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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]SiC半导体装置-CN202180092481.1在审
发明人： 中野佑纪;白神弘章;山本兼司 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：SiC半导体装置包含：具有主面的SiC芯片；形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域；以及以与上述漂移区域形成pn结部的方式形成于上述漂移区域内的p型杂质区域。
sic 半导体装置

[发明专利]宽带隙半导体装置-CN202280013916.3在审
发明人： 中野佑纪;久津间保德 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2022-02-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：宽带隙半导体装置包括：包含宽带隙半导体且具有主面的芯片；配置在上述主面之上的主面电极；以及包含基质树脂及多个填充物且以使上述主面电极的一部分露出的方式包覆上述主面的热固化性树脂。
宽带半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201880008179.1有效
发明人：坂口拓生;明田正俊;中野佑纪 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其包含：半导体层，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；单位单元，其包含：在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成的第一导电型的二极管区域、在所述半导体层的所述第一主面的表层部沿着所述二极管区域的周缘形成的第二导电型的阱区、以及在所述阱区的表层部形成的第一导电型区域；栅极电极层，其隔着栅极绝缘层与所述阱区及所述第一导电型区域对置；以及第一主面电极，其在所述半导体层的所述第一主面上包覆所述二极管区域和所述第一导电型区域，并在与所述二极管区域之间形成肖特基接合，且在与所述第一导电型区域之间形成欧姆接合。
半导体装置

[发明专利]SiC半导体装置-CN202180092319.X在审
发明人：山本兼司;中野佑纪 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、以及形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域。
sic 半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180075809.9在审
发明人： 中野佑纪 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：半导体装置包括：芯片，其具有一方侧的第一主面以及另一方侧的第二主面，且包含设定于上述第一主面的内方部的活性面、以及设定于上述第一主面的周缘部的外侧面；功能设备，其形成于上述活性面侧；突出构造，其包含无机物，且突出设置于上述外侧面侧；以及有机膜，其包覆上述突出构造。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202211546753.3在审
发明人： 中野佑纪;中村亮太 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202211546791.9在审
发明人： 中野佑纪;中村亮太 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202310046900.9在审
发明人： 中野佑纪;中村亮太;坂入宽之 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，其包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2、)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9、)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。
半导体装置

[发明专利]SiC半导体装置-CN202180042653.4在审
发明人：森诚悟;山本兼司;白神弘章;中野佑纪;美浓出圭悟 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面；沟槽栅极构造，其形成于上述主面；沟槽源极构造，其在一方方向上从上述沟槽栅极构造分离地形成于上述主面；绝缘膜，其在上述主面之上包覆上述沟槽栅极构造以及上述沟槽源极构造；栅极主面电极，其形成于上述绝缘膜之上；以及栅极配线，其以在上述一方方向上横穿上述沟槽栅极构造以及上述沟槽源极构造的方式，从上述栅极主面电极被引出至上述绝缘膜之上，贯通上述绝缘膜而与上述沟槽栅极构造电连接，且隔着上述绝缘膜而与上述沟槽源极构造对置。
sic 半导体装置

[发明专利]SiC半导体装置-CN202180040234.7在审
发明人：山本兼司;森诚悟;白神弘章;中野佑纪;上野真弥 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；沟槽构造，其以从上述连接面露出的方式形成于上述第一面；以及侧壁配线，其以包覆上述连接面的方式形成于上述第二面之上，且与上述沟槽构造电连接。
sic 半导体装置

[发明专利]SiC半导体装置-CN202180042610.6在审
发明人：森诚悟;山本兼司;白神弘章;中野佑纪;上野真弥 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向以第一深度凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；晶体管构造，其包含具有小于上述第一深度的第二深度的沟槽栅极构造、以及具有超过上述第二深度的第三深度且与上述沟槽栅极构造在一方方向上相邻的沟槽源极构造，并形成于上述第一面的内方部；以及虚拟构造，其包含分别具有上述第三深度且在上述一方方向上相邻的多个虚拟沟槽源极构造，并形成于上述第一面的周缘部。
sic 半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180036543.7在审
发明人： 中野佑纪 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电型的漂移区域，其形成于上述主面的表层部；第二导电型的主体区域，其形成于上述漂移区域的表层部；第一导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；多个沟槽源极构造，其以横穿上述源极区域以及上述主体区域而到达上述漂移区域的方式形成于上述主面，在第一方向上空出间隔地排列；第二导电型的主体连接区域，其以与上述主体区域电连接的方式在上述主体区域的表层部中形成于接近的两个上述沟槽源极构造之间的区域；以及第一导电型的源极连接区域，其以与上述源极区域电连接的方式在上述主体区域的表层部中且在与上述主体连接区域不同的区域形成于接近的两个上述沟槽源极构造之间的区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201810083012.3有效
发明人： 中野佑纪;中村亮太;坂入宽之 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供能够提高沟槽的上部边缘中的栅极绝缘膜的耐压的半导体装置以及其制造方法。半导体装置(1)包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置、半导体封装件以及它们的制造方法-CN202180032820.7在审
发明人： 中野佑纪;久津间保德 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面的半导体层、包含覆盖所述第一主面的第一电极以及具有比所述第一电极高的硬度且覆盖所述第一电极的第二电极的第一主面电极、以及覆盖所述第一主面电极的氧化层。
半导体装置封装以及它们制造方法

[发明专利]电子部件-CN202180035113.3在审
发明人： 中野佑纪;上野真弥 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：电子部件包含：覆盖对象；电极，其覆盖所述覆盖对象，并在所述覆盖对象之上具有电极侧壁；无机绝缘膜，其具有以使所述电极侧壁露出的方式覆盖所述电极的内覆盖部；以及有机绝缘膜，其覆盖所述电极侧壁。
电子部件

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