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[发明专利]一种自动流水并行的实现方法-CN201010281797.9有效
发明人：杨克峤;李弋;臧斌宇 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：本发明属于程序编译技术领域，具体为一种自动流水并行的实现方法。本发明方法主要包括：(1)流水并行的识别，具有跨循环迭代的依赖且依赖距离向量为常量的循环结构；(2)线程间同步，依据依赖距离向量插入同步，删除具有相同距离向量的冗余同步；(3)静态步长的线程调度，为了平衡各个线程的工作负载，减少通讯开销，自定义了线程调度策略。对于循环结构的类型识别依赖传统的数组数据流分析和依赖性测试，流水并行只处理后向跨循环迭代的规则循环结构。流水并行的同步开销较大，因而只对嵌套循环的最外层展开流水并行。流水并行的收益依赖程序本身，循环迭代数目越大，依赖距离越长，则性能提升越大。流水并行的实现增强了自动并行优化的能力，有利用进一步提高科学计算类程序的性能。
一种自动流水并行实现方法

[发明专利]一种基于谓词的自动并行优化方法-CN201010281799.8无效
发明人：杨克峤;李弋;臧斌宇 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G06F9/45 文献下载
摘要：本发明属于程序编译技术领域，具体为一种基于谓词的自动并行优化方法。该方法主要包括：(1)谓词的构建，通过用户程序的多种已知信息，构建程序的并行谓词，消除程序的简单依赖；(2)构建并行循环结构，在谓词条件的约束下，展开后续并行化分析，判断是否需要采纳并行谓词。并行谓词的构建基于传统的数组数据流分析和循环依赖性测试。通过构建谓词，消除由循环信息不精确而导致的循环简单依赖，从而扩大传统自动并行优化的分析范围和并行优化效果。在程序的实际执行中，如果谓词不满足，则程序执行原始串行版本，增加的判断和跳转操作对程序的总体性能几乎没有影响；如果谓词满足，则执行循环结构的并行版本，能够显著的提升程序性能。
一种基于谓词自动并行优化方法

[发明专利]一种液体多种维生素及其生产方法-CN200910181152.5有效
发明人：魏升平;杨静文;李弋 -专利权人：安徽泰格生物技术股份有限公司
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： A23K1/175 文献下载
摘要：本发明提供了一种液体多种维生素，其中水溶性维生素、脂溶性维生素及矿物质，以液体的形式均匀稳定的存在在水溶性的高分子有机化合物中。同时还提供了其生产方法。本发明的液体多种维生素具有稳定性好，使用方便，可以直接给药，而且该方法具有投资小、操作简便、绿色环保、无三废排放等优点。
一种液体多种维生素及其生产方法

[发明专利]腕佩式数字电场检测表-CN200910058025.6无效
发明人：李戈;李弋 -专利权人：李戈
申请日： 2009-01-05 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种腕佩式数字电场检测表，包括表带、表壳和设置在表壳内的表芯，其特征在于：表芯包括有液晶显示屏、检测电路板、电池块、环状天线、上胶套和下胶套；所述液晶显示屏、上胶套、检测电路板、下胶套顺序叠放在一起，通过表芯连接螺丝固定为一体结构，环状天线环绕在其四周；所述检测电路板包括放大器、AD转换器、微处理器、蜂鸣器和LED灯。该腕佩式数字电场检测表以定量检测为基本出发点、以处理器为核心，实现了准确、可靠的工频电场强度检测，能帮助使用者准确了解高压环境的设备带电情况，从而提高安全性；可实现定量显示电场信息，有利于使用者准确了解设备的带电分布情况；同时，还具有可靠性高、输出手段多样等优点。
腕佩式数字电场检测

[实用新型]数字式万用表的电流插孔自动识别装置-CN200820092176.4无效
发明人：李弋 -专利权人：李弋
申请日： 2008-02-18 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G01R15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电工测量仪器——万用表，特别是一种数字式万用表的电流插孔自动识别装置。数字式万用表的电流插孔自动识别装置由电流检测信号发生装置、万用表专用集成电路等组成，电流检测信号发生装置由电流插孔、触发电路与开关电路构成，电流检测信号经触发电路连接到开关电路，开关电路接入万用表专用集成电路的编码输入端。本实用新型使数字式万用表在测量电流时，只需一根表笔(一般为黑色)插公共端，另一只表笔(一般是红色)插在相应的电流检测插孔，仪表就会自动转到电流测量功能，并显示出电流的符号，而不需拨动功能旋钮到指定的位置。这样就省去了功能旋钮，方便，直观，快速，给测量带来极大的方便。
数字式万用表电流插孔自动识别装置

[发明专利]GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用-CN200810124346.7有效
发明人：谢自力;张荣;崔旭高;陶志阔;修向前;韩平;陈鹏;赵红;刘斌;李弋;宋黎红;崔颖超;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。
gamnn 稀释磁性半导体薄膜材料制备方法及其应用

