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[发明专利]一种紫外LED倒装芯片-CN201710359384.X有效
发明人：何苗;杨思攀;熊德平;王成民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层，使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道，从而避免芯片遭受静电的危害；另外，反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线，有效提高芯片的出光率；透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积，获得更好的散热效果；最后，本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层，加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。
一种紫外 led 倒装芯片

[发明专利]一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构-CN201710102793.1有效
发明人：何苗;杨思攀;熊德平;王成民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，主要包括LED芯片、矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、反射杯、微型PCB基板、铜层、导电导热胶层和焊盘；所述PCB基板包括上表层、中间层和下表层，所述基板上表层的中部设有一凹槽，所述凹槽内由下往上依次设有第二铜层、SiC层和第二导热胶层。本发明通过改进基板各层顺序及层间结构以获得更好的透光和散热效果，同时最大程度避免光晕现象。本发明还在基板两端处设置电极条，同时对微型PCB基板的结构进行改进，以帮助芯片将热量散发出去，以及在上表层与下表层之间设有填充铜的实心散热孔，均加快了热量的流失。本发明还具有结构合理、对工艺的要求低、容易生产、良品率高、出光率高的优点。
一种大功率紫外 led 芯片共晶焊倒装结构

[发明专利]一种倒装HV-LED光源及其制备方法-CN201710565522.X有效
发明人：何苗;王成民;熊德平;杨思攀;黄波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装HV‑LED光源及其制备方法，其中，所述倒装HV‑LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV‑LED光源中的HV‑LED芯片的反光面，提升了HV‑LED芯片的光源利用率，从而提升了所述倒装HV‑LED光源的出光效率；另外，所述倒装HV‑LED光源中的封装层与所述基板表面所成角度为预设角度，为所述HV‑LED芯片提供了一个反光杯结构，使得所述HV‑LED芯片的出射光线在其出射光路上能够被该反光杯结构反射向所述倒装HV‑LED光源的出光面，从而进一步增强所述倒装HV‑LED芯片的出光效率。
一种倒装 hv led 光源及其制备方法

[发明专利]一种紫外LED芯片及其制备方法-CN201710640094.2有效
发明人：何苗;杨思攀;王成民;王润;周海亮 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构，以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层，进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构，通过凹槽接触层将第一外延结构的N型氮化镓铝层引出，并且紫外LED芯片通过基板上的N电极、P电极和中间电极配合第一外延结构和第二外延结构分别形成了发光二极管和静电保护二极管，该静电保护二极管反向并联连接在发光二极管两端，为紫外LED芯片提供了一条静电释放的通道，减小了静电放电对紫外LED芯片的直接危害，增大了LED的正向电压和抗静电放电打击的强度，从而提高了紫外LED芯片的成品率和可靠性。
一种紫外 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种基于二元闪耀亚波长光栅的、垂直耦合的光栅耦合器及制备方法-CN202111242481.3有效
发明人： 杨思攀;程秀兰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二元闪耀亚波长光栅的、垂直耦合的光栅耦合器，自上而下的功能层、键合层和衬底层。功能层为脊型结构，包括输入/出光耦合器、光子波导器件区域。输入与输出光耦合器呈对称设置，内均设有周期性排布的二元亚波长闪耀光栅阵列，每个周期中设置有一个不同宽度的主级和次级亚波长光栅，相邻亚波长光栅之间形成宽度不一的间隔槽，最后一个次级亚波长光栅与中间的光波导区域相临近。本发明在降低器件设计复杂度的同时优化设计出一种基于二元闪耀亚波长光栅的光栅耦合器，以实现最大的光耦合效率，垂直耦合还极大地方便了器件的测试和后期芯片的封装。本发明所设计的光子器件结构较紧凑、制备工艺简单、可重复性好。
一种基于二元闪耀波长光栅垂直耦合耦合器制备方法

