专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体器件-CN202110985480.1有效
  • 杨天应 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-08-26 - 2021-11-19 - H01L23/64
  • 本申请提供一种半导体器件,涉及半导体技术领域,包括:半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区;可以在漏极测试焊盘中通过漏极底层金属、介质层和漏极顶层金属形成电容结构,同理,也可以在栅极测试焊盘中通过栅极底层金属、介质层和栅极顶层金属形成电容结构,然后将栅极底层金属和漏极底层金属分别与源极测试焊盘通过导电结构连接。如此,在直流测试过程中,便可以在源极测试焊盘和漏极测试焊盘之间、在源极测试焊盘和栅极测试焊盘之间形成导电结构和电容串联的电路,形成交流信号接地的泄露通道,利用该电路能够使得外部测试电路引入的交流噪声信号及时接地,从而抑制半导体器件在直流测试时自激问题的发生。
  • 一种半导体器件
  • [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110717059.2在审
  • 杨天应 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-06-28 - 2021-09-24 - H01L29/06
  • 本申请提供一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,方法包括:在衬底上形成半导体叠层;在半导体叠层上形成源极金属、漏极金属和栅极金属;在栅极金属上形成介质层;在介质层上形成源场板,源场板位于源极金属和漏极金属之间;可以选择相对介电常数小于5的材料制作保护层,如此,结合保护层在覆盖器件上表面时也会在源场板和漏极金属之间存在,能够通过选择相对介电常数小于5的保护层来降低源场板和漏极金属之间的相对介电常数,从而减小源场板和漏极金属之间的Cds,从而提高半导体器件的漏极效率,使得半导体器件具有较佳的性能表现。
  • 一种半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件的寿命评估方法、装置及温度检测平台-CN202110732372.3在审
  • 杨天应;刘丽娟;林楹镇 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-06-29 - 2021-09-24 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种半导体器件的寿命评估方法、装置及温度检测平台,该方法包括:获取器件热阻值、器件环境温度及器件热功耗,根据所述器件热阻值、器件环境温度和器件热功耗计算器件结温;获取器件在老化前的管壳表面温度,根据所述管壳表面温度、器件结温和器件热功耗计算器件在老化前的管壳表面热阻值;获取器件在老化时的监控点温度,根据所述监控点温度、器件结温和器件热功耗计算器件在老化时的监控点热阻值;比较所述管壳表面热阻值与所述监控点热阻值得到比较结果,并根据所述比较结果调整测试条件。本发明可以有效地、准确控制器件老化结温从而实现准确评估半导体器件的高温运行寿命及器件平均运行寿命。
  • 半导体器件寿命评估方法装置温度检测平台
  • [发明专利]一种射频功放内匹配电路的仿真方法及装置-CN202110510443.5在审
  • 刘石头;张胜峰;杨天应 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-05-11 - 2021-08-24 - G06F30/3308
  • 本发明公开了一种射频功放内匹配电路的仿真方法、装置、功率放大电路及功率放大器,所述方法包括:获取电路模型的输入电压和输入端反射电压的比值;基于所述输入电压和输入端反射电压的比值确定输入阻抗;基于所述输入阻抗确定初始匹配电路,并获取所述初始匹配电路输出的匹配结果;获取预设塑封材料的介电常数,将所述介电常数代入所述初始匹配电路中仿真输出仿真结果;计算所述匹配结果和所述仿真结果的差值,基于所述差值调整所述初始匹配电路,并仿真生成目标匹配电路。本发明可以仿真生成目标匹配电路,从而可以减少封装介质对匹配电路的影响,让匹配电路提供更准确的匹配阻抗,提高阻抗匹配的效果。
  • 一种射频功放匹配电路仿真方法装置
  • [发明专利]一种射频收发模块-CN202110449511.1在审
  • 杨天应;刘丽娟;刘石头 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-04-25 - 2021-08-06 - H04B1/40
