秀斌;金相元;金知勇;宋炫周;任霞彬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：具有栅电极和层间绝缘层的堆叠结构，该堆叠结构具有单元区域和台阶区域，并且栅电极在第一方向上延伸以在台阶区域中具有台阶形状；在单元区域中穿过堆叠结构的沟道结构；穿过堆叠结构并在第一方向上延伸的分离结构；以及在台阶区域中在分离结构之间并穿过堆叠结构的支撑结构。台阶区域包括第一区域和第二区域，第一区域在第一方向上比第二区域更靠近单元区域，支撑结构包括分别穿过第一区域和第二区域中的堆叠结构的第一支撑结构和第二支撑结构，第一支撑结构的最大宽度大于第二支撑结构的最大宽度。
半导体器件包括数据储存系统

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的电子系统-CN202210939227.7在审
发明人：洪昇辉;金相元;金知勇;申秀斌;任霞彬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括：外围电路结构，其可包括位于半导体衬底上的外围电路和外围电路线；半导体层，其包括单元阵列区和连接区，并且位于外围电路结构上；堆叠件，其包括堆叠在半导体层上的电极，并且在连接区上具有阶梯结构；以及平面化绝缘层，其覆盖堆叠件；竖直结构，其位于单元阵列区上，穿通堆叠件，并且包括数据存储图案；坝组，其包括连接区上的绝缘坝，并且穿通堆叠件；穿通插塞，其穿通绝缘坝，并且连接至对应的外围电路线；坝组包括距离单元阵列区最远的第一绝缘坝，第一绝缘坝包括间隔开的第一侧壁部分和第二侧壁部分，第一绝缘坝的第二侧壁部分的上厚度与下厚度之间的差大于第一侧壁部分的上厚度与下厚度的之间的差。
半导体装置包括电子系统

[发明专利]包括氮化物间隔件的半导体装置-CN202210286849.4在审
发明人： 金知勇;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了包括氮化物间隔件的半导体装置。所述半导体装置包括：基底；电极结构，设置在基底上同时沿第一方向延伸，电极结构包括沿第二方向堆叠的多个电极，第二方向是基底的垂直方向；位线，设置在电极结构上；垂直结构，沿第二方向延伸穿过电极结构并与基底接触，垂直结构中的每个包括电连接到位线的垂直半导体图案和围绕垂直半导体图案的侧壁的数据存储图案；共源极塞，在垂直结构设置在共源极塞之间的条件下沿第二方向延伸穿过电极结构并与基底接触；以及间隔件，分别设置为围绕共源极塞的侧壁，间隔件中的每个包括分别具有不同氮化物(N)浓度的区域。
包括氮化物间隔半导体装置

[发明专利]贯穿过孔结构和包括该贯穿过孔结构的半导体装置-CN202111150853.X在审
发明人： 金知勇;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：提供了贯穿过孔结构以及包括该贯穿过孔结构的半导体装置。该贯穿过孔结构包括贯穿过孔和盖图案。贯穿过孔包括在竖直方向上延伸的金属图案以及在金属图案的侧壁和下表面上的阻挡图案。盖图案接触贯穿过孔的上表面。盖图案的边缘部分的最下表面不高于盖图案的中心部分的最下表面。
贯穿结构包括半导体装置

[发明专利]集成电路装置和包括其的电子系统-CN202210140881.1在审
发明人： 金知勇;李呈焕;朴焕悦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：提供了一种集成电路装置和电子系统。所述集成电路装置包括：半导体衬底，其具有单元区和位于单元区外部的虚设区；多个栅电极和多个绝缘层，它们位于单元区中，在平行于半导体衬底的主表面的第一方向和第二方向上延伸，并且在垂直于半导体衬底的主表面的第三方向上交替地堆叠，第一方向和第二方向彼此交叉；以及多个虚设模制层和多个虚设绝缘层，它们在虚设区中在第三方向上交替地堆叠，其中，多个虚设模制层中的上虚设模制层的碳浓度小于多个虚设模制层中的下虚设模制层的碳浓度，下虚设模制层在上虚设模制层与半导体衬底的主表面之间。
集成电路装置包括电子系统

[发明专利]水识别系统、包括该系统的电子设备和由此识别水的方法-CN201810737217.9有效
发明人：朴世棕;崔贤弟;金济国;金知勇;金泰贞;裵俊汉;吴亨锡;李钟杏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01V3/00 文献下载
摘要：一种电子设备包括：连接器，其连接到所述电子设备外部的电缆并包括多个引脚；第一水检测电路，其连接到所述多个引脚中的至少一个第一引脚并且通过基于所述至少一个第一引脚的电阻检测所述连接器中是否存在水来生成第一检测结果；以及第二水检测电路，其连接到所述多个引脚中的至少一个第二引脚，在所述第一检测结果指示水的所述存在时进入水检测模式，并且基于所述至少一个第二引脚的电阻检测所述连接器中是否存在水。
识别系统包括电子设备由此方法

[发明专利]半导体器件以及包括半导体器件的电子系统-CN202110563451.6在审
发明人： 金知勇;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；多个栅极线，在衬底的存储单元区域中在竖直方向上彼此竖直地重叠，每个栅极线包括第一金属；阶梯状连接单元，在连接区域中，该阶梯状连接单元包括多个导电焊盘区域，每个导电焊盘区域包括第一金属并且一体地连接到多个栅极线中的相应栅极线；多个接触结构，与阶梯状连接单元竖直地重叠，每个接触结构连接到多个导电焊盘区域中的分别对应的导电焊盘区域并且包括第二金属；以及至少一个金属硅化物层，在至少一个接触结构与分别对应的导电焊盘区域之间。
半导体器件以及包括电子系统

[发明专利]使用蚀刻停止层的存储器装置-CN201710804253.8有效
发明人：李正吉;金知勇;李呈焕;边大锡;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
使用蚀刻停止存储器装置

[发明专利]垂直存储器件-CN201610133440.3有效
发明人：黄盛珉;金知勇;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：多个栅电极，分别在多个水平处，在基本垂直于基板的顶表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，在基板上在垂直方向上延伸并穿过栅电极；和多个第一接触插塞，在垂直方向上延伸并分别接触栅电极。至少一个第二接触插塞形成在该多个栅电极当中的第一栅电极上，并在垂直方向上延伸。
垂直存储器件

[发明专利]半导体器件-CN201811450312.7在审
发明人： 金知勇;李呈焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：包括凹槽的衬底，所述凹槽位于隔离区域下方并且具有包括多个阶梯部分的侧部；多个栅极电极，在所述衬底上彼此间隔开，并且在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠；沟道结构，在第一组多个栅极电极之间穿过；以及隔离区域，在第二组多个栅极电极之间穿过，所述隔离区域从衬底的上表面延伸并具有倾斜的侧向表面。
衬底隔离区域栅极电极半导体器件上表面穿过侧向表面沟道结构堆叠垂直延伸

[发明专利]三维半导体器件-CN201810865994.1在审
发明人：李呈焕;金知勇;尹石重;李知泫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：栅电极，其包括焊盘区域，所述焊盘区域沿第一方向依次降低第一阶梯部分并且沿垂直于所述第一方向的第二方向依次降低第二阶梯部分，所述第二阶梯部分低于所述第一阶梯部分，其中，在依次降低所述第二阶梯部分的焊盘区域之中的单个焊盘区域沿所述第二方向的长度小于所述焊盘区域中的剩余焊盘区域沿所述第二方向的长度。
焊盘区域三维半导体器件栅电极垂直

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