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[实用新型]读出电子学系统-CN202321084053.7有效
发明人：曾莉欣;孙志嘉;赵豫斌;周健荣;周晓娟;腾海云;刘洪斌;陈少佳;殷伟刚;骆宏;于莉;任佳义;肖亮;王修库 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种读出电子学系统，包括：前端信号处理装置，前端信号处理装置至少包括第一信号处理模块和第二信号处理模块，第一信号处理模块用于对二维中子探测器输出的电信号进行处理，以获得二维数字信号输出和单通道模拟信号输出；第二信号处理模块用于对一维中子探测器输出的电信号进行处理以获得脉冲信号输出或能量信号输出；以及数据处理器，数据处理器包括可编程逻辑阵列及多接口电路，多接口电路至少包括第一接口电路和第二接口电路，第一信号处理模块的信号输出能够经由第一接口电路传输给可编程逻辑阵列，第二信号处理模块的信号输出能够经由第二接口电路传输给可编程逻辑阵列；其中，第一信号处理模块与第二信号处理模块互相独立。
读出电子学系统

[实用新型]一种能对不规则形状热源进行快速散热的散热结构-CN202222618470.7有效
发明人：骆宏;刘洪斌;赵豫斌;周健荣;唐彬;修青磊;王艳凤;周晓娟;杨桂安;许虹;陈少佳;殷伟刚;曾莉欣;于莉;任佳义;肖亮;王修库;沈培迅;关北菊;庄建;李嘉杰;滕海云;徐俊;胡磊;周科;邱勇翔;赵东旭;王晓庄;廖礼江;孙志嘉 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种散热系统，尤指一种能对不规则形状热源进行快速散热的散热结构；包括散热装置，所述散热装置包括紧贴安装在热源侧的半导体制冷片、热传导模块和导热填充料层；所述的热源是具有不规则形状的立体电子器件；本发明能适用于一切需要散热的热源，包括规则形状或不规则形状，不规则形状的热源冷却时，热源和半导体制冷片的缝隙可以通过填充导热填充料层来实现规则后连接；本发明结构简单，但有精准的温控和高效的冷却和温度平衡效果，降低了制作成本，减少了能量损耗，增加了稳定性，操作、控制、使用更加简便。
一种不规则形状热源进行快速散热结构

[发明专利]精确测量低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度的方法-CN202210473415.5有效
发明人：王玉漫;刘术林;孙志嘉;闫保军;周健荣;衡月昆;蒋兴奋;张斌婷;韦雯露;姚文静;彭华兴;谭金昊 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确测量低二次电子发射系数的材料最薄贡献厚度的方法，属于材料表征领域，包括如下步骤：S1、首先选择衬底材料，并超过其最薄贡献厚度；S2、先将衬底材料放入原子层沉积设备中的反应腔室进行沉积，制得样品；S3、然后将样品放入二次电子测试系统中测量；S4、获得循环数和二次电子发射产额的对应关系，确定最少循环数；S5、最后在硅衬底上生长最少循环次数的目标材料，进行薄膜厚度测量；本发明通过选择相对目标材料二次电子发射系数高的材料作为衬底，通过原子层沉积方法控制循环数从而获得低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度的最少循环数，在硅衬底上复现出薄膜进行厚度的测量，从而获得精确的低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度。
精确测量二次电子发射系数材料贡献厚度方法

[发明专利]一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用-CN202211471139.5在审
发明人：朱京涛;周健荣;孙志嘉;刘扬;周晓娟;朱林;陈元柏 -专利权人：同济大学;散裂中子源科学中心
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用，该涂硼陶瓷GEM膜包括陶瓷GEM膜基底下层、Ti打底中间层以及10B4C中子转换上层。本发明涂硼陶瓷GEM膜采用以下方法制备得到：(1)通过磁控溅射将靶材Ti溅射至陶瓷GEM膜表面，得到镀有Ti打底中间层的陶瓷GEM膜；(2)通过磁控溅射将靶材碳化硼溅射至所得Ti打底中间层表面，然后经机械打孔、化学刻蚀、清洗得到目的产物。本发明涂硼陶瓷GEM膜可应用于涂硼GEM中子探测器。与现有技术相比，本发明采用“先镀膜、后打孔”的方法，所制备的涂硼陶瓷GEM膜的孔洞中不会沉积有碳化硼。本发明通过使用纳米级厚度的Ti层打底，增加碳化硼薄膜与陶瓷GEM膜表面的粘附性，使得后续加工过程中薄膜不会脱落。
一种陶瓷 gem 及其制备方法应用