  • 本发明公开了一种射频收发模块,该射频收发模块包括天线、发射端电路、接收端电路以及隔直电容;所述发射端电路用于放大待发射的射频信号的功率,所述接收端电路用于放大接收到的射频信号;所述发射端电路包括发射端射频开关以及功率放大器,所述接收端电路包括接收端射频开关以及低噪声放大器;所述天线通过隔直电容分别连接到所述发射端射频开关以及所述接收端射频开关;所述发射端射频开关和所述接收端射频开关均由FBAR部件组成。该射频收发模块结构简单、集成度高,同时具备低成本优势。
  • 一种射频收发模块
  • [发明专利]一种射频集成电路四路功分器-CN202110290686.2在审
  • 刘石头;张胜峰;杨天应 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-03-18 - 2021-07-23 - H01P5/16
  • 本发明公开了一种射频集成电路四路功分器,包括:信号输入端、四个阻抗变换模块、隔离模块和四个信号输出端;信号输入分别与每一阻抗变换模块的输入端连接,每一阻抗变换模块的输出端通过隔离模块分别与一个对应的信号输出端连接;隔离模块包括第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻和第四隔离电阻,第一隔离电阻并联在第一信号输出端与第二信号输出端之间,第二隔离电阻并联在第二信号输出端与第三信号输出端之间,第三隔离电阻并联在第三信号输出端与第四信号输出端之间;第四隔离电阻并联在第一信号输出端与第四信号输出端之间。本发明实施例不仅能够有效减小功分器的尺寸,还能够有效保证功分器的性能。
  • 一种射频集成电路四路功分器
  • [发明专利]一种三路功分器-CN202110292273.8在审
  • 张胜峰;刘石头;杨天应 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-03-18 - 2021-07-23 - H01P5/16
  • 本发明公开了一种三路功分器,包括:信号输入端、三个阻抗变换模块、隔离模块、移相电路模块和三个信号输出端;信号输入分别与每一阻抗变换模块的输入端连接,每一阻抗变换模块的输出端通过隔离模块分别与一个对应的信号输出端连接,隔离模块包括第一隔离电阻、第二隔离电阻和第三隔离电阻,第一隔离电阻并联在第一信号输出端与第二信号输出端之间,第二隔离电阻并联在第二信号输出端与第三信号输出端之间,第三隔离电阻并联在第一信号输出端与第三信号输出端之间;移相电路模块设置在隔离模块与第二信号输出端之间。本发明实施例电路结构简单,有利于器件的高度集成,且能够在减小器件尺寸的前提下,保证三路功分器的性能。
  • 一种三路功分器
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法及中间体-CN202110311450.2在审
  • 杨天应 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-03-23 - 2021-07-20 - H01L21/28
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种半导体器件的制造方法及中间体,所述方法包括:对第二光刻胶层进行第三烘烤,使第二光刻胶层位于第一凹槽上方的突出部分向远离基片的方向翘起,所述突出部分和基片的夹角为第一夹角,所述第一夹角大于零度;所述基片上沉积形成金属层;剥离所述第一光刻胶层、第二光刻胶层和沉积在第二光刻胶层上表面的金属层和第二凹槽侧壁上的金属层,使基片上余留所需的金属电极。本发明的有益效果为:通过对第二光刻胶层进行第三烘烤,使第一凹槽上方的突出部分向上翘起,进而增强了第二凹槽侧壁的金属层和第二光刻胶层上表面金属层的连接,在剥离时一同被剥离,不会因为撕裂而附着在金属电极或基片上造成器件短路。
  • 一种半导体器件制造方法中间体
  • [发明专利]一种功率放大器-CN202110301153.X在审
  • 杨天应;刘石头;张胜峰 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-03-22 - 2021-07-13 - H03F3/20
  • 本发明公开了一种功率放大器,包括输入匹配网络、输出匹配网络、晶体管以及电源模块,输出匹配网络包括匹配电容,匹配电容为可调节电容;可调节电容与晶体管的漏极连接;晶体管的栅极与输入匹配网络连接,晶体管的漏极与电源模块连接,晶体管的源极接地;电源模块,用于根据所述功率放大器的数据功率需求调节所述功率放大器的漏极电压。通过实施本发明实施例提供的功率放大器能够进一步提升现有功率放大器在采用增加漏极电压方式来增大输出功率的调节效果。与现有功放漏压调节技术相比,能够获得更高的输出功率,同时能够获得更高的增益及效率。
  • 一种功率放大器
  • [发明专利]一种射频功放芯片测试系统-CN202110287044.7在审
  • 段源鸿;杨天应;刘石头 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-03-17 - 2021-07-02 - G01R31/28
