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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]极化栅极堆叠SRAM-CN201680083053.1有效
发明人： D.H.莫里斯;U.E.阿夫齐;I.A.扬 -专利权人：太浩研究有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：一个实施例提供了一种设备。所述设备包含：包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的第一反相器；被交叉耦合到所述第一反相器的第二反相器，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；被耦合到所述第一反相器的第一访问晶体管；以及耦合到所述第二反相器的第二访问晶体管。每个反相器的一个晶体管的栅电极包括极化层。
极化栅极堆叠 sram

[发明专利]具有鳍间浮栅的半易失性嵌入式存储器装置和方法-CN201580081243.5有效
发明人： U.E.阿夫西;D.H.莫里斯;I.A.扬;S.M.拉梅 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本公开的实施例提供用于具有鳍间浮栅的半易失性嵌入式存储器的技术和配置。在一个实施例中，一种设备包括半导体衬底以及在半导体衬底上形成的浮栅存储器结构，其包含位单元，所述位单元具有：从衬底延伸的第一、第二和第三鳍结构；氧化物层，设置在第一与第二鳍结构之间和第二与第三鳍结构之间；第一晶体管的栅极，设置在氧化物层上，并且与第一鳍结构的顶部耦合并在其之上延伸；以及第二晶体管的浮栅，设置在第二与第三鳍结构之间的氧化物层上。可描述和/或要求保护其他实施例。
具有鳍间浮栅半易失性嵌入式存储器装置方法

[发明专利]具有非易失性留存的基于铁电的存储器单元-CN201580079294.4有效
发明人： D.H.莫里斯;U.E.阿夫西;I.A.扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：描述了一种装置，所述装置包括：可通过写字线（WWL）进行控制的第一存取晶体管；可通过读字线（RWL）进行控制的第二存取晶体管；以及耦合到第一和第二存取晶体管的铁电单元，其中铁电单元经由WWL可编程并且经由RWL可读。描述了一种方法，所述方法包括：驱动耦合到第一存取晶体管的栅极端子的WWL以使第一存取晶体管接通；以及驱动耦合到第一存取晶体管的源极/漏极端子的写位线WBL，当第一存取晶体管接通时，被驱动的WBL用于使耦合到第一存取晶体管的存储节点充电或放电，其中铁电单元耦合到存储节点并且可根据经充电或放电的存储节点进行编程。
具有非易失性留存基于存储器单元

[发明专利]按对角线布置的一个晶体管和一个铁电电容器存储器单元-CN201910748584.3在审
发明人： D.H.莫里斯;U.E.阿夫奇;I.A.杨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本文描述的是按照对角线布置的一个存取晶体管和一个铁电电容器（1T‑1FECAP）存储器单元以及对应方法和装置。当存储器单元的存取晶体管实现为FinFET时，则在第一对角线布置中，存储器单元布置成使得单元的BL相对单元的存取晶体管的鳍是对角线的，而单元的WL与鳍垂直。在第二对角线布置中，存储器单元布置成使得单元的存取晶体管的鳍相对单元的WL是对角线的，而单元的BL与WL垂直。这类对角线布置可有利地允许取得1T‑1FE‑CAP存储器单元的高布局密度，并且可获益于以相对较小适配对前端晶体管过程技术的再使用。
对角线布置一个晶体管电容器存储器单元

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