[实用新型]一种真空环境下电子学的散热装置-CN202222604934.9有效
发明人：骆宏;刘洪斌;赵豫斌;周健荣;唐彬;修青磊;王艳凤;周晓娟;杨桂安;许虹;陈少佳;殷伟刚;曾莉欣;于莉;任佳义;肖亮;王修库;沈培迅;关北菊;庄建;李嘉杰;滕海云;徐俊;胡磊;周科;邱勇翔;赵东旭;王晓庄;廖礼江;孙志嘉 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种散热装置，尤指一种真空环境下电子学的散热装置；所述散热装置安装在真空环境内，包括紧贴安装在热源侧的半导体制冷片、热传导模块和导热填充料；所述的热源是电子学中的电路板；本发明在密封真空环境中进行电子学电路冷却工作时，颠覆了传统的在真空环境内设置一个非真空环境，然后采用水冷管或风冷管贯穿真空和非真空环境的做法，适用性很强，降低了成本，且不需要任何制冷剂，可连续工作，没有污染源没有旋转部件，不会产生回转效应，没有滑动部件是一种固体片件，工作时没有震动、噪音、寿命长，安装容易。
一种真空环境电子学散热装置

[实用新型]中子束流监测装置-CN202320792183.X有效
发明人：王小胡;孟鹏伟;王艳凤;周健荣;孙志嘉 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本实用新型所要解决的技术问题是提供一种不依赖气瓶、有效降低内部材料对中子的吸收与散射的中子束流监测装置。该中子束流监测装置，包括密封腔体、入射板、探测单元、信号放大采集系统、充换气系统，入射板设置在密封腔体的上端，入射板的下表面设置有涂硼电极板，探测单元设置在密封腔体的下端且将密封腔体的下端进行密封，密封腔体的前侧壁上设置有密封电接口和数据接口，通过设置的充换气系统对密封腔体进行充气，密封腔体便可单独进行实验操作，通过设置的进气口和出气口，在长期使用后便可对密封腔体内的气体进行更换，采用特定的探测单元来有效降低内部材料对中子的吸收与散射，适合在中子技术领域推广应用。
中子监测装置

[发明专利]一种吸收中子及屏蔽用环氧材料及其制备方法-CN202310078020.X在审
发明人：黄剑滨;孙志嘉;黄伟希;刘伟康 -专利权人：东莞市新懿电子材料技术有限公司;东莞市伟懿实业有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明属于屏蔽材料制备技术领域，具体公开了一种吸收中子及屏蔽用环氧材料及其制备方法。本发明公开的吸收中子及屏蔽用环氧材料主要由环氧树脂10～25份、胺类固化剂5～15份、碳化硼60～85份、添加剂2～5份组成。本发明先将环氧树脂和碳化硼混合，进行捏合，得到混合料；然后再将混合料与胺类固化剂和添加剂混合，在特定温度下进行固化，得到吸收中子及屏蔽用环氧材料。本发明制备的吸收中子及屏蔽用环氧材料可塑性强，硬度高，可以根据客户使用要求，用模具制成不同形状、大小产品；得到的产品使用寿命长。另外，该材料能够耐受高低温(‑50℃～300℃)，具有优异的吸收中子或屏蔽效果。
一种吸收中子屏蔽用环氧材料及其制备方法

[发明专利]一种中子与带电粒子能量转换材料、制备方法及其应用-CN202211406220.5有效
发明人：陈昊鸿;于潜;王艳凤;唐彬;孙志嘉;李江;程梓秋;代正发;吴乐翔;许虹 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院高能物理研究所;散裂中子源科学中心
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种中子与带电粒子能量转换材料、制备方法及其应用，包括硫化锌和锂离子，锂离子与硫化锌中的硫离子形成化学键，并通过混合升温等步骤制备了可用于发光材料的能量转换材料。本发明的技术方案成本低廉，可实现大尺寸透明块体，而且发光波长范围和强度可以变化，可用于匹配不同的光电探测元件和光伏电池的灵敏度曲线，实现最佳的探测效率和电源效率等。
一种中子带电粒子能量转换材料制备方法及其应用

