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[实用新型]LED磊晶片结构-CN202120636445.4有效
发明人：谷鹏军;杨顺贵;林雅雯 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED磊晶片结构，其中，上述结构包括：多量子阱MQW有源层；所述多量子阱MQW有源层包括前多量子阱MQW有源层和后多量子阱MQW有源层，所述前多量子阱MQW有源层和所述后多量子阱MQW有源层中均具有交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述后多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度均大于所述前多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度。采用上述技术方案，解决了相关技术中，没有被限制在有源层的电子会在有源层之外发生复合发光，降低有源层电子与空穴的复合几率等问题。
led 晶片结构

[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法-CN202210753881.9有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法，外延结构包括：包括衬底及在衬底上依次外延生长的低温缓冲层、未掺杂的U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和掺杂Mg的P型GaN层；多量子阱有源层包括第一多量子阱有源层、多量子阱间插入层和第二多量子阱有源层，多量子阱间插入层包括第一插入子层、第二插入子层和第三插入子层。本发明的第二插入子层能够为距离掺杂Mg的P型GaN层较远的多量子阱有源层部分提供更多的空穴，第一插入子层和第三插入子层用来匹配第二插入子层与多量子阱有源层的晶格。
一种 gan 发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202310172702.7在审
发明人：董雪振;李森林;毕京锋;王亚宏;薛龙;赖玉财;谢岚驰;廖寅生 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、底部缓冲层、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，其中有源层包括依次堆叠的第一多量子阱结构、第二多量子阱结构和第三多量子阱结构，且第一多量子阱结构、第二多量子阱结构和第三多量子阱结构均为阱层和垒层交替生长形成的周期性结构，第一多量子阱结构的垒层为含Al组分的结构层，第二多量子阱结构的垒层为氮化镓结构层，第三多量子阱结构的垒层为含In组分的结构层。本发明通过有源层的垒层设计不仅能增强有源层的载流子限制效应，减缓电子迁移速率，防止电子溢出，而且还能够增加有源层的空穴注入，提高辐射复合效率，进而提升光效。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]复合多量子阱有源层、高光效LED外延片及其制备方法-CN202310762010.8在审
发明人：印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种复合多量子阱有源层、高光效LED外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域，复合多量子阱有源层包括复合有源区以及设于复合有源区上的末阱有源区，复合有源区包括多个有源区，有源区包括周期性依次层叠设置的量子阱层、帽层以及量子垒层；末阱有源区包括依次设置的末量子阱层、末帽层以及末量子垒层，末量子阱层设于复合有源区的上方。本申请通过设置复合有源区以及末阱有源区形成复合多量子阱有源层，增加电子和空穴在有源区的复合浓度和效率，有效提升了发光二极管的光效。
复合多量有源高光效 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种内嵌重掺杂光栅层的半导体红外探测器-CN201610686153.5有效
发明人：郝智彪;刘雅琦;汪莱;罗毅 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：该半导体红外探测器包括：衬底；在所述衬底上依次生长的下电极层、多量子阱有源层、以及上电极层；在所述衬底上还生长有重掺杂光栅层，所述重掺杂光栅层生长在所述上电极层和所述多量子阱有源层之间，或者所述多量子阱有源层和所述下电极层之间；在所述衬底上还生长有过渡层，所述过渡层生长在所述重掺杂光栅层和所述多量子阱有源层之间。本发明实施例通过在多量子阱有源层和下电极层之间，或者多量子阱有源层和上电极层之间设置重掺杂光栅层，以使得入射光与重掺杂光栅层中的电子相互作用并在光栅层界面形成等离激元，从而在多量子阱有源层内形成局域增强的光场，进而提高探测器有源区的吸收效率。
一种内嵌重掺杂光栅半导体红外探测器

[发明专利]一种提高发光效率GaN基长波长LED器件结构及生长方法-CN202211322107.9在审
发明人：王小兰;刘国凡;张建立;潘拴;高江东;李丹;杨小霞 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高发光效率的GaN基长波长LED器件结构及其生长方法，该GaN基长波长LED器件结构包括有源层结构，其中，所述有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱和InGaN/AlGaN/GaN多量子阱。生长InGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于GaN垒层；生长InGaN/AlGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于AlGaN层和GaN垒层，AlGaN层与GaN垒层保持一致一种有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱结构以及InGaN/AlGaN/GaN多量子阱结构，可减少电子空穴泄露，改善量子阱质量，提高载流子在有源区的辐射复合速率，进而达到实现去除传统P‑AlGaN电子阻挡层以及提高GaN基长波长LED器件发光效率的目的。
一种提高发光效率 gan 波长 led 器件结构生长方法

[发明专利]一种可增加LED反向阻抗的LED外延结构及其制备方法-CN201510061080.6有效
发明人：冯美鑫;蔡金;孔静;南琦;王辉;王怀兵 -专利权人：苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种增加LED反向阻抗的LED结构及制作方法，包括如下步骤衬底，在氢气气氛下高温预处理，在衬底表面依次生长缓冲层，非掺GaN层，n型GaN层，多量子有源层，p型GaN层和p型接触层；所述的多量子阱有源层由至少两段多量子阱有源层构成，多量子阱有源层段与段中间插入低温的非掺GaN或AlGaN层，本发明经过多量子阱有源层中插入的非掺GaN或AlGaN可有效地增加LED的反向阻抗，降低LED的反向漏电，增加LED的可靠性。
一种可增加 led 反向阻抗外延结构及其制备方法

