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[发明专利]内窥镜专用持针钳的检测设备-CN202010718998.4在审
发明人： 杨庆荣 -专利权人： 杨庆荣
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明公开了内窥镜专用持针钳的检测设备，涉及医疗器具检测领域，包括传送带、开合检测机构、转运机构、承载台、夹持检测机构、形变检测机构和移运机构，所述传送带上设有若干等间距分布的定位治具，所述开合检测机构呈竖直安装在靠近传送带的输出端处，所述转运机构安装在传送带和承载台之间，所述夹持检测机构安装在承载台上，所述形变检测机构的一部分设置在承载台的旁侧，形变检测机构的另一部分罩设在承载台的顶部，所述移运机构安装在承载台的顶部两侧。本发明能够自动完成持针钳的夹持性能、锁合性能、牢固性能、高温形变性能等一体化检测工序，结构简单，自动化程度较高，减少了人工劳动强度，提高了生产效率。
内窥镜专用持针钳检测设备

[发明专利]内窥镜专用持针钳的检测设备的转运检测装置及其工艺-CN202010718966.4在审
发明人： 杨庆荣 -专利权人： 杨庆荣
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B65G37/00 文献下载
摘要：本发明公开了内窥镜专用持针钳的检测设备的转运检测装置，涉及医疗器具检测领域，包括传送带、开合检测机构和转运机构，所述传送带上设有若干等间距分布的定位治具，定位治具包括承载板和两个限位组件，每个限位组件均包括定轴、调节部件和开合部件，调节部件包括三个沿定轴的轴线均匀分布的弹性零件，每个弹性零件均包括限位弹簧和弧形块，开合部件包括移动块、压缩弹簧和导轴，移动块的一端呈弧形状结构，移动块的另一端与导轴的一端固定连接，承载板上设有供定轴移动的第一腰型孔。本发明能够完成对持针钳进行自动开合检测，自动化程度较高，提高了检测效率，且还能够实现对不同尺寸类型的持针钳检测工序，提高了设备实用性能。
内窥镜专用持针钳检测设备转运装置及其工艺

[发明专利]内窥镜专用持针钳自动检测工艺-CN202010727827.8在审
发明人： 杨庆荣 -专利权人： 杨庆荣
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明公开了内窥镜专用持针钳自动检测工艺，涉及医疗器具检测工艺领域，包括包括以下步骤：步骤1.将持针钳定位；步骤2.对持针钳进行自动开合检测；步骤3.对持针钳进行锁合性能检测；步骤4.对持针钳定位进行夹持性能检测；步骤5.对持针钳进行高温形变检测；步骤6.将持针钳进行消毒烘干。本发明能够自动完成持针钳的夹持性能、锁合性能、牢固性能、高温形变性能等一体化检测工序，工艺设计巧妙。工序间衔接顺畅，自动化程度较高，减少了人工劳动强度，提高了生产效率，降低了检测成本。
内窥镜专用持针钳自动检测工艺

