[发明专利]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202211170579.7 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115274846B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 刘丹 | 申请（专利权）人： | 晶通半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种高电子迁移率晶体管，属于半导体技术领域。本发明保护的高电子迁移率晶体管，包括：衬底和依次形成于所述衬底上的第一沟道层和第一势垒层。刻蚀形成第一凹槽，所述第一凹槽具有底面和侧壁。在所述第一势垒层上、所述侧壁和所述底面上形成第二沟道层。分别刻蚀所述第二沟道层形成第二凹槽和第三凹槽，填充第二凹槽和第三凹槽形成源极和漏极，在所述第一凹槽内填充形成栅极。本发明通过设置第二沟道层，使被刻蚀的第一沟道层的表面填充了第二沟道层，减小了刻蚀对第一沟道层的影响，同时，新增加的第二沟道层增加了源极到漏极的电子迁移通道，提升了电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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