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[实用新型]氧化镓场效应晶体管-CN201721559577.1有效
发明人：吕元杰;宋旭波;冯志红;周幸叶;王元刚;谭鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管。氧化镓场效应晶体管包括：衬底、氧化镓沟道层、源极、漏极和栅极，所述衬底上表面为所述氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层的两侧分别为所述源极和所述漏极，所述氧化镓沟道层的中部为所述栅极，所述栅极全包围所述氧化镓沟道层。本实用新型实施例提供的氧化镓场效应晶体管，在通过提高氧化镓沟道层的厚度以提高电流密度时，通过将栅极设计为全包围所述氧化镓沟道层，不会导致栅控变差，能够获得良好的栅控。
氧化场效应晶体管

[实用新型]蓝宝石掏棒机-CN201721069749.7有效
发明人： 宋旭波;齐绍周;姚恒;魏超;王平;彭存振 -专利权人：山东新升光电科技有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蓝宝石掏棒机，包括机体、主轴、掏棒刀、工作台，所述机体为铣床机体，主轴连接机体的电机轴，掏棒刀安装在主轴上，工作台设置在主轴下方。设备由数控铣床加工中心改造而成，将铣床主轴更换为掏棒机专用主轴，保证超长钻头的同心度，同时可以承受住大扭矩。工作台既可以做圆周转动也可以调节倾斜角度，方便了对工件的定位及固定。设备内部设置有强制水冷系统，刀具及晶体冷却充分，加工时晶体表面应力小、光洁度高，加工效率、精度高。
蓝宝石掏棒机

[实用新型]蓝宝石切割机-CN201721069819.9有效
发明人：齐绍周;宋旭波;姚恒;魏超;王平;彭存振 -专利权人：山东新升光电科技有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蓝宝石切割机，包括底座、支架、升降机构、工作台、切割机构、升降板，所述支架包括两根立柱，两立柱的顶部设置一根横梁，支架安装在底座上；升降机构设置在支架上，升降机构包括丝杠、螺母、滑轨、滑块、电机，电机设置在横梁上，电机连接丝杠，螺母安装在丝杠上，滑轨安装在立柱上，滑块安装在滑轨上，升降板连接螺母、滑块，切割机构设置在升降板上，工作台设置在切割机构下方的底座上。该切割机采用龙门双柱式结构，坚固耐用，有效加工尺寸大，适合切割大重量蓝宝石晶锭；把普通液压油缸升降改为电机，电机带动丝杠控制升降，可灵活控制升降速度。
蓝宝石切割机

[实用新型]蓝宝石检测专用测高仪-CN201721069799.5有效
发明人： 宋旭波;齐绍周;姚恒;魏超;王平;彭存振 -专利权人：山东新升光电科技有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蓝宝石检测专用测高仪，包括校验平台、支架、导向机构、千分表，校验平台水平设置，支架竖直设置在校验平台上，导向机构包括导杆、导套，导杆竖直设置在支架上，导套安装在导杆上，千分表连接导套。该测高仪的校验平台为00级的铸铁校验平台，支架用铝合金方管制作，通过在校验平台上钻孔攻丝固定支架，通过调节上下调节导套可实现对千分表高度的调节，从而测量不同高度的蓝宝石胚料。
蓝宝石检测专用测高仪

[发明专利]氧化镓场效应晶体管-CN201711162584.2在审
发明人：吕元杰;宋旭波;冯志红;周幸叶;王元刚;谭鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管。氧化镓场效应晶体管包括衬底、氧化镓沟道层、源极、漏极和栅极，所述衬底上表面为所述氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层的两侧分别为所述源极和所述漏极，所述氧化镓沟道层的中部为所述栅极，所述栅极全包围所述氧化镓沟道层。本发明实施例提供的氧化镓场效应晶体管，在通过提高氧化镓沟道层的厚度以提高电流密度时，通过将栅极设计为全包围所述氧化镓沟道层，不会导致栅控变差，能够获得良好的栅控。
氧化场效应晶体管

[实用新型]石墨烯射频放大器-CN201720619793.4有效
发明人： 宋旭波;蔚翠;何泽召;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯射频放大器，涉及放大器技术领域。所述放大器包括印刷电路板，所述电路板包括衬底，所述衬底的上表面设有石墨烯P沟道MOSFET管芯、输入端隔直电容、输入阻抗变换器、1/4波长输入微带线、外加栅压、旁路电容、第一焊盘、1/4波长输出微带线、输出端阻抗变换器、外加漏压的焊点以及输出端隔直电容。第一焊盘与所述MOSFET管芯的栅极之间通过键合金丝连接；所述MOSFET管芯的源极接地；所述MOSFET管芯的漏极与输出端阻抗变换器的一端连接。所述放大器可实现较高的增益并具有良好的驻波比。
石墨射频放大器

[发明专利]一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构-CN201510196111.9有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;敦少博;徐鹏;宋旭波;周幸叶;谭鑫;顾国栋;郭红雨;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构，涉及半导体器件技术领域；通过采用离子注入或挖槽技术实现沟道层上栅电极正下方区域沿栅电极的宽度方向沟道浓度单调递增，有效增加了栅控晶体管的线性度。本发明结构应用于栅控晶体管，相比于前馈法和功率回退法，简化了电路结构和体积，提高了栅控晶体管的输出功率和效率，方法简便，可靠性高。
一种提高晶体管线性方法及其结构

