[发明专利]具有与凹槽相对准的焊料区的封装件在审
| 申请号： | 201811481018.2 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110010544A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 杨庆荣;陈宪伟;杜贤明;黄章斌;赖昱嘉;邵栋梁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，包括在金属焊盘的一部分上方形成钝化层，在钝化层上方形成聚合物层，以及使用光刻掩模来曝光聚合物层。光刻掩模具有不透明部分、透明部分以及局部透明部分。对经曝光的聚合物层进行显影以形成开口，其中金属焊盘通过开口被暴露。后钝化互连件(PPI)形成在聚合物层上方，其中PPI包括延伸至开口内的部分以与金属焊盘连接。本发明还公开了具有与凹槽对准的焊料区的封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物层 金属焊盘 开口 光刻掩模 钝化层 封装件 焊料区 对准 局部透明 曝光 不透明 互连件 钝化 显影 透明 暴露 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成集成电路结构的方法，包括：在金属焊盘的一部分上方形成钝化层；在所述钝化层上方形成聚合物层；使用光刻掩模来曝光所述聚合物层，其中，所述光刻掩模包括不透明部分、透明部分以及局部透明部分；对所述聚合物层进行显影以形成开口和相同的多个凹槽，其中，所述金属焊盘通过所述开口被暴露，并且所述多个凹槽部分地延伸至所述聚合物层中但不穿透所述聚合物层；以及在所述聚合物层上方形成后钝化互连件PPI，其中所述PPI包括延伸至所述开口内的部分以与所述金属焊盘连接，所述PPI包括与所述多个凹槽相对应的PPI焊盘，通过所述PPI焊盘的顶面形成额外的凹槽；将单个焊球放置在所述PPI的PPI焊盘上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