[发明专利]一种适用于多种工作环境的散热系统及其散热方法-CN202211196504.6在审
发明人：骆宏;刘洪斌;赵豫斌;周健荣;唐彬;修青磊;王艳凤;周晓娟;杨桂安;许虹;陈少佳;殷伟刚;曾莉欣;于莉;任佳义;肖亮;王修库;沈培迅;关北菊;庄建;李嘉杰;滕海云;徐俊;胡磊;周科;邱勇翔;赵东旭;王晓庄;廖礼江;孙志嘉 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种散热系统，尤指一种可应用于多种工作环境进行主动散热并能实时监控和平衡调节温度的一种适用于多种工作环境的散热系统及其散热方法；一种适用于多种工作环境的散热系统，所述的散热系统包括散热装置，所述散热装置包括紧贴安装在热源侧的半导体制冷片、热传导模块和导热填充料；所述的半导体制冷片包括冷面和热面；本发明颠覆了传统的在真空环境内设置一个非真空环境，然后采用水冷管或风冷管贯穿真空和非真空环境的做法，适用性很强，降低了成本，且不需要任何制冷剂可连续工作，没有污染源没有旋转部件，不会产生回转效应，工作时没有震动、噪音、寿命长，安装容易。
一种适用于多种工作环境散热系统及其方法

[发明专利]一种用于带电粒子探测谱仪真空靶室的真空气路系统-CN201811057475.9有效
发明人： 孙志嘉;周良;樊瑞睿;王艳凤;杨桂安;许虹;夏远光;唐彬;滕海云;周健荣;王征;陈元柏;周晓娟;修青磊 -专利权人：东莞中子科学中心
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于带电粒子探测谱仪真空靶室的真空气路系统。本申请用于带电粒子探测谱仪真空靶室的真空气路系统，包括真空组件和工作气体组件；真空组件包括耐冲击复合分子泵，复合分子泵用于独立的分别与真空靶室的真空腔体和探测器管道连通；工作气体组件包括高压气瓶，高压气瓶用于与探测器管道连通；高压气瓶和探测器的连通管道上设有稳压平衡罐。本申请的真空气路系统，能在真空环境下为探测器提供稳定工作气压，保障了检测环境稳定性，能有效避免压差不稳定造成粒子束窗破裂；稳压平衡罐的设计，为高压气瓶提供缓冲，避免探测器内气压突然变化，进而避免了探测器与真空腔体的压差突变对系统造成损坏，进一步保障了探测器使用安全性。
一种用于带电粒子探测真空空气系统

[发明专利]一种位置灵敏的3He管中子探测器仿真信号的产生方法-CN202211581640.7在审
发明人：殷伟刚;刘洪斌;赵豫斌;孙志嘉;周健荣;唐彬;修青磊;王艳凤;周晓娟;杨桂安;许虹;陈少佳;骆宏;曾莉欣;于莉;任佳义;肖亮;王修库;沈培迅;关北菊;庄建;李嘉杰;滕海云;徐俊;胡磊;周科;邱勇翔;廖礼江;王晓庄;赵东旭 -专利权人：散裂中子源科学中心
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种位置灵敏的3He管中子探测器仿真信号的产生方法，分别获得单次粒子击中的总脉冲幅度随机分布函数、中子击中探测器的时间间隔随机分布函数和中子击中3He管的随机位置分布函数；本发明根据总脉冲幅度随机分布函数、中子击中探测器的时间间隔随机分布函数和中子击中3He管的随机位置分布函数构建3He管两端信号的数字波形脉冲，再将数字波形脉冲通过两路DAC转化为真实的两路脉冲信号输出；并且，该两路脉冲信号源是能够包含位置分辨3He管中子探测器进行中子探测的能量、时间、位置分布信息的仿真信号源。本发明将十分有助于相应读出电子学的开发，特别是在位置测量算法优化和位置测量精度校准等领域有着重要作用。
一种位置灵敏 he 中子探测器仿真信号产生方法