[实用新型]基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件-CN201720593804.6有效
发明人：周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件，涉及微电子器件技术领域，自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅介质层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极；将AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件栅电极下方的异质结刻蚀形成纳米沟道，则纳米沟道两侧区域不存在二维电子气，栅电极包裹在纳米沟道的上方及两侧壁，由于栅电极从三个方向对沟道内的电子进行调制，栅控能力强，能够很好地抑制短沟效应。当纳米沟道的宽度很小时，沟道内的二维电子气被耗尽，器件实现增强型。采用凹槽栅结构，纳米沟道和凹槽栅共同作用，可以保证器件在实现增强型的同时具有较大的纳米沟道宽度，减小导通电阻。
基于纳米沟道凹槽增强 gan 晶体管器件

[实用新型]高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构-CN201720594509.2有效
发明人： 宋旭波;吕元杰;敦少博;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构，涉及GaN HEMT器件结构技术领域，自下而上包括接地层、衬底、沟道层、势垒层、绝缘介质、台面、填充区、栅极、源极和漏极；栅极和漏极下面为绝缘介质，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，填充区内填充金，接地层为金，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，然后填充金，由于金具有良好的导电性，因此栅极和漏极对地之间的寄生电导减小，从而降低了射频信号在衬底上的损耗，提高器件的射频性能。
衬底 ganhemt 管芯结构

[实用新型]N型GaN极化掺杂欧姆接触电极-CN201720784788.9有效
发明人：房玉龙;宋旭波;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-07-01 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，涉及N‑GaN欧姆接触电极技术领域，N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，在N型GaN极化掺杂结构上是Si/Ti/Al/Ni/Au结构的电极，半导体工艺中金属都会进行高温退火处理，高温下Si扩散到N型GaN极化掺杂结构中，相当于增加了N型GaN表面掺杂的作用，从而改善欧姆接触电阻，降低N型GaN极化掺杂器件的电压，Ni/Au层Au起到抗氧化的作用，Al/Au之间的中间层则起到晶格过渡和防止Al层球化的作用。
gan 极化掺杂欧姆接触电极

[发明专利]用于汽车车灯的矩阵式LED驱动控制系统及控制方法-CN201710538962.6在审
发明人： 宋旭波 -专利权人：上海小糸车灯有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种用于汽车车灯的矩阵式LED驱动控制系统及控制方法，属照明领域。其由多个LED颗粒构成一个LED阵列，设置至少一个LED矩阵管理器，通过控制LED矩阵管理器中每一个开关管的通断时间来单独控制每一颗LED颗粒的亮度；通过设置LED矩阵管理器，在主控制单元和LED阵列之间，构成一个“一对多”的扩展控制模式；进而扩展可控制的LED颗粒数量。本技术方案有助于降低整个LED车灯及其控制系统的制造成本，可以在不改变整体拓扑的条件下，根据实际LED数量对LED矩阵管理器数量进行选择，实时诊断出每一颗LED的故障状态，进一步简化了矩阵式LED驱动控制系统的拓扑结构。可广泛适用于汽车大灯的设计、制造或控制领域。
用于汽车车灯矩阵 led 驱动控制系统控制方法

[发明专利]一种高精度测量晶片横向对准误差的方法-CN201510470083.5有效
发明人： 宋旭波;冯志红;吕元杰;王元刚;顾国栋;谭鑫;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤1）在光刻版上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片横向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于l1与l2的差值，其l1和l2相差不大于0.1，故实现对晶片横向误差高精度的读取。
一种高精度测量晶片横向对准误差方法

[发明专利]氧化镓场效应晶体管的制备方法-CN201710596165.3在审
发明人：吕元杰;宋旭波;冯志红;谭鑫;王元刚;周幸叶;马春雷;邹学锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤去除氧化镓外延片无源区域对应的氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；所述氧化镓外延片从下至上依次为衬底层、氧化镓缓冲层、掺杂氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；去除所述氧化镓外延片的栅区对应的重掺杂氧化镓层；分别在源区和漏区的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；所述源区和所述漏区分别位于所述栅区的两侧；在所述栅区的上表面覆盖第二金属层形成栅极。本发明能够避免降低氧化镓场效应晶体管的击穿电压。
氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法-CN201510469864.2有效
发明人： 宋旭波;冯志红;吕元杰;王元刚;顾国栋;谭鑫;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤1）在光刻版上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片纵向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于l1与l2的差值，其l1和l2相差不大于0.1，故实现对晶片纵向误差高精度的读取。
一种高精度测量晶片纵向对准误差方法

[发明专利]一种低损伤介质栅及其制备方法-CN201710335407.3在审
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;宋旭波;谭鑫;周幸叶;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损伤介质栅及其制备方法，涉及半导体高频功率器件和高压器件技术领域；包括从下到上依次为衬底、沟道层、势垒层和钝化层，源金属和漏金属位于器件两侧，栅金属位于源金属和漏金属之间，首先干法刻蚀钝化层直至势垒层，然后在刻蚀位置淀积栅金属，势垒层与钝化层之间设有阻挡层，作为刻蚀终止层；避免刻蚀工艺损伤器件表面，降低栅漏电，提高了介质栅的成品率。
一种损伤介质及其制备方法