[发明专利]一种紫外LED有源区多量子阱的生长方法-CN201610373575.7有效
发明人：郭丽彬;程斌;唐军;潘尧波 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外LED有源区多量子阱的生长方法，其生长方法包括以下步骤：步骤一，在蓝宝石衬底上，生长UGaN层，步骤二，所述UGaN层生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的N‑GaN层，步骤三，所述N‑GaN层生长结束后，生长多量子阱结构MQW层，步骤四，所述多量子阱结构MQW层生长结束后，生长有源区多量子阱发光层，步骤五，所述有源区多量子阱发光层生长结束后，以N₂作为载气生长P型氮化镓层，步骤六，P型氮化镓层生长结束后，进行退火处理即得LED外延结构。本发明的生产工艺可以优化电子的浓度分布，抑制电子泄露，减小多量子阱生长过程中产生的应力，减小量子限制斯塔克效应(QCSE)，增加电流注入效率，提高多量子阱发光效率。
一种紫外 led 有源多量生长方法

[发明专利]一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法-CN201310287139.4无效
发明人：郭丽彬;牛勇;李刚;刘仁锁 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，所述多量子阱有源层由3~20个Loop循环数的InyGa1-yN/GaN多量子阱组成，在所述3~20个Loop循环数的InyGa1-yN/GaN多量子阱有源层中的垒层进行通过P型优化掺杂，使得量子阱中的电子和空穴浓度分布趋于均衡，有效调控电子和空穴的浓度分布，降低电子溢出浓度，改善量子阱中载流子辐射复合效率，提高芯片内量子效率，以实现发光效率的提高。
一种提高发光效率氮化 led 外延生长方法

[发明专利]一种垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法-CN201310248779.4在审
发明人：王嘉星 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该方法包括：在生长衬底上外延生长N型GaN层，该方法还包括在所述N型GaN层上外延生长多量子阱有源层，该方法还包括在所述多量子阱有源层上外延生长P型GaN层，其中所述多量子阱有源层由n层In_XGa_1-XN/GaN多量子阱组成，其中n为整数，取值范围为2-20，其中每个量子阱的垒宽是不同的。本发明通过改变多量子阱中垒的宽度从而优化载流子在量子阱中的分布，让载流子尽量分布在更多的量子阱内发生复合，从而提高发光效率。
一种可变氮化 led 外延制备方法

[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法-CN201110112429.6无效
发明人：于洪波 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物LED结构，其在N型电子注入层与多量子阱有源层之间插入一In含量渐变的InGaN层，从而释放多量子阱有源层和N型电子注入层之间的应力，提高器件的内量子效率和发光强度；同时，还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，通过在N型电子注入层与多量子阱有源层之间生长一In含量渐变的InGaN层，从而释放多量子阱有源层和N型电子注入层之间的应力，提高器件的内量子效率和发光强度。
一种氮化物 led 结构及其制备方法

[发明专利]一种氮化物发光器件及其制备方法-CN200910111571.1无效
发明人：张江勇;张保平;王启明;蔡丽娥;余金中 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。
一种氮化物发光器件及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202110845303.3有效
发明人：黄璐;林志伟;马英杰;徐洲;蔡和勋 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括叠层结构，该叠层结构包括：层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层；其中，多量子阱有源层包括沿背离第一型半导体层的方向交替排布的势阱层和势垒层，势阱层为AlaGa1‑aAs层，势垒层为AlbGa1‑bAs层，且0＜a＜b＜1。本申请实施例所提供的LED芯片，由于其多量子阱有源层中势阱层和势垒层的长晶材料相同，因此，在多量子阱有源层的生长过程中，势阱层和势垒层的生长界面可以清晰地切换，从而提高多量子阱有源层的长晶质量，减少由于多量子阱有源层的长晶缺陷而造成的非辐射复合
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种紫外LED及其制备方法-CN202010078729.6在审
发明人：万志;卓祥景;蔺宇航;尧刚;程伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种紫外LED及其制作方法，该LED包括：衬底；缓冲层；电流扩展层；多量子阱有源层；超晶格电子阻挡层，其中，多量子阱有源层包括量子垒结构和量子阱结构，量子垒结构包括第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，第二量子垒层的Al组分高于第一量子垒层和第三量子垒层的Al组分，使得量子垒结构中的Al组分呈阶梯状，以利用第二量子垒层较高的Al组分形成高势垒，从而实现较强的电子阻挡作用，同时利用第一量子垒层和第三量子垒层较低的Al组分，减小量子垒结构和量子阱结构之间的应力，削弱多量子阱有源层中的极化电场，提高多量子阱有源层的辐射复合速率，提高紫外LED的发光功率。
一种紫外 led 及其制备方法

[发明专利]高发光效率的量子阱组合LED外延结构及其制备方法-CN201510823492.9在审
发明人：柳颜欣;曲爽;马旺;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种高发光效率的量子阱组合LED外延结构及其制备方法，该外延结构是自下至上依次为衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、有源层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN接触层，有源层包括下层多量子阱结构、恒温多量子阱结构和上层多量子阱结构，下层多量子阱结构为InGaN势阱层和GaN势垒层周期性叠加构成，恒温多量子阱结构为恒温InGaN势阱层和恒温GaN势阱层周期性叠加构成，上层多量子阱结构为InGaN势阱层和GaN势垒层周期性叠加构成；其制备方法是在金属有机物化学气相沉积设备的反应室中自下至上依次为制备各层。本发明能够有效降低阱垒界面间的应力，缓解能带的弯曲，提高空穴和电子注入有源区效率和辐射复合效率。
发光效率量子组合 led 外延结构及其制备方法

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