[发明专利]一种LED外延芯片及一种LED外延芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201810556173.X | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108682724A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 何苗;杨思攀;王润;赵韦人 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/58;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延芯片，该LED外延芯片中主要用于发光的功能层包括多个柱状的发光单元，在多个发光单元之间形成有空气间隙。当发光单元发射出光线时，该光线会在发光单元与空气间隙这两种界面之间发生散射效应，从而增加LED外延芯片的出光率；同时由于空气间隙的存在，发光单元所产生的热量会通过空气间隙极快的传递出LED外延芯片，从而增加LED外延芯片的散热效果。本发明所提供的一种LED外延芯片的制备方法，该方法制备的LED外延芯片同样具有上述有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光单元 空气间隙 制备 散热效果 散射效应 出光率 功能层 柱状 发光 发射 传递 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延芯片，其特征在于，所述LED外延芯片包括：相对设置的第一衬底和第二衬底；位于所述第一衬底朝向所述第二衬底一侧表面的过渡层；位于所述过渡层朝向所述第二衬底一侧表面的功能层；其中，所述功能层包括多个柱状的发光单元，多个所述发光单元之间形成有空气间隙；所述功能层朝向所述第二衬底一侧表面与所述第二衬底固定连接；与所述发光单元一端电连接的第一电极，与所述发光单元另一端电连接的第二电极。
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- 2011-02-18 - 2018-03-16 - H01L33/24
- 本发明提供一种发光器件。在一个实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和在有源层和第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层。第一导电类型半导体层包括多个沟槽。沿着沟槽形成有源层。与第二导电类型半导体层相邻的抗电流泄漏层的表面是平坦的。
- 一种III族半导体发光器件的制作方法-201510027679.8
- 许顺成 - 湘能华磊光电股份有限公司
- 2015-01-20 - 2017-11-17 - H01L33/24
- 本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构；沉积电流阻挡层在p型氮化物半导体层上，利用黄光蚀刻制程定义所述电流阻挡层图案；沉积透明导电层在p型氮化物半导体层及电流阻挡层上；利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，得到凸台；沉积绝缘层；黄光剥离制程定义P型电极和N型电极图案，同时沉积P型电极、N型电极，后利用剥离制程去除光阻，制成圆片；最后将所述圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。本发明还原了N型焊盘下方的有源层，解决有源层蚀刻过多的问题，改善光电特性，发光面积变大，操作电压下降，亮度上升。
- 一种III族半导体发光器件的制作方法-201510027675.X
- 许顺成 - 湘能华磊光电股份有限公司
- 2015-01-20 - 2017-08-29 - H01L33/24
- 本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构；利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，蚀刻p型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半导体层，得到凸台；沉积透明导电层，利用黄光蚀刻制程定义透明导电层图案，蚀刻透明导电层；沉积绝缘层，利用黄光蚀刻制程定义要参于电流分布的图案，蚀刻绝缘层和/或透明导电层；黄光剥离制程定义P型电极和N型电极图案，沉积P型电极和N型电极，利用剥离制程，去除光阻，制成圆片；最后将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。本发明降低了生产成本，还原了N型焊盘下方的有源层，发光面积增加。
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