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[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202210168317.0在审
发明人：乐伶聪;许建华;杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件包括耗尽型HEMT器件本体和ESD防护结构，ESD防护结构包括连接于耗尽型HEMT器件本体的栅极和耗尽型HEMT器件本体的源极之间的二极管组，二极管组包括自耗尽型HEMT器件本体的源极向耗尽型HEMT器件本体的栅极方向导通的肖特基二极管；ESD防护结构位于耗尽型HEMT器件本体的栅极焊盘的下方；和/或，ESD防护结构位于耗尽型HEMT器件本体的源极加厚金属的下方，且ESD防护结构在耗尽型HEMT器件本体的衬底上的正投影与耗尽型HEMT器件本体的有源区在衬底上的正投影无交叠。该器件能在不占用器件的有效芯片面积的前提下提高ESD防护等级。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种AGC温度补偿电路-CN202122692864.2有效
发明人：匡中;刘石头;杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AGC温度补偿电路，包括：AGC控制电路、AGC输入电路、AGC输出电路、第一温补电路、第二温补电路、第一加法器和第二加法器；所述AGC控制电路分别与所述AGC输入电路的第一输出端、所述AGC输出电路的信号输入端、所述第一加法器的输出端、所述第二加法器的输出端连接；所述AGC输入电路的第二输出端与所述第一加法器的第一输入端连接，所述第一温补电路与所述第一加法器的第二输入端连接；所述AGC输出电路的第一输出端与所述第二加法器的第一输入端连接，所述第二温补电路与所述第二加法器的第二输入端连接。本实用新型能在不改变AGC性能的情况下，对AGC进行温补调节，减少了温度对电路的影响，同时也提高了兼容性。
一种 agc 温度补偿电路

[实用新型]一种抑制谐波的内匹配电路及射频内匹配功率器件-CN202122998705.5有效
发明人：刘石头;杨天应;吴绍广 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抑制谐波的内匹配电路及射频内匹配功率器件，所述抑制谐波的内匹配电路包括：第一匹配模块、第二匹配模块和谐振模块；所述第一匹配模块、所述谐振模块和所述第二匹配模块依次连接。本实用新型的抑制谐波的内匹配电路包含并联LC谐振，使得信号可以在达到基波匹配的同时对二次谐波产生抑制，从而可以通过对二次谐波的处理提高功率放大器效率。
一种抑制谐波匹配电路射频功率器件

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202210117112.X有效
发明人：许建华;乐伶聪;杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件在半导层远离衬底的一侧设置第一导热层，第一导热层设置在电极分布区，并至少部分设置在源极和漏极之间，且第一导热层的分布特征与工作状态下电极分布区的温度分布等高线图相适配，以使第一导热层由电极分布区的热量聚集中心向四周扩散。通过额外设置由热量聚集中心向四周扩散的第一导热层，使得电极分布区的热分布更加均匀，电极分布区内产生的热量能够适应性地由第一导热层进行热传导，并由温度最高的中心区域向四周传导，增强了电极分布区的散热能力。相较于现有技术，本发明提供的半导体器件，能够提升器件整体的热均匀性，并增强器件正面的散热能力。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法-CN202110588352.3有效
发明人： 杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法，包括器件有源区，及位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的金属环路保护结构；所述金属环路保护结构包括设有若干断点的第二互连金属条；所述第二互连金属条位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的介质层刻蚀边界上方，覆盖所述介质层刻蚀边界；所述第二互连金属条在源极焊盘外侧区域与源极焊盘电学连接。本发明提供了一种半导体器件结构及其制造方法，能够提升器件防止水汽侵蚀和离子迁移导致短路的能力。
一种半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202210117144.X有效
发明人：许建华;乐伶聪;杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、源极、漏极、栅极和源场板，源场板的一端设置有第一欧姆金属，在半导体外延层上还形成有第一电阻区，由非金属构成，并具有导电性，第一欧姆金属与源极通过第一电阻区电学连接。相较于现有技术，本发明通过设置第一欧姆金属，第一欧姆金属与源极通过第一电阻区电学连接，从而实现了源场板和源极之间的电学连接，无需额外设置连接金属桥结构，避免了连接金属桥部分产生栅极‑源极寄生电容，同时使得介质层覆盖能够更加完整，并避免了应力集中的问题，提升了器件的抗湿气能力。
半导体器件制备方法

[实用新型]内匹配电路及功率放大器-CN202123046164.2有效
发明人：刘石头;杨天应;付永佩 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种内匹配电路及功率放大器，内匹配电路用于与GaN功率管连接，内匹配电路包括内匹配电容、第一电感、第二电感及电阻，内匹配电容包括第一匹配电容；第一电感通过第一匹配电容与第二电感连接，第一电感、第二电感及第一匹配电容构成谐振电路，第二电感用于与GaN功率管连接，谐振电路用于对GaN功率管进行超宽带匹配；电阻与第一匹配电容并联构成稳定电路，稳定电路用于避免GaN功率管发生自激，内匹配电容接地端接地。本申请的内匹配电路提高了GaN功率管的稳定性，并实现了对GaN功率管的超宽带匹配。谐振电路与稳定电路共用内匹配电容，提高了电容器件的利用率，实现了内匹配电路的小型化。
匹配电路功率放大器

