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[发明专利]车辆控制装置、车辆系统、车辆控制方法及存储介质-CN202080100108.1有效
发明人： 小林拓真;中村佳史 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B60W60/00 文献下载
摘要：一种车辆控制装置，其具备：驾驶控制部，其控制车辆的转向及加减速中的一方或双方；以及模式决定部，其将所述车辆的驾驶模式决定为包括第一驾驶模式和第二驾驶模式在内的多个驾驶模式中的任一种驾驶模式，所述第二驾驶模式是对所述车辆的驾驶员布置的任务与所述第一驾驶模式相比轻度、且由所述驾驶控制部控制所述转向及加减速中的一方或双方的驾驶模式，在所述驾驶控制部以所述第二驾驶模式控制着所述车辆的情况下，所述模式决定部基于搭载于所述车辆的刮水器的工作状态，来将所述驾驶模式变更为所述第一驾驶模式。
车辆控制装置系统方法存储介质

[发明专利]车辆控制装置、车辆系统、车辆控制方法及程序-CN202080107872.1在审
发明人：古森雄一;中村佳史;小林拓真;伊藤真吾;堀场步;加纳忠彦 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B60W50/02 文献下载
摘要：车辆控制装置具备：识别部，其识别车辆的周边状况；驾驶控制部，其对车辆的转向及加减速中的一方或双方进行控制；以及模式决定部，其进行如下处理：将所述车辆的驾驶模式决定为包括第一驾驶模式和第二驾驶模式在内的多个驾驶模式中的任一个驾驶模式，所述第二驾驶模式与所述第一驾驶模式相比对驾驶员布置的任务为轻度，并且由所述驾驶控制部控制所述车辆的转向及加减速中的一方或双方，所述驾驶控制部以所述第二驾驶模式控制着所述车辆，并且在组合开关、经由通信线连接在所述驾驶控制部与所述组合开关之间的与组合开关相关的设备、或者由所述组合开关和所述驾驶控制部进行的通信发生了异常的情况下，将所述驾驶模式变更为所述第一驾驶模式。
车辆控制装置系统方法程序

[发明专利]车辆控制装置-CN202011058697.X有效
发明人：中西大辅;石坂贤太郎;今西优辉;小林拓真 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B60W30/17 文献下载
摘要：本发明提供一种车辆控制装置。车辆控制装置具有的驾驶辅助控制部在本车辆的辅助状态为不需要为了继续进行规定的驾驶辅助功能而进行方向盘的把持操作的第2辅助状态时执行跟随行驶控制的过程中、且本车辆的动作状态处于停止状态时，在产生超过加速阈值的加速操作且存在前方行驶车辆的情况下，将本车辆的辅助状态维持在第2辅助状态且使本车辆的动作状态从停止状态迁移到起步预约状态，另一方面，在产生超过加速阈值且超过持续时间阈值的加速操作、且存在前方行驶车辆的情况下，使本车辆的辅助状态从第2辅助状态迁移到第1辅助状态，并且使第1辅助状态下的本车辆的动作状态从停止状态向起步预约状态迁移。据此，能够提高运用系统时的自由度。
车辆控制装置

[发明专利]移动体的控制系统-CN202210096672.1在审
发明人： 小林拓真 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B60Q9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种移动体的控制系统，可根据驾驶员的睡意是否有所改善来阶段性地改变振动位置。控制系统包括觉醒检测部以及控制部。觉醒检测部获取移动体的用户的觉醒状态。控制部基于觉醒状态，使配置于移动体的座椅中的振动装置振动。在移动体的移动过程中，当觉醒状态为规定阈值以下时，控制部执行第一振动控制。第一振动控制在远离用户的心脏的远方位置使振动装置振动。在执行第一振动控制后，当觉醒状态为规定阈值以下时，控制部执行与第一振动控制振动特性不同的第二振动控制。
移动控制系统

[发明专利]SiC半导体元件的制造方法及SiC半导体元件-CN202180039705.2在审
发明人：木本恒畅;小林拓真;立木馨大 -专利权人：国立大学法人京都大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：SiC半导体元件的制造方法包括：在1200℃以上的温度下使用H2气体对SiC衬底(1)的表面进行蚀刻的步骤；在不使SiC衬底氧化的条件下，将SiO2膜(3、4)形成在SiC衬底上的步骤；以及在1350℃以上的温度下，在N2气体气氛中对形成有SiO2膜的SiC衬底进行热处理的步骤。
sic 半导体元件制造方法

