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[实用新型]一种用于晶体生长炉的提升装置-CN202321039373.0有效
发明人：石刚;付春雷;孟显峰;杨飞;王宇 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于晶体生长炉的提升装置，包括坩埚；保温层，保温层盖设于坩埚上；提升装置还包括托举部、连接部和悬吊部，托举部和悬吊部分别设置在连接部的两端，且提升装置能够通过悬吊部与吊装设备连接；提升装置还包括设置在连接部上的锁紧部，锁紧部能够沿连接部的延伸方向移动；保温层上设置有供托举部通过的槽口，托举部能够槽口进入保温层和坩埚围绕形成的生长室内；在托举部进入生长室内的情况下，保温层能够设置在托举部和锁紧部之间，并通过托举部和锁紧部夹紧保温层。通过上述设置，可以实现对保温层的安装与拆卸，提升了晶体生长炉的装卸效率，同时提高了保温层装卸过程中的安全性。
一种用于晶体生长提升装置

[发明专利]一种应用于定向区熔生长卤化物晶体的方法和夹具-CN202310437516.1在审
发明人：徐朝鹏;尹祖荣;张镇玺;贾永超;力茂林;田东升 -专利权人：燕山大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于定向区熔生长卤化物晶体的方法和夹具，夹具包括嵌入晶体生长容器端部的石英塞，所述石英塞内侧为圆形通孔且圆形通孔内嵌入籽晶放置管，所述石英塞和籽晶放置管的轴线重合，所述籽晶放置管左侧封闭且内侧中心放置籽晶和与籽晶通过套筒连接的螺纹杆，所述籽晶放置管上下两侧分别螺纹连接有对籽晶上下位置进行调节的第一可调节旋钮，两个第一可调节旋钮的端部均固定设置有用于夹持籽晶的弧形夹片，所述籽晶放置管下侧螺纹连接有支撑并调节螺纹杆上下位置的第二可调节旋钮，所述螺纹杆通过传动装置调节籽晶的前后位置。本发明提高了夹持籽晶的稳定性与可调性，增强了籽晶与晶体生长原料的契合度，从而提高了籽晶的引晶效果。
一种应用于定向生长卤化物晶体方法夹具

[实用新型]一种单晶炉及单晶炉导气罩-CN202320417997.5有效
发明人：赵韧;高伟杰;刘超;康伟 -专利权人：双良硅材料（包头）有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶炉及单晶炉导气罩。通过在防护罩的下方设置刮除机构，刮除机构通过对导气筒内堆积的杂质进行刮除，能够有效避免杂质在导气筒内堆积，保证导气筒内保护气体正常流通，有效避免因杂质堆积所导致的炉压升高问题，进而减少异常停炉维修，提升了硅棒产量和品质。
一种单晶炉单晶炉导气罩

[发明专利]无孪晶单晶金属晶圆的制备方法-CN202210247183.1在审
发明人：刘忠范;竺叶澍;贾开诚;邵家新;李杨立志;孙禄钊;蔡阿利 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无孪晶单晶金属晶圆的制备方法。通过磁控溅射的方法在蓝宝石单晶晶圆衬底上溅射一定厚度的金属薄膜。将溅射好的金属/蓝宝石晶圆放置于平面加热板上，在金属晶圆和加热板之间放置一个一定尺寸的石墨垫片。石墨垫片位于金属晶圆中心位置的正下方，使得在平面加热板的升温过程中，金属晶圆位于一个由中心到边缘梯度分布的温度场中进行退火单晶化。通过调节石墨垫片的尺寸和加热板的温度，可以显著降低单晶金属晶圆的面内孪晶密度。本发明解决了现有金属晶圆单晶化过程中存在的面内孪晶问题，可以实现无孪晶单晶金属晶圆的可控制备。
无孪晶单晶金属制备方法

[发明专利]一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法-CN202310879940.1在审
发明人：薛艳艳;徐军;王庆国;肖迪;郑东 -专利权人：青岛华芯晶电科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶体制备领域，具体涉及一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法，装置包括保温层、发热体、带盖坩埚和升降装置；包括保温层、发热体、带盖坩埚和升降装置；保温层内设置腔体，升降装置设置于腔体内，升降装置能够在腔体内进行升降；带盖坩埚固定于升降装置顶部；发热体固定于腔体内部的顶部，使腔体内部形成高温区和低温区；带盖坩埚固定籽晶的部分设置于低温区，带盖坩埚的剩余部分设置于高温区。本发明通过垂直移动坩埚提供了晶体生长的驱动力，通过底部籽晶法的坩埚封闭设计有效防止硅蒸汽溢出，通过助溶剂降低晶体生长温度，能够有效抑制硅蒸汽的溢出，并保护保温层不受损坏，实现高品质碳化硅晶体的制备。
一种液相法生长碳化硅晶体装置方法

