[发明专利]用于形成光电器件的技术在审
| 申请号： | 201480016417.5 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105051919A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 | 申请（专利权）人： | QMAT股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;陈鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施方式涉及使用粒子加速器束流以从块状衬底形成材料的薄膜。在具体实施方式中，具有顶表面的块状衬底(例如，施体衬底)暴露于加速粒子的射束。在某些实施方式中，该块状衬底可包括GaN；在其他实施方式中，该块状衬底可包括Si、SiC、或者其他材料。然后，通过沿着通过从射束注入的粒子形成的裂化区域执行受控裂化处理使材料的薄膜或者晶片与块状衬底分开。在某些实施方式中，该分开的材料直接结合到光电器件中，例如从GaN块状材料裂化的GaN膜。在一些实施方式中，该分开的材料可以采用作为用于对光电器件有用的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长的模板。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 光电 器件 技术 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供GaN工件；将多个粒子引入所述GaN工件的表面以在所述GaN工件中形成裂化区域；将所述GaN工件的表面粘结至衬底；施加能量以从所述GaN工件的剩余部分裂化出GaN的分离厚度；并且处理带有GaN的分离厚度的衬底。
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