  • 本发明公开了一种射频功放芯片测试系统,包括:大信号测试装置、小信号测试装置、开关装置、待测射频功放芯片以及信号分离装置;所述待测射频功放芯片的栅极与第一直流电源连接,且通过所述开关装置与所述大信号测试装置的信号输出端或所述小信号测试装置的信号输出端连接;所述待测射频功放芯片的漏极与第二直流电源以及所述信号分离装置的信号输入端连接;所述信号分离装置的第一信号输出端与所述大信号测试装置的信号输入端连接,所述信号分离装置的第二信号输出端与所述小信号测试装置的信号输入端连接;所述待测射频功放芯片的源极接地。通过实施本发明能够提高射频功放芯片的测试效率。
  • 一种射频功放芯片测试系统
  • [发明专利]一种多尔蒂功放的控制方法和装置-CN201610288699.5有效
  • 杨天应;张永胜;张乃千 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2016-05-04 - 2020-06-16 - H03F1/02
  • 本发明公开了一种多尔蒂功放的控制方法和装置,其中方法包括:获取多尔蒂功放的输出状态,所述多尔蒂功放包括载波功放和峰值功放;根据所述多尔蒂功放的输出状态,调节所述载波功放的栅极电压,以使所述载波功放在所述多尔蒂功放的输出功率从饱和状态下降到所述多尔蒂功放回退量对应功率过程中,从B类工作状态切换到AB类工作状态。本发明根据多尔蒂功放的输出状态,调节载波功放的栅极电压,以改变载波功放的工作状态,提高了多尔蒂功放的效率,且可以保证多尔蒂功放的线性度。
  • 一种多尔蒂功放控制方法装置
  • [发明专利]一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块-CN201510822582.6有效
  • 杨天应;张乃千;张永胜 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2015-11-24 - 2019-08-09 - H03H9/17
  • 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块,包括:信号输入端和信号输出端;设置于信号输入端与信号输出端之间的晶体管,晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端;通过电连接方式串联于晶体管输出端与信号输出端之间的第一薄膜体声波谐振器组阵列和/或通过电连接方式串联于晶体管输入端与信号输入端之间的第二薄膜体声波谐振器组阵列;所述薄膜体声波谐振器组阵列用于晶体管高次谐波开路;薄膜体声波谐振器组阵列包括至少一个薄膜体声波谐振器组;薄膜体声波谐振器包括第一电极、第二电极以及设置于两电极之间的介质薄膜层。薄膜体声波谐振器对放大模块进行谐波调谐,提高基于该放大模块的放大器效率,改善线性度。
  • 一种薄膜声波谐振器谐波调谐放大模块
  • [发明专利]一种功率放大电路-CN201610591197.X有效
  • 杨天应;张永胜;王文斌 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2016-07-26 - 2019-05-17 - H03F1/52
  • 本发明公开了一种功率放大电路,该功率放大电路包括:电连接于功率放大电路的射频干路中的输入偏置电路、输入匹配网络、放大模块、输出偏置电路和输出匹配网络;输入偏置电路的输出端电连接输入匹配网络的输入端;输入匹配网络的输出端电连接放大模块的输入端;放大模块的输出端电连接输出偏置电路的输入端;输出偏置电路的输出端电连接输出匹配网络的输入端;功率过激励保护模块的输入端电连接在输入偏置电路和放大模块之间的射频干路上,输出端接地,功率过激励保护模块用于将过激励的射频信号短路到地。本发明通过在输入匹配网络中设置功率过激励保护模块,可防止过激励的射频信号进入放大模块,实现对放大模块的保护作用。
  • 一种功率放大电路
  • [发明专利]一种高效率功率放大器-CN201511018415.2有效
  • 杨天应;张乃千;张永胜 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2015-12-30 - 2018-12-21 - H03F1/02
  • 本发明公开了一种高效率功率放大器。该功率放大器包括依次电连接的增益控制电路、输入匹配网络、放大模块和输出匹配网络,以及数字信号处理模块和电源模块;所述数字信号处理模块的第一输出端与所述电源模块电连接,所述数字信号处理模块的第二输出端与增益控制电路电连接;其中,所述输出匹配网络为电压调节的可调匹配网络,所述数字信号处理模块接收并处理控制信号,由所述数字信号处理模块的第一输出端输出电压调控指令,所述电源模块接收所述电压调控指令并输出调控电压,通过所述调控电压来调节所述输出匹配网络的阻抗值。实现了功率放大器在不同的输出功率下均能工作于饱和状态,大大提高功放效率。
  • 一种高效率功率放大器

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