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201910765121.8在审
发明人：陈宪伟;陈洁;陈明发;杨庆荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开半导体封装及形成所述半导体封装的方法。所述方法中的一者包括以下步骤。提供第一管芯，其中所述第一管芯包括第一衬底、第一内连结构以及第一焊盘，所述第一内连结构位于所述第一衬底之上，所述第一焊盘设置在所述第一内连结构之上且电连接到所述第一内连结构。在所述第一管芯之上形成第一结合介电层以覆盖所述第一管芯。使用单镶嵌工艺形成穿透所述第一结合介电层的第一结合通孔以电连接所述第一内连结构。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构-CN201910822039.4在审
发明人：陈宪伟;杨庆荣;陈洁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括衬底、内连结构、焊盘、保护层以及接合结构。内连结构设置在衬底之上。焊盘设置在内连结构之上且电连接到内连结构。焊盘的顶表面具有探针标记且探针标记具有凹表面。保护层共形地覆盖焊盘的顶表面及探针标记。接合结构设置在保护层之上。接合结构包括接合介电层及第一接合金属层，第一接合金属层穿透接合介电层及保护层以电连接到焊盘。
半导体结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910717464.7在审
发明人： 杨庆荣;陈宪伟;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括第一半导体衬底、第一内连结构、第一导电垫、第一介电层及第一导电连接件。第一半导体衬底包括位于第一半导体衬底中的多个第一半导体装置。第一内连结构设置在第一半导体衬底之上且电耦合到第一半导体装置。第一导电垫设置在第一内连结构之上且电耦合到第一内连结构。第一介电层覆盖第一导电垫及第一内连结构且第一介电层包括延伸穿过第一导电垫的一部分。第一导电连接件设置在第一内连结构上且电耦合到第一内连结构且第一导电连接件延伸穿过第一介电层的所述部分。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种基于侧抛光纤的Sagnac干涉流体传感系统-CN202010235111.6在审
发明人：刘宇;夏冰清;郭俊启;路永乐;杨勇;邸克;杨慧慧;黎人溥;杨庆荣 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01D5/34 文献下载
摘要：本发明请求保护一种基于侧抛光纤的Sagnac干涉流体传感系统，包括侧抛光纤、毛细管、三通管、微型液体槽、压力泵、光纤耦合器、偏振控制器、将其接入Sagnac干涉仪后，两束相反方向传播的光经过此具有较高双折射的侧抛光纤，会以一定的偏振角度相干输出。本发明的流体传感系统易于实现流体材料的循环流动，通过观测流体材料在流体系统中循环流动时的相干输出，可以实现对流体材料的折射率等相关物理特性的检测。侧抛光纤抛磨区域的深度、长度灵活可控，通过调节抛磨深度可以控制流体系统对材料的灵敏度，通过调节抛磨长度可以控制流体系统与材料的反应舱大小，且其抛磨技术成熟、制作简单、成本低，可被广泛应用于光传感领域。
一种基于抛光 sagnac 干涉流体传感系统

[发明专利]三维集成电路结构-CN201811093086.1在审
发明人：陈宪伟;杨庆荣;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种三维集成电路结构，包括管芯堆叠结构、金属电路结构及保护结构。管芯堆叠结构包括面对面接合在一起的第一管芯与第二管芯。金属电路结构设置在第二管芯的后侧之上。保护结构设置在第二管芯的后侧内且分隔第二管芯的多个衬底穿孔中的一者与金属电路结构。
第二管金属电路管芯保护结构堆叠结构三维集成电路结构结构设置接合穿孔衬底分隔

[发明专利]改进的垂直结构光电探测器的制造方法-CN201810129982.2有效
发明人：唐政维;华伟;王巍;王冠宇;杨庆荣 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，本发明通过将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上，光电探测器芯片的上电极通过金丝连接到放大电路；本发明使光通过侧面进入本征I层不存在重掺杂死区和金属电极挡光问题，降低了光损失，减少了复合，提高了响应度，并且PN结在半导体体内，减小了探测器表面漏电流提高了光电探测器的反向击穿电压，同时，PN结面积主要为平行平面结面积，有效的减小了光电探测器总的PN结电容面积，减小了寄生RC时间常数，从而提高了器件的响应速度。
光电探测器减小光电探测器芯片垂直结构半导体光电子技术挡光反向击穿电压平行平面结探测器表面放大电路金属电极时间常数本征I层光损失寄生RC 漏电流下电极响应度重掺杂电极基板金丝死区焊接半导体制造改进体内复合侧面响应