[发明专利]车辆控制装置及车辆控制方法-CN202110241565.9有效
发明人：广泽望;中村佳史;小林拓真 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B60W30/18 文献下载
摘要：一种车辆控制装置及车辆控制方法。车辆控制装置(10)具有外界识别部(80)和车道变更控制部(92)，其中所述外界识别部(80)识别本车辆(120)的周围状况；所述车道变更控制部(92)根据外界识别部(80)的识别结果，通过控制本车辆(120)的行驶速度和操舵来执行自动车道变更，自动车道变更包括第1车道变更(第3模式)和第2车道变更(第2模式)，其中，所述第1车道变更是指与驾驶员的意图无关而执行的车道变更，所述第2车道变更是指根据驾驶员的意图而执行的车道变更，在执行第1车道变更时检测到第2车道变更的请求的情况下，车道变更控制部(92)将执行的自动车道变更从第1车道变更切换为第2车道变更。据此，能够减轻驾驶员的不适感。
车辆控制装置方法

[发明专利]驾驶支援装置、驾驶支援方法及存储介质-CN202210159181.7在审
发明人：梶原悠吾;滨田和真;小林拓真 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B60W40/08 文献下载
摘要：提供能够在恰当的时机执行由车辆的驾驶员的姿势走样引起的报告处理的驾驶支援装置、驾驶支援方法及存储介质。驾驶支援装置具备：状况信息取得部，其取得车辆的状况信息；姿势检知部，其检知车辆的驾驶员的姿势；以及报告处理部，其执行使信息从报告装置输出的报告处理，在检知到的姿势与第一姿势组中的任一种姿势吻合的情况下，报告处理部执行报告处理，在状况信息所示的状况与特定状况吻合且检知到的姿势与第一姿势组所包含的第二姿势组中的任一种姿势吻合的情况下，报告处理部基于规定现象的发生频率来抑制报告处理的执行，该规定现象是表示报告处理没有成为有效的现象。
驾驶支援装置方法存储介质

[发明专利]车辆控制装置、车辆、车辆控制装置的动作方法以及存储介质-CN202110250392.7有效
发明人：广泽望;加藤大智;小林拓真;中村佳史 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B60W30/18 文献下载
摘要：本发明提供用于即使在进行了加速减速的介入操作的情况下也实施考虑了安全性的车辆控制的技术。本发明提供一种车辆控制装置，其基于车辆的周边信息来控制所述车辆，其中，所述车辆控制装置具备控制单元，所述控制单元能够在需要所述车辆的驾驶员把持转向装置的第一状态或者不需要所述把持的第二状态下，控制所述车辆的转向以及加速减速，所述控制单元在所述车辆以所述第二状态行驶时，在执行所述车辆的行进路线变更的情况下且是检测到所述驾驶员对所述加速减速进行的介入操作的输入的情况下，从所述第二状态向所述第一状态转变。
车辆控制装置动作方法以及存储介质

[发明专利]车辆、车辆的控制装置以及存储介质-CN202011604748.4有效
发明人： 小林拓真;中村佳史 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B60W60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种车辆的控制装置，车辆具有转向操作件，控制装置具备：环境检测部，其检测车辆的周边环境；行驶控制部，其能够执行基于周边环境的自动转向控制；以及动作检测部，其检测驾驶员所进行的第一动作以及第二动作。行驶控制部能够采取不进行自动转向控制的第一状态、以第二动作为条件而进行自动转向控制的第二状态、以及不以第二动作为条件而进行自动转向控制的第三状态。行驶控制部为了从第三状态向第一状态转变而以第一动作为条件。
车辆控制装置以及存储介质

[发明专利]车辆控制装置、车辆、车辆控制装置的动作方法以及存储介质-CN202110101024.6在审
发明人： 小林拓真;中村佳史 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B60W50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于通过简单的操作恢复到原来的行驶控制状态的技术。本发明提供一种车辆控制装置，其基于车辆的周边信息来控制所述车辆，所述车辆控制装置具备：第一操作件，其用于开始第一行驶控制；第二操作件，其用于在所述第一行驶控制结束后再次开始所述第一行驶控制；第三操作件，其用于在所述第一行驶控制中进一步开始第二行驶控制；以及控制机构，在所述第一行驶控制以及所述第二行驶控制工作中所述第一行驶控制以及所述第二行驶控制基于相同的条件或者相同的时机而结束的情况下，所述控制机构根据所述第二操作件的操作而使所述第一行驶控制以及所述第二行驶控制再次开始。
车辆控制装置动作方法以及存储介质

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201980008940.6在审
发明人：木本恒畅;小林拓真;中野佑纪;明田正俊 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括：具有1.0×1022cm‑3以上的碳密度的SiC半导体层，形成于前述SiC半导体层上、且具有与前述SiC半导体层相接的连接面和位于前述连接面相反侧的非连接面的SiO2层，形成于前述SiO2层的前述连接面的表层部、且碳密度朝向前述SiO2层的前述非连接面递减的碳密度递减区域，以及形成于前述SiO2层的前述非连接面的表层部、且具有1.0×1019cm‑3以下的碳密度的低碳密度区域。
半导体装置及其制造方法

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