专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种松耦合结构的并行多核全系统模拟器-CN201611108730.9在审
  • 张为华;李弋;鲁云萍 - 复旦大学
  • 2016-12-06 - 2017-05-31 - G06F9/38
  • 本发明属于计算机技术领域,具体为一种松耦合结构的并行多核全系统模拟器。本发明主要由功能模拟模块、时序模拟模块、通用接口模块以及差异检测和调节模块构成。本发明在功能模拟和时序模拟模块之间采用松耦合的结构,减少两者之间的交互,增加了系统并行执行的力度,提高了模拟的性能,还使得模拟器容易根据需求扩展,即具有优秀的可扩展性和较高的模拟性能;本发明还通过设计错误路径模块、共享内存访问检测和修正模块、异常和中断处理模块和共享页表访问的检测和修正模块,从而保证模拟器模拟结果的精确性。本发明可用来分析和评估多核处理器的运行行为和时序信息。
  • 一种耦合结构并行多核全系统模拟器
  • [发明专利]电感测量方法及测量装置-CN201410028960.9有效
  • 李弋 - 深圳市贵晶集成科技有限公司
  • 2014-01-22 - 2017-02-15 - G01R27/26
  • 本发明公开了一种电感测量方法及测量装置,该测量方法包括以下几个步骤S1,HY12P66从PT2.2脚输出等宽方波;S2,等宽方波从PA6脚输入,然后通过开关网络由PA4脚输出,加在相互串联的标准电阻和被测电感上,在标准电阻上的电压为U1,在被测电感上的电压为U2;S3,将U1和U2通过网络开关送到MCU,MCU对U1和U2做真有效值变换;S4,MCU根据U1和U2变换后的数值,来控制开关网络,进而自动转换量程;S5,变为直流电压的U1和U2在MCU进行比例运算,通过A/D转换器发送给显示驱动器;S6,显示驱动器驱动显示器,显示测量结果。本发明提供的电感测量方法既迅速又精准。
  • 电感测量方法测量装置
  • [实用新型]一种儿科用识别腕带-CN201620470696.9有效
  • 李弋;邹红霞;段冬梅;王方 - 南阳医学高等专科学校
  • 2016-05-23 - 2016-10-19 - G09F3/04
  • 本实用新型涉及一种儿科用识别腕带,属于医疗器械领域。儿科用识别腕带包括带体、设置在带体一侧的标签组件;带体包括带体本体、自带体本体向一侧延伸设置的带体基体、自带体本体向另一侧延伸设置的带体端体;带体内部结构为三层;标签组件包括设置在带体中部外侧上的柔性标签槽、与柔性标签槽相匹配设置的柔性标签盖。本实用新型设置有三组侧边拉链,该腕带的松紧度可调;设置的三层带体结构,带体具有高弹性,导电性,且带体上也可以书写身份识别信息;设置的标签组件,使得新生儿相应信息不易掉落或者不易沾水,方便医护人员工作。
  • 一种儿科识别
  • [实用新型]一种深水井管壁钻孔装置-CN201620319611.7有效
  • 李弋;王国亮 - 太原理工恒基岩土工程科技有限公司
  • 2016-04-18 - 2016-10-05 - B25H1/00
  • 本实用新型涉及一种深水井管壁钻孔装置,属于水井钢管钻孔技术领域,提供了一种结构简单,使用方便,采用机械代替人工操作,工作效率高、省时省力的深水井管壁钻孔装置,所采用的技术方案为壳体的中部安装有双作用液压千斤顶,双作用液压千斤顶的活塞杆上设置有支撑垫板,壳体内安装有还安装有钻头,双作用液压千斤顶的一侧支撑垫板上设置有通孔,通孔与钻头同心设置,壳体的底部设置有动力装置,动力装置与钻头连接驱动,壳体顶部设置有吊杆;本实用新型广泛用于水井管壁的钻孔。
  • 一种深水管壁钻孔装置
  • [实用新型]一种高亮度锥形半导体激光器-CN201420855365.8有效
  • 范国滨;李弋;杜维川;李艾;李奇峰;高松信;武德勇 - 中国工程物理研究院应用电子学研究所
  • 2014-12-30 - 2015-04-22 - H01S5/22
  • 本实用新型提供了一种高亮度锥形半导体激光器的技术方案,该方案包括有基底、脊形主震荡区、侧向周期波导限制结构、锥形增益放大区、前腔面和后腔面;前腔面设置在基底的一侧面;后腔面设置在前腔面对侧的基底侧面上;脊形主震荡区设置在靠近后腔面的基底中部;锥形增益放大区设置在靠近前腔面的基底上;锥形增益放大区与脊形主震荡区接连;脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构。该方案采用脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构,能够有效抑制高阶模,使脊形主震荡区在较大的脊条宽度和刻蚀深度下仍然保持基模输出,实现锥形半导体激光器的高亮度激光输出。
  • 一种亮度锥形半导体激光器

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