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[发明专利]用于防止流体的渗透和泄漏的多层且多环的密封件-CN202180072424.7在审
发明人：卡尔·弗雷德里克·利瑟;布兰得利·泰勒·施特伦;尼克·拉伊·小林百格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种密封件包含第一带状构件、第二带状构件、以及桥接构件，所述密封件用于防止流体通过所述密封件与第一主体之间的第一界面。第一带状构件在所述第一带状构件的第一侧限定第一带状密封表面。所述第一带状构件被配置成在被挤压至所述第一主体时与所述第一主体一起提供第一流体密封。第二带状构件在所述第二带状构件的第一侧限定第二带状密封表面，所述第二带状构件被配置成在被挤压至所述第一主体时与所述第一主体一起提供第二流体密封。所述第一带状构件和所述第二带状构件至少部分地在所述第一带状构件与所述第二带状构件之间限定空腔。桥接构件延伸通过所述空腔并且将所述第一带状构件连接至所述第二带状构件。
用于防止流体渗透泄漏多层密封件

[发明专利]一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法-CN202010719108.1有效
发明人：特洛伊·艾伦·戈姆;尼克·拉伊·小林百格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法。所述处理衬底的方法包括：将衬底放置在衬底基座上，将背部热传输气体或吹扫气体供给通过背部气体管路至在衬底的下表面下方的区域，背部气体管路包括在上部气体管路凸缘中的至少一个开口，使得至少一个相应的电气连接件能延伸通过上部气体管路凸缘。所述衬底基座包括：由陶瓷材料形成的台板，其具有构造成在处理期间支承所述衬底的上表面；杆，其由陶瓷材料形成并具有上部杆凸缘以支撑所述台板；由陶瓷材料形成的背部气体管路，其位于所述杆的内部，背部气体管路包括位于台板的下表面与上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，背部气体管路与台板的至少一个背部气体通道流体连通。
一种衬底基座及其制造方法处理

[发明专利]具有用于背面处理的不同站支持特征的多站处理工具-CN202180052569.0在审
发明人： 尼克·拉伊·小林百格;法亚兹·A·谢赫;阿鲁尔·N·达斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：提供了多站处理工具，具有用于背面加工的随站位变化的支撑特征。第一站中的支撑特征可以在背面沉积期间将晶片保持在第一组点处，在这些点处阻挡背面沉积、蚀刻或其他处理。第二站中的支撑特征可以在不与第一组点重叠的第二组点处支撑晶片。
具有用于背面处理不同支持特征工具

[发明专利]具有径向变化等离子体阻抗的承载环-CN202180051068.0在审
发明人： 尼克·拉伊·小林百格;法亚兹·A·谢赫;坎吉尔·李 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本文提供了具有径向变化的等离子体阻抗的承载环。在一些实施方案中，承载环可包括保持可移除内环的外环。外环可以由介电材料例如陶瓷形成。内环可以由诸如铝之类的金属形成以提供期望的阻抗。在一些其他实施方案中，承载环由具有径向变化阻抗的单件形成。
具有径向变化等离子体阻抗承载

[发明专利]用于抗腐蚀的摩擦搅拌处理-CN202180040912.X在审
发明人：基思·约瑟夫·马丁;尼克·拉伊·小林百格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：在一些示例中，提供了用于提高部件的抗腐蚀性的技术。在一些示例中，所述部件包含粒状金属材料。在所述材料上执行摩擦搅拌处理操作。所述摩擦搅拌处理操作包含使摩擦搅拌焊接工具的旋转头沿处理路径穿过所述粒状金属材料的表面厚度。
用于腐蚀摩擦搅拌处理

[发明专利]衬底处理系统中喷头的分组特征-CN202180032064.8在审
发明人：罗希特·欧德;尤金·斯马加西;杰弗里·沃马克;尼克·拉伊·小林百格;达莫达尔·拉贾拉姆·尚巴格;埃里克·马德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种方法包括：选择待加工的在第一公差范围内的多个第一特征；以及待加工的在选定特征的指定尺寸的第二公差范围内的多个第二特征，该第二特征相隔至少预定距离定位。该方法包括：使用工具的切割配件以加工在该第一公差范围内的第一特征，且当与该工具相关的造成第一选定特征的尺寸变化的参数达到预定阈值时，使用该切割配件以加工在该第二公差范围内的第二选定特征。在第二方法中，第一和第二特征的尺寸的平均值与指定尺寸的偏差小于或等于预定平均偏差，且第一和第二特征的尺寸的标准偏差小于或等于预定标准偏差。
衬底处理系统喷头分组特征

[发明专利]将射频(RF)信号与处理室的输入信号导体去耦-CN202180013978.X在审
发明人： 尼克·拉伊·小林百格;莫汉·蒂拉加拉杰 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种将RF信号从处理室的输入信号导体去耦的装置包括至少第一开关，以将能量存储元件与处理站内的有源元件去耦。在特定实施方案中，当第一开关处于断开位置时，位于电流发生器和能量存储元件之间的第二开关闭合，从而允许电流发生器对能量存储元件充电。响应于能量存储元件达到预定电压，第一开关可以闭合，第二开关可以断开，从而允许电流从能量存储元件放电到有源元件。在某些实施方案中，不允许第一和第二开关同时在闭合位置操作，从而防止RF从处理站耦合到电流发生器。
射频 rf 信号处理输入导体