[发明专利]一种VB法生长磷化铟单晶的装置及方法-CN202310847932.9在审
发明人：李世强;柳廷龙;叶晓达;赵兴凯;魏荣贤;黄国勇;钱俊兵 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备领域，特别涉及一种VB法磷化铟单晶生长装置，包括底座、坩埚、炉体、石英管、加热器、支撑组件、升降旋转组件，所述升降旋转组件分别由两个独立的传动系统控制。本发明还提供了一种VB法磷化铟单晶生长方法，能够配合本发明所提装置制取长度达到150‑200mm的磷化铟单晶。本发明采用独立的坩埚升降和旋转装置，提高了装置运行的稳定性，降低了移动坩埚可能引起的振动，减少扩散边界层并实现液固面稳定、稳定加热和质量输运移减少温度波动，能有效提高单晶合格率。
一种 vb 生长磷化铟单晶装置方法

[发明专利]气体分流组件和具有其的晶体生长装置-CN202111547069.2有效
发明人：李向阳;陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体分流组件和具有其的晶体生长装置，晶体生长装置还包括炉体，炉体形成有保护气进口，气体分流组件适于设于炉体内且位于保护气进口的下游侧，气体分流组件包括多个分流件，多个分流件沿气流流向间隔排布，每个分流件包括多个支撑框和多个散风筋组，支撑框为环形，多个支撑框沿炉体的径向依次套设设置，每组散风筋组包括沿炉体的周向间隔设置的散风筋，相邻两个支撑框之间通过一组散风筋组相连，每个散风筋的两端分别与相应的两个支撑框相连。根据本发明的气体分流组件，可以使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定，以保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定，提升晶体品质。
气体分流组件具有晶体生长装置

[发明专利]一种底部籽晶定向凝固生长SiC单晶的装置及方法-CN202310473378.2在审
发明人：王志;钱国余;付文龙 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明提出一种底部籽晶定向凝固生长SiC单晶的装置及方法，所述装置包括反应生长腔、旋转托盘和浸入式旋转体。所述方法包括：在高温下预先熔炼硅基合金体，接着将所得的硅基合金体破碎后添加至反应生长腔内并固定于炉体底部的旋转托盘上，随后将炉体内的空气抽出并在维持一定压强的惰性气氛下将硅基合金加热到熔融状态；将浸入式旋转体浸入到硅基合金溶液中，而后调控炉体的温度进行SiC单晶生长；晶体生长结束后，对所得晶体进行处理得到高纯SiC单晶。该方法可有效改善SiC单晶生长的流场环境，有助于提高SiC单晶生长的速率和稳定性，同时采用定向凝固技术控制凝固过程中SiC的晶粒取向，消除横向晶界，有利于生长高纯SiC单晶。
一种底部籽晶定向凝固生长 sic 装置方法

[发明专利]铜箔的纯化方法-CN202210357816.4有效
发明人：刘开辉;寇金宗;张志强;乐湘斌;黄智;何梦林;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室;中科晶益（东莞）材料科技有限责任公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：一种铜箔的纯化方法，属于材料纯化领域。铜箔的纯化方法包括：在管式炉的中心温区放置组件，在惰性气体及氢气的混合气氛下，保持中心温区的温度为1050‑1070℃的条件下退火至少5h，获得纯化的单晶铜箔，其中，组件由含有杂质的多晶铜箔以及支撑多晶铜箔的载体构成，多晶铜箔为压延铜箔，惰性气体的流量为500‑600sccm，氢气的流量为30‑100sccm。该纯化方法不仅能够针对工业多晶铜箔直接净化，改善现有的纯化方法能耗大、制备难度高的问题，同时能够使工业多晶铜箔单晶化，提高产品性能。
铜箔纯化方法

[发明专利]超声预调制优化合金定向凝固柱状晶取向单晶制备方法-CN202310376713.7在审
发明人：翟薇;王昕;王建元;李玉泽;闫娜;胡亮;魏炳波 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声预调制优化合金定向凝固柱状晶取向单晶制备方法，包括步骤：一、材料装载；二、预紧力调整；三、抽真空；四、加热初始化；五、凝固界面超声预处理；六、定向凝固；七、定向凝固结束，卸载合金棒金。本发明在定向凝固过程之前施加超声场，通过对界面初始状态的调制，使得开始生长后，柱状晶生长的晶面一致性得到大幅度提高，既利用了超声对静止界面的调制作用，又避免了生长过程中超声对界面造成的失稳作用；提高了单晶制备的效率，且大幅度降低了成本，为提高单晶制备效率、提高品质提供了新的方案。
超声调制优化合金定向凝固柱状取向制备方法