[发明专利]一种应用于高分辨中子成像探测器的GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏及其制备方法-CN202110362203.5有效
发明人：李江;周健荣;孙志嘉;潘宏明;丁继扬;陈昊鸿;谢腾飞;陈元柏;蒋兴奋;周晓娟;夏远光;杨文钦 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N23/05 文献下载
摘要：一种应用于高分辨中子成像探测器的GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏及其制备方法。该GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏包括：基底、反射层薄膜以及厚度为微米级别的GOS:Tb透明陶瓷。本申请通过将GOS:Tb透明陶瓷封装在镀有反射层薄膜的刚性基底上，制得所述GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏。该GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏具有厚度薄、透明度高、形成闪烁体光斑小的特点，将其应用在中子成像探测器时，能在保证高分辨的前提下有效提高光产额，进而提高中子成像的空间分辨率。
一种应用于分辨中子成像探测器 gos tb 透明陶瓷闪烁及其制备方法

[发明专利]用于白光中子源带电粒子探测谱仪的压差平衡控制方法-CN201811056513.9有效
发明人： 孙志嘉;周良;樊瑞睿;王艳凤;杨桂安;许虹;夏远光;唐彬;滕海云;周健荣;王征;陈元柏;周晓娟;修青磊 -专利权人：东莞中子科学中心
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于白光中子源带电粒子探测谱仪的压差平衡控制方法。本申请的压差平衡控制方法，包括在真空组件与真空腔体连通管道上设第一比例调节阀和第一挡板阀；在真空组件与探测器连通管道上设第二比例调节阀和第二挡板阀；通过两个比例调节阀控制抽真空速度，实现压力差控制；即根据比例积分算法计算调节量△Am，真空腔体和探测器的调节量分别为负△Am和正△Am，关闭两个挡板阀，对两个比例调节阀进行调节，调节好后再开启两个挡板阀。本申请的压差平衡控制方法，能有效提高差压不平衡时的响应速度，压差越大，调整幅度越大，保障探测器粒子束窗在各个状态中均能不破裂，为真空靶室及带电粒子探测谱仪的正常运行提供了保障。
用于白光中子源带电粒子探测平衡控制方法

[发明专利]一种GaN中子探测器用的10-CN202011174878.9有效
发明人：朱志甫;邹继军;孙志嘉;唐彬;修青磊;张明智;王仁波;邓文娟;彭新村;汤彬 -专利权人：郑州工程技术学院;东华理工大学;散裂中子源科学中心
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法，包含以下步骤：在GaN体材料的两面分别沉积Cr/Pt/Au复合金属层并退火，制备成GaN器件；将10B4C粉末、丙酮和异丙醇形成的混合液装入胶管滴管中并超声混合均匀；将10B4C混合液分别滴在被匀胶机托盘吸附的GaN器件的正表面和背表面，启动匀胶机并加热，使10B4C中子转换材料均匀凝固在GaN器件的正表面和北表面；将聚酰亚胺悬涂在含有10B4C中子转换层的GaN器件正表面和背表面并烘烤固化，完成GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备，本发明具有制备工艺简单、制备周期短、原材料利用率高和厚膜厚度可控等优点，在热中子探测中实现了高的探测效率和高的灵敏度。
一种 gan 中子探测器用 base sup 10

[实用新型]中子探测器-CN202220610256.4有效
发明人：许虹;孙志嘉;周健荣;周晓娟;庄建;邓红桃;杨雪锋 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所;中国矿业大学
申请日： 2022-03-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本实用新型专利提供的是一种中子探测器，该中子探测器包括探测器模块和探测器支撑平台，所述探测器模块通过支撑平台密排式安装在位于微小角中子散射谱仪的真空散射腔体中的移动小车上；所述的探测器模块包括密闭腔体组件、3He管组件和拉紧机构；所述的3He管探测器模块通过零点定位器阵列安装在探测器支撑平台上，形成大面积探测面；所述3He管组件包括3He管主体、保护端头和电缆，所述保护端头位于3He管主体两端，与3He管主体之间焊接在一起。本实用新型拆装维护操作简单便捷，大大缩短了维护周期。
中子探测器

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