[发明专利]用于衬底加工工具的承载环至基座的运动学安装-CN202080082022.0在审
发明人： 尼克·拉伊·小林百格;塞舒·尼玛拉;埃里克·马德森;里格尔·马汀·布鲁宁 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：用于将承载衬底的承载环安装到处理室内的基座的各种运动学安装件。各种运动学安装件中的每一个都在安装过程中提供平稳的滑动动作，减少不需要的颗粒的产生，并防止承载环自由落体到基座上。
用于衬底加工工具承载基座运动学安装

[发明专利]空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿-CN202080058049.6在审
发明人：法亚兹·A·谢赫;阿德里亚娜·文蒂拉;马修·马德洛;尼克·拉伊·小林百格;殷鑫;詹姆斯·F·李;布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于在晶片的下侧表面上沉积膜的等离子体加工室，包括喷头基座。喷头基座包括第一分区和第二分区。上分离器翅片设置在喷头基座的顶表面上方，并且下分离器翅片设置在喷头基座的顶表面下方并与上分离器翅片对齐。第一分区被配置用于将第一膜沉积到晶片的下侧表面，第二分区被配置用于将第二膜沉积到晶片的下侧表面。在另一个实施方案中，喷头基座的顶表面可以被配置为接收掩蔽板而不是上分离器翅片。掩蔽板配置有具有开口的第一区域和被掩蔽的第二区域。第一区域用于向晶片的下侧表面的一部分提供工艺气体以用于沉积膜。
空间可调沉积晶片差异弯曲进行补偿

[发明专利]通过电阻式热测量来控制喷头加热-CN201980052791.3在审
发明人： 尼克·拉伊·小林百格;柯蒂斯·W·贝利;伊斯瓦·斯里尼瓦桑;德文·佩尔基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于等离子体室的喷头包括：电阻式加热器，其被配置成接收功率以加热所述等离子体室的所述喷头；和电阻元件，其热接合至所述等离子体室的所述喷头。所述电阻元件响应于所述喷头的温度的改变而改变电阻。所述电阻元件被封装在绝缘材料中以使所述电阻元件与所述喷头电绝缘。所述绝缘材料是良好的热导体。基于所述电阻元件的所述电阻，接收至所述电阻式加热器的所述功率。
通过电阻测量控制喷头加热

[发明专利]包含背部气体输送管路的衬底基座模块及其制造方法-CN201610312750.1有效
发明人：特洛伊·艾伦·戈姆;尼克·拉伊·小林百格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及包含背部气体输送管路的衬底基座模块及其制造方法。半导体衬底处理装置包括：具有其中能处理半导体衬底的处理区域的真空室；与真空室流体连通的工艺气体源以供给工艺气体到真空室中；工艺气体通过其从工艺气体源供给到真空室的处理区域的喷头模块；和衬底基座模块。衬底基座模块包括：由陶瓷材料制成的台板，其具有构造成在处理期间支承半导体衬底的上表面；由陶瓷材料制成的杆，其具有支撑台板的上部杆凸缘；和由陶瓷材料制成的背部气体管路，其位于杆的内部。背部气体管路包括位于台板的下表面与上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，其中背部气体管路与台板的至少一个背部气体通道流体连通。
包含背部气体输送管路衬底基座模块及其制造方法

[发明专利]承载环结构及包含该承载环结构的室系统-CN201510929329.0有效
发明人：伊莱·乔恩;尼克·拉伊·小林百格;西丽斯·雷迪;爱丽丝·霍利斯特;隆格蒂瓦·梅塔帕浓 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及承载环结构及包含该承载环结构的室系统，提供了用在被实施用于沉积膜的室中的承载环以及使用该承载环的室。承载环具有环形盘形状，具有外边缘侧和晶片边缘侧。承载环具有在外边缘侧和晶片边缘侧之间延伸的承载环上表面。晶片边缘侧包括低于承载环上表面的较低的承载环表面。晶片边缘侧还包括多个接触支撑结构。每个接触支撑结构位于较低的承载环表面的边缘且具有介于较低的承载环表面和承载环上表面之间的高度，且接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角。台阶被限定在承载环上表面和较低的承载环表面之间。顶面边缘和较低的内边缘中的每一个具有圆的不锐利的边缘且接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触。
承载结构包含系统

[发明专利]承载环-CN201810305471.1在审
发明人：伊莱·乔恩;尼克·拉伊·小林百格;西丽斯·雷迪;爱丽丝·霍利斯特;隆格蒂瓦·梅塔帕浓 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及承载环，提供了用在被实施用于沉积膜的室中的承载环。承载环具有环形盘形状，具有外边缘侧和晶片边缘侧。承载环具有在外边缘侧和晶片边缘侧之间延伸的顶侧。晶片边缘侧包括低于承载环上表面的较低的承载环表面。晶片边缘侧还包括多个接触支撑结构。每个接触支撑结构位于较低的承载环表面的边缘且具有在较低的承载环表面上方延伸并且低于所述承载环上表面之间的高度，且接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角。台阶被限定在承载环上表面和较低的承载环表面之间。所述接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触以抬升和降低以及移动所述晶片。
承载环晶片边缘支撑结构上表面外边缘晶片环形盘形状下边缘表面拐角沉积膜渐变延伸顶侧抬升配置移动

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