[发明专利]集成有底部反射层的、垂直耦合的二元闪耀亚波长光栅耦合器及制备方法-CN202210160444.6在审
发明人：程秀兰;杨思攀;权雪玲;乌李英;瞿敏妮;王英;李雅倩 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成有底部反射层的、垂直耦合的二元闪耀亚波长光栅耦合器，自上而下的薄膜功能层、键合层、底部反射层和衬底层。功能层为脊型结构，包括输入/出光栅耦合器、光子波导器件区域。输入/出光栅耦合器呈对称分布内设置有周期性排布的二元闪耀亚波长结构的光栅阵列，每个周期中设置有一个不同宽度的主级和次级亚波长光栅，相邻亚波长光栅之间形成宽度不一的间隔槽，最后一个次级亚波长光栅与中间的光波导区域相临近。降低器件复杂度的同时优化设计以实现最大光耦合效率，额外设置了底部反射层来防止光线向底部泄露，光纤和光栅之间所采用的完全垂直耦合方式还便于器件的测试和芯片的封装，结构较紧凑、制备工艺简单、可重复性好。
集成底部反射层垂直耦合二元闪耀波长光栅耦合器制备方法

[发明专利]一种深紫外LED外延芯片正装结构-CN201811614645.9有效
发明人：何苗;杨思攀;王成民;王润;周海亮 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。
一种深紫 led 外延芯片结构

[发明专利]一种LED倒装结构-CN201610958505.8有效
发明人：何苗;杨思攀;熊德平;周俊楠 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED倒装结构，LED芯片上均匀涂覆矽胶，矽胶表面上再涂有荧光胶；所述荧光胶上表面设有透镜，所述透镜上表面设有减反膜，所述减反膜上表面还设有封装胶层。所述矽胶、荧光胶均依次填充在绝缘反射杯内，所述绝缘反射杯外侧设有金属反射杯，所述金属反射杯外侧还设有光吸收层；所述封装胶层填充在反射杯、透镜和光吸收层之间。位于最底层的蓝宝石衬底预处理形成一种倒T型结构，在倒T型结构上表面生长一层陶瓷薄膜外延片，接着在两端凹槽处上表面再生长一层耐高温导电薄膜，倒T型结构的凸台均匀涂覆一定厚度的导热胶。本发明能够避免产生光晕效应，并具有增加出光质量、散热性能优异、封装尺寸小、光学更容易匹配的优点。
一种 led 倒装结构

[实用新型]一种LED外延芯片-CN201820850638.8有效
发明人：何苗;杨思攀;王润;赵韦人 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED外延芯片，该LED外延芯片中主要用于发光的功能层包括多个柱状的发光单元，在多个发光单元之间形成有空气间隙。当发光单元发射出光线时，该光线会在发光单元与空气间隙这两种界面之间发生散射效应，从而增加LED外延芯片的出光率；同时由于空气间隙的存在，发光单元所产生的热量会通过空气间隙极快的传递出LED外延芯片，从而增加LED外延芯片的散热效果。
发光单元空气间隙本实用新型散热效果散射效应出光率功能层柱状发光传递发射

[实用新型]一种紫外LED垂直结构芯片-CN201821048062.X有效
发明人：何苗;杨思攀;王润;赵韦人 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外LED垂直结构芯片，包括：第一衬底；位于第一衬底一表面的发光外延层，发光外延层包括：位于第一衬底表面的N型外延层，位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层；位于发光外延层背离第一衬底一侧的反射层；位于第一衬底背离发光外延层一侧的N型电极结构，及位于反射层背离第一衬底一侧的P型电极结构。相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通，进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应，增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果，提高了紫外LED芯片的性能。
衬底发光外延层背离柱状垂直结构芯片紫外LED芯片紫外LED 反射层多量子阱有源层本实用新型电子阻挡层衬底表面出光效率光线散射散热效果外界空气全反射相邻柱垂直贯通

[实用新型]一种深紫外LED外延芯片封装结构-CN201820707357.7有效
发明人：何苗;杨思攀;王成民;王润;周海亮 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种深紫外LED外延芯片封装结构包括穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到重掺杂N型AlGaN层的第一凹槽和穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到电流扩展层的第二凹槽，第一凹槽内、第二凹槽内设置有底部的第一金属层、第二金属层，侧壁的第一隔离层、第二隔离层，及填充的N型内部金属接触层和P型内部金属接触层，与设置在台面的N型电极和P型电极连接。通过在芯片内部刻蚀形成凹槽，减小了对发光区域的刻蚀以及损害，增大了有效发光面积；凹槽的设置增加了外延层内部的电流路径，起到了分流的作用，金属层以及内部金属接触层的设置缩短了传热路径，降低了热阻，提高了散热效率。
金属接触层导电薄膜接触钝化绝缘层深紫外LED 封装结构外延芯片隔离层刻蚀穿过有效发光面积本实用新型第二金属层第一金属层电流扩展层传热路径电流路径发光区域散热效率金属层外延层重掺杂侧壁减小热阻填充芯片分流损害