[发明专利]一种半导体器件-CN202111336485.8有效
发明人： 杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板金属，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间。场板金属能够辅助源极场板对栅脚处的电场进行调制，便于提高电场调制效果，并且有利于减小栅极金属的栅帽体积（栅场板体积），从而降低Cgd和Cgs，使得电场调制与Cgd和Cgs之间具有较好的平衡。由于场板金属靠近栅极金属设置，因此，还可以有效的屏蔽沟道处来自漏极的电势线，防止器件自激振荡。
一种半导体器件

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202111351366.X有效
发明人： 杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括半导体晶圆、正面金属层和第一背金层，在通孔中填充设置有导电导热层，导电导热层至少延伸至通孔的孔口处，用于封堵住通孔的孔口，以阻挡焊料进入到通孔内，避免了在焊接过程中和后续使用过程中焊料侵蚀背部通孔侧壁金属和正面金属，进而避免了焊料侵蚀通孔侧壁背金导致通孔电阻增大的问题，也防止了焊料穿过通孔到达第一表面，提高了芯片的可靠性，同时由于导电导热层填充在通孔内，避免通孔处于中空状态，提高背部通孔的导电、导热能力。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111351374.4有效
发明人： 杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底以及设置在衬底上的半导体层，半导体层划分有有源区和位于有源区外围的无源区；有源区内的半导体层上设有源极、漏极、栅极、源场板和接地背孔，无源区内的半导体层上设有漏极焊盘和栅极焊盘，漏极与漏极焊盘电连接，栅极的一端通过源场板与栅极焊盘连接、另一端位于源极和漏极之间，栅极焊盘至少部分设置于无源区，源极通过接地背孔接地，有源区内的半导体层上还设有肖特基结，肖特基结的正极与栅极焊盘电连接、负极与源极通过二维电子气实现电连接，肖特基结的正向开启电压大于栅极的正向开启电压。本发明提供的半导体器件能够实现自保护。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种空气场板结构及其制作方法-CN202111351570.1有效
发明人： 杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种空气场板结构及其制作方法，涉及半导体制造技术领域。该空气场板结构包括本体层，本体层设置有凹槽结构；隔离层，位于凹槽结构内与凹槽结构外，隔离层包括位于凹槽结构内的第一隔离层与位于凹槽结构外的第二隔离层，第一隔离层与第二隔离层连续，且第一隔离层与本体层连接，第二隔离层与本体层间隔设置；电极金属层，位于第一隔离层与第二隔离层的一侧。本申请提供的空气场板结构及其制作方法具有能够提升器件的性能和可靠性的优点。
一种空气板结及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件制备方法-CN202111132602.9有效
发明人： 杨天应;林坤 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上形成有半导体叠层；在半导体叠层的源极区域形成源极欧姆金属、漏极区域形成漏极欧姆金属；在源极区域和漏极区域之间形成有与半导体叠层接触的栅极金属；在栅极金属上形成有第一介质层；对包覆于栅极金属表面的第一介质层刻蚀，从而减缓了栅极金属侧壁的第一介质层的坡度，使得场板金属在第一介质层上制作时，在位于栅极金属侧壁的第一介质层上的连续性较好，从而能够有效提高器件的性能。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种电极结构及其制作方法-CN202111351576.9有效
发明人： 杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供了一种电极结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该电极结构包括基板，位于基板一侧的第一介质层与接触金属层，其中，第一介质层环绕接触金属层，位于接触金属层一侧的第一阻挡金属层，位于第一阻挡金属层一侧的互连金属层。本申请提供的电极结构及其制作方法，能够用于制作金属结构平坦、可靠性更好的电极结构。
一种电极结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111344792.0有效
发明人： 杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括晶圆本体、导电金属层、背金导电层和金属遮挡层，通过设置金属遮挡层，并在通孔的孔口处形成遮挡结构，能够在芯片焊接或者使用时有效地防止焊料进入到通孔内部，也避免了焊料扩散穿过背金导电层到达第一表面，保证了背金导电层的完整性，进而保证了器件的可靠性。同时，本发明避免了焊料侵蚀通孔侧壁的背金导电层，从而避免了焊料与背金导电层互溶导致的电阻增大现象，也避免了焊料和通孔侧壁基材热膨胀系数差异大导致的芯片机械性能变差的问题。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种晶体管小信号建模方法及装置-CN202110512954.0有效
发明人： 杨天应;刘丽娟;刘石头 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管小信号建模方法及装置，该方法包括：制备晶体管对应的两个测试结构，两个测试结构分别为第一开路去嵌结构、第二开路去嵌结构；将第一开路去嵌结构和第二开路去嵌结构的S参数转化为Y参数，计算得到晶体管的第一寄生参数；对晶体管进行栅极正向偏置下的开态测试，计算得到模型第二寄生参数；其次对晶体管正常偏置下的S参数进行测试，并根据第一寄生参数、第二寄生参数，计算得到晶体管的本征参数；根据所述第一寄生参数、所述第二寄生参数及所述本征参数建立所述晶体管的小信号模型。本发明实施例能够有效提取晶体管栅极和漏极全部寄生电容，从而能够有效提高建模的精确度，有利于指导器件设计及性能提升。
一种晶体管信号建模方法装置