[实用新型]一种用于区熔炉内轴定位结构-CN202223264078.3有效
发明人：付斌;王永涛;刘建涛;李清宝;尚锐刚 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：一种用于区熔炉内轴定位结构，包括内轴轴尖本体，该内轴轴尖本体包括杆状的第一本体；该第一本体外周设有第二本体；该第二本体一侧依次设有第一定位套、支撑筒、第二定位套及锁紧螺母；该第一定位套和第二定位套均包括环状的第三本体，该第一本体位于该第三本体内且二者之间无间隔；该第三本体外周设有若干截面呈圆弧型的定位板，各定位板对应的圆弧同心且该圆弧的圆心位于该第三本体的中轴线上；各定位板内侧与该第三本体外壁之间通过弹性连接件连接；该支撑筒包括圆筒状的第四本体，该第一本体位于该第四本体内；该第四本体两端分别设有圆形的支撑板，各支撑板分别与该第一定位套和第二定位套的侧面紧贴；该锁紧螺母与该第一本体通过螺纹连接。
一种用于熔炉定位结构

[发明专利]一种高纯碳化硅及其制备方法-CN202310047510.3在审
发明人：李奕铭;林宏达;翟虎;宋亚滨 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，公开了一种高纯碳化硅及其制备方法，该制备方法包括：(1)将碳化硅粉料进行除碳处理，得到第一碳化硅粉料；(2)将所述第一碳化硅粉料进行超声清洗处理并干燥，得到第二碳化硅粉料；(3)将碳粉、硅粉与所述第二碳化硅粉料进行混料处理，得到混合料I；(4)采用三阶段程序升温法将所述混合料I进行反应，得到高纯碳化硅。本发明提供的制备高纯碳化硅的方法，能够提高碳化硅晶体的纯度，并且能够提高大粒径碳化硅晶体的收率占比。
一种高纯碳化硅及其制备方法

[实用新型]一种长晶机重掺超低阻高炉压切换装置-CN202320034126.5有效
发明人：吴泓明;钟佑生;陈志刚;王俊仁;万军召 -专利权人：郑州合晶硅材料有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种长晶机重掺超低阻高炉压切换装置，包括真空泵、以及连接长晶机炉体以及所述真空泵的主真空管道；所述主真空管道上沿所述长晶机炉体至所述真空泵方向依次设有第一比例阀和第一球阀；所述主真空管道上在所述第一球阀的两端并联设置有直径小于所述主真空管道的副真空管道，所述副真空管道上设有第二比例阀和第二球阀。本申请提供的切换装置，可以根据实际生产需求，在低炉压和高炉压之间进行切换，满足生产重掺超低阻的硅单晶棒时对高炉压的需求，有效改善重掺超低阻的晶棒成长中晶棒阻值挥发，得到较低阻值掺值的晶棒，改善晶体的电阻率均匀性。
一种长晶机重掺超低阻高炉切换装置

[发明专利]一种高质量MoBiVO4-CN202211687435.9在审
发明人：许崇磊;武磊;张博;张中晗;张振;苏良碧 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量MoBiVO4单晶材料的生长方法。具体地，采用光学浮区生长方法制备Mo:BiVO4单晶材料。通过对生长工艺包括生长速度、氧气分压、相对转速的调控，获得高质量的Mo:BiVO4晶体，并进一步提高光电极内部的载流子传输分离效率及光电转换效率。
一种质量 mobivo base sub

[实用新型]一种新型单晶炉用排气管道系统-CN202223021679.1有效
发明人：张国华;李广敏;张华芹;姚伟 -专利权人：上海韵申新能源科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型单晶炉用排气管道系统，包括与单晶炉底连接的转接管，还包括排气管道和抽真空装置，抽真空装置包括软管和干泵，软管的一端与排气管道固定连接，另一端与干泵固定连接，排气管道与转接管连接，排气管道上设有漏流检测装置；单晶炉内气体从单晶炉底被吸出，气体经过排气管道、软管后从干泵排出从而完成抽真空。本实用新型提供的新型单晶炉用排气管道系统，采用“干泵+排气管道”的工作方式，不会造成工艺污染，安装方便，无介质泄露风险；通过调节干泵电源频率来调整抽真空功率，取消调节阀，节省成本，抽真空功率精准度更高；通过在排气管道上安装温度报警器，监测排气管内的温度，并对是否有硅液漏流进行有效监测。
一种新型单晶炉用排气管道系统

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