[实用新型]一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构-CN201821048045.6有效
发明人：何苗;杨思攀;王润;赵韦人 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构，发光外延层包括位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层，其中，相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通，进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应，增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果，提高了紫外LED芯片的性能。此外，由于第二衬底的设置，使得更加容易将第二衬底和P型电极结构的剥离去除，而便于剩余发光结构转移连接至其他器件结构中。
衬底柱状紫外LED芯片垂直芯片封装结构紫外LED 多量子阱有源层本实用新型电子阻挡层发光外延层出光效率发光结构光线散射器件结构散热效果外界空气全反射相邻柱去除剥离背离垂直贯通

[实用新型]一种紫外LED垂直芯片结构-CN201820157154.5有效
发明人：何苗;杨思攀;王润;赵韦人 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型属于紫外LED领域，尤其涉及一种紫外LED垂直芯片结构。本实用新型提供了一种紫外LED垂直芯片结构，包括：依次设置的n型电极、第一衬底、第一外延层和p型电极；所述第一外延层包括依次叠加的缓冲及成核层、AlN/AlGaN超晶格和n型AlGaN层；所述缓冲及成核层与所述第一衬底叠加；所述缓冲及成核层为异质结构的BN层；所述第一衬底为微型纳米图形化蓝宝石衬底。本实用新型通过在微型纳米图形化蓝宝石衬底的表面上叠加了异质结构的BN层，BN材料熔点高、热稳定性好，最大限度地从根源上提高了紫外LED外延层结构中的材料质量以及晶体横向生长的速率、降低了位错密度、有效地缓解了异质衬底与外延层的应力。
衬底紫外LED 本实用新型垂直芯片成核层外延层缓冲纳米图形化异质结构蓝宝石叠加外延层结构材料熔点晶体横向热稳定性依次叠加依次设置超晶格有效地位错异质生长缓解

[实用新型]一种同侧结构的深紫外LED外延结构-CN201820710141.6有效
发明人：何苗;杨思攀;赵韦人;王成民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同侧结构的深紫外LED外延结构包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底上表面的LED外延主体和另一侧的静电保护二极管主体，静电保护二极管主体与LED外延主体反向并联，LED外延主体的第一P型电极、第一N型电极及静电保护二极管主体的第二P型电极、第二N型电极设置所在层的同侧，第一P型电极与第二N型电极连接，第一N型电极与静电保护二极管主体的第二P型电极连接，还包括设置在LED外延主体和静电保护二极管主体的台面、侧壁的钝化层。通过反向并联静电保护二极管，减小了静电放电、脉冲电流和浪涌电压等危害对LED芯片的直接冲击影响，提高了LED的可靠性。
静电保护二极管同侧深紫外LED 反向并联外延结构蓝宝石本实用新型衬底上表面静电放电浪涌电压脉冲电流钝化层台面侧壁衬底减小

[发明专利]一种LED外延芯片及一种LED外延芯片的制备方法-CN201810556173.X在审
发明人：何苗;杨思攀;王润;赵韦人 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延芯片，该LED外延芯片中主要用于发光的功能层包括多个柱状的发光单元，在多个发光单元之间形成有空气间隙。当发光单元发射出光线时，该光线会在发光单元与空气间隙这两种界面之间发生散射效应，从而增加LED外延芯片的出光率；同时由于空气间隙的存在，发光单元所产生的热量会通过空气间隙极快的传递出LED外延芯片，从而增加LED外延芯片的散热效果。本发明所提供的一种LED外延芯片的制备方法，该方法制备的LED外延芯片同样具有上述有益效果。
发光单元空气间隙制备散热效果散射效应出光率功能层柱状发光发射传递

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