[发明专利]一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途-CN200810024894.2有效
发明人：谢自力;张荣;陶志阔;崔旭高;陈鹏;修向前;韩平;赵红;刘斌;李弋;宋黎红;崔颖超;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H₂、N₂或H₂和N₂气体对蓝宝石衬底进行1000－1100℃温度下衬底表面处理，(2)生长低温GaN缓冲层，(3)生长高温GaN缓冲层，低温和高温GaN缓冲层的厚度均为0.5um－2um；(4)在GaN高温缓冲层上通过Fe掺杂控制合成生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料，在900－1150℃温度下通入流量范围分别为0.1－5slm、1－10sccm和15－200sccm的氨气、三甲基镓和二茂铁(CP₂Fe)，生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料；生长腔压力保持5－500Torr。
一种 fe 掺杂生长 gafen 稀释磁性半导体方法及其用途

[发明专利]铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用-CN200810124323.6有效
发明人：谢自力;张荣;严文生;修向前;韩平;陈鹏;陆海;赵红;刘斌;李弋;宋黎红;崔颖超;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：LiNbO₃/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10^－3Torr以上；将衬底温度升至300－900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5－90帕；调整激光器频率设置为5HZ，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3－5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO₃/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
铌酸锂氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法应用

[发明专利]半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用-CN200810124207.4无效
发明人：谢自力;张荣;陈鹏;刘斌;李弋;韩平;修向前;陆海;江若琏;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用，设有3－5路进气管路，其中一路为V族氮源管路，一路为III族金属源混合管路，其余各路为独立的III族金属源管路，各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通过单独设计TMAl源等易发生副反应的III族金属源管路的方法彻底解决了此类金属源的在设备管路中的反应滞留和对其它MO源的沾污，以及在管路输运过程中的预分解混合，特别适合于UV－LED，UV－LD的AlGaN及其相关材料生长的MOCVD设备系统，可用于使用MO源的所有CVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长设备之中，本发明在目前使用的半导体材料生长设备中尚没有使用。
半导体材料生长设备独立 mo 管路应用

[发明专利]通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法-CN200810023437.1有效
发明人：谢自力;张荣;聂超;刘启家;刘斌;李弋;修向前;韩平;赵红;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-04-14 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
通过相传法制 inn 纳米方法

[发明专利]生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途-CN200810098864.6有效
发明人：谢自力;张荣;李弋;韩平;修向前;陈鹏;陆海;刘斌;郑有炓;江若琏;施毅;朱顺明 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900－1100℃温度下进行材料热处理，时间为5－60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900－1100℃温度下时间为10－120分钟；再在900－1100℃温度范围通入H₂和/或N₂作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。
生长极性 gan 薄膜材料方法及其用途

[实用新型]高压发生器-CN200720120353.0无效
发明人：李弋 -专利权人：李弋
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： G01R1/28 文献下载
摘要：一种高压发生器，包括一升压电路将一直流电源输出的电能升压转换后输出；一整流滤波电路将升压电路输出电能整流滤波后输出；一震荡电路产生震荡波；一微分电路将所述震荡波微分为尖脉冲波；一脉冲整形电路将所述尖脉冲波整形为矩形脉冲波；一开关电路在所述矩形脉冲波的控制下导通与截止从而控制升压电路内部的电能转换；及一反馈控制电路根据所述整流滤波电路的输出控制所述微分电路的时间常数。利用本实用新型，不仅能获得稳定的输出电压，由于电路简单，还能降低成本。
高压发生器

[外观设计]万用表(B)-CN01308940.4无效
发明人：李弋 -专利权人：李弋
申请日： 2001-04-17 - 公布日： 2002-01-16 - 主分类号： 10-04-M0105 文献下载
摘要：左视图与右视图对称，省略左视图。
万用表

[外观设计]万用表(A)-CN00309838.9无效
发明人：李弋 -专利权人：李弋
申请日： 2000-06-01 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： 10-04-A0121 文献下载
摘要：
万用表

[实用新型]擦菜板-CN90204511.3无效
发明人：李唯良;王淑珍;李弋;姚平 -专利权人：李唯良
申请日： 1990-04-17 - 公布日： 1991-01-23 - 主分类号： A47J43/25 文献下载
摘要：一种新型擦菜板，它是家庭日常生活中加工瓜果蔬菜的辅助工具，适于将苹果、萝卜等擦成泥状，以供食用，它不需用电力。本擦菜板是将现有擦菜板的椭圆孔改成圆孔，在圆孔沿圆周固定9至16个均匀分布的三棱锥体，三棱锥体的一个侧面底边与圆孔的圆周线相吻合。三棱锥体与圆孔圆周相吻合的侧面为圆弧面；与圆弧面对应的另外两个面为相同的直角三角形。三棱锥体高取1-2毫米，三棱锥体之间的间距取0.4-0.6毫米。
菜板

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