[发明专利]具有与凹槽相对准的焊料区的封装件-CN201811481018.2在审
发明人： 杨庆荣;陈宪伟;杜贤明;黄章斌;赖昱嘉;邵栋梁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，包括在金属焊盘的一部分上方形成钝化层，在钝化层上方形成聚合物层，以及使用光刻掩模来曝光聚合物层。光刻掩模具有不透明部分、透明部分以及局部透明部分。对经曝光的聚合物层进行显影以形成开口，其中金属焊盘通过开口被暴露。后钝化互连件(PPI)形成在聚合物层上方，其中PPI包括延伸至开口内的部分以与金属焊盘连接。本发明还公开了具有与凹槽对准的焊料区的封装件。
聚合物层金属焊盘开口光刻掩模钝化层封装件焊料区对准局部透明曝光不透明互连件钝化显影透明暴露延伸

[发明专利]半导体结构-CN201810734843.2在审
发明人：陈宪伟;杨庆荣;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构，其包含：衬底；第一裸片，其垂直地位于所述衬底上方；第二裸片，其垂直地位于所述衬底上方且与所述第一裸片侧向隔开一间隙；和绝缘材料，其位于所述间隙中。当从俯视视角观看时，所述衬底至少部分与所述间隙重叠，且所述衬底的杨氏(Young)模数高于所述绝缘材料的杨氏模数。
衬底裸片半导体结构绝缘材料垂直地侧向隔开杨氏模数模数俯视视角观看

[发明专利]管芯堆叠结构-CN201810486574.2在审
发明人： 杨庆荣;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种管芯堆叠结构包括第一管芯及第二管芯。所述第一管芯与所述第二管芯通过混合接合结构接合在一起。所述第一管芯的第一测试垫或所述第二管芯的第二测试垫中的至少一者具有突出部，且所述混合接合结构的接合绝缘层覆盖且接触所述第一测试垫或所述第二测试垫中的所述至少一者的所述突出部，使得所述第一测试垫与所述第二测试垫彼此电隔离。
测试垫管芯第二管堆叠结构接合结构接合突出部绝缘层覆盖电隔离种管

[发明专利]集成电路封装及其制作方法-CN201711069152.7在审
发明人： 杨庆荣;邱铭彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种集成电路封装包括管芯、多个导通孔、对准标记及绝缘包封材。所述管芯包括多个导电接垫。所述导通孔分别接触所述导电接垫。所述对准标记设置在所述管芯上且与所述导通孔间隔开。所述绝缘包封材包封所述管芯且接触所述导通孔的侧表面及所述对准标记的侧表面。
导通孔管芯对准标记集成电路封装导电接垫绝缘包封侧表面包封制作

[发明专利]半导体装置-CN201410602989.3有效
发明人： 杨庆荣;刘豫文;唐修敏;陈宪伟;杨宗颖;于宗源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板，包括一电路区和一密封环区，该密封环区围绕该电路区；一第一介电层，设置于该密封环区的上方，该第一介电层具有一底部和位于该底部上方的一顶部；一第二介电层，设置于该第一介电层的上方，其中该第一介电层和该第二介电层具有不同的介电常数；以及一密封环结构，内嵌于该第二介电层和该第一介电层的该顶部两者之中，其中该密封环结构并未延伸至该第一介电层的该底部中；以及一外部密封环结构，内嵌于该第二介电层和该第一介电层两者之中，该外部密封环结构围绕该密封环结构，且延伸至该第一介电层的该底部中。本发明可明显地提升封装工艺的良率。
半导体装置

[发明专利]MIM电容器及其形成方法-CN201510453961.2有效
发明人： 杨庆荣;黄章斌;杜贤明;蔡豪益;李明机;梁世纬;赖昱嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明一些实施例提供了一种封装件，封装件包括无机介电层和电容器。电容器包括：底部电极，底部电极的顶面与无机介电层的顶面接触；位于底部电极上方的绝缘体；以及位于绝缘体上方的顶部电极。封装件还包括覆盖电容器的聚合物层，聚合物层的部分与电容器共平面并且环绕电容器。聚合物层接触无机介电材料层的顶面。本发明还涉及MIM电容器及其形成方法。
mim 电容器及其形成方法