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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能单电池和太阳能电池组件-CN202010211603.1在审
发明人：藤田和范;松山谦太 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：太阳能单电池(10)包括：具有第1主面(21)和第2主面(22)的第1导电型的半导体基片(20)；配置于第1主面的第1导电型的第1半导体层(30)；和配置于第2主面的第2导电型的第2半导体层(40)，半导体基片(20)包含：第1导电型的第1杂质区域(23)；配置于第1杂质区域与第1半导体层之间的第1导电型的第2杂质区域(24)；和配置于第1杂质区域(23)与第2半导体层(40)之间的第1导电型的第3杂质区域(25)，第2杂质区域(24)的第1导电型的杂质浓度比第3杂质区域(25)的第1导电型的杂质浓度高，第3杂质区域(25)的第1导电型的杂质浓度比第1杂质区域(23)的第1导电型的杂质浓度高。
太阳能电池太阳能电池组件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910260392.4无效
发明人：金锺玟 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：用于制造半导体器件的方法包括步骤：执行第一注入将第一导电型杂质注入到半导体衬底中，以形成第一导电型第一阱；执行第二注入将第二导电型杂质注入到第一导电型第一阱中，以形成第一导电型第二阱；执行第三注入将第二导电型杂质注入到第一导电型第二阱中，以形成第二导电型杂质区；在半导体衬底上形成栅极；以及执行第四注入来注入第二导电型杂质以在栅极的一侧上的第二导电型杂质区中形成漏极区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010216709.0在审
发明人：田中宏幸;东真砂彦 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：利用PN接合的二极管元件，在具有P型或N型的第一导电型的半导体基板(1)的表面，包括具有第一导电型的高浓度第一导电型杂质区域(6)、具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的高浓度第二导电型杂质区域(5)、以及由高浓度第一导电型杂质区域与高浓度第二导电型杂质区域夹着的元件分离区域(2)；以及浮游层(3)，在半导体基板的高浓度第二导电型杂质区域的下方与高浓度第二导电型杂质区域隔开且具有第二导电型。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]太阳能单电池-CN201880014765.7在审
发明人：瀬能未奈都;难波伸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：太阳能单电池(10)包括具有受光面及背面的第1导电型的半导体衬底(20)、设置于背面上的第1导电型的第1半导体层(50)、和设置于背面上的第2导电型的第2半导体层(51)，半导体衬底(20)具有：具有第1导电型的杂质的第1杂质区域(40)；和设置于第1杂质区域(40)与第1半导体层(50)之间的、具有第1导电型的杂质的第3杂质区域(42)，第3杂质区域(42)的第1导电型的杂质浓度高于第1杂质区域(40)的第1导电型的杂质浓度，半导体衬底(20)与第1半导体层(50)的接合是异质结。
导电型杂质区域半导体层衬底半导体单电池太阳能背面接合受光面异质结

[发明专利]半导体装置-CN200510067312.5无效
发明人：今桥学;小仓弘义;绳手优克 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：具有在第1导电型半导体区域上形成的输出焊盘的半导体装置的浪涌吸收部，备有：第2导电型岛状半导体区域；在第2导电型岛状半导体区域的底部和第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；在第2导电型岛状半导体区域上形成的且与第1导电型半导体区域同电位连接的第1导电型杂质层；在第1导电型杂质层上形成且与输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；包围第1导电型杂质层且到达第2导电型埋入层的环状第2导电型层。其中环状第2导电型层与规定的电位连接并且包含比第2导电型岛状半导体区域浓度高的第2导电型杂质。
半导体装置

[发明专利]背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池的制造方法-CN201180031967.0有效
发明人：伊坂隆行 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种背面电极型太阳能电池及其制造方法。该背面电极型太阳能电池（1，14）具有：第一导电型硅基板（4）、设置于与硅基板（4）的受光面相反一侧的面即背面的第一导电型用电极（2）及第二导电型用电极（3）、设置于硅基板（4）背面的第一导电型杂质扩散层（9）及第二导电型杂质扩散层（10），第一导电型杂质扩散层（9）与第二导电型杂质扩散层（10）相邻设置，在硅基板（4）背面的外周边缘设有第一导电型杂质扩散层（9）。
背面电极太阳能电池制造方法

[发明专利]摄像装置-CN202080006129.7在审
发明人：佐藤好弘;高见义则 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一技术方案的摄像装置具备：光电变换部，将入射光变换为电荷；第1杂质区域，位于半导体基板中，与光电变换部电连接，包含第1导电型的杂质；与第1杂质区域不同的第2杂质区域，位于半导体基板中，包含第1导电型的杂质；第3杂质区域，位于半导体基板中，在平面视下位于第1杂质区域与第2杂质区域之间，包含与第1导电型不同的第2导电型的杂质；以及第1接触部，位于半导体基板上，与第3杂质区域电连接，包括包含第2导电型的杂质的半导体
摄像装置

[发明专利]光电变换装置及其制造方法和摄像系统-CN200810166297.3有效
发明人：让原浩;三岛隆一;渡边高典;市川武史;田村清一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
光电变换装置及其制造方法摄像系统

[发明专利]光电变换装置及其制造方法和摄像系统-CN200410100705.7有效
发明人：让原浩;三岛隆一;渡边高典;市川武史;田村清一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
光电变换装置及其制造方法摄像系统

[发明专利]半导体装置-CN201911088735.3在审
发明人：飞冈孝明 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：半导体装置具有第1导电型的半导体衬底和设置在半导体衬底上的纵型霍尔元件，纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；第2导电型的杂质扩散层，设置在半导体层的上部且与半导体层相比为高浓度；由第2导电型的杂质区域构成的多个电极，设置在杂质扩散层的表面，并以在一条直线上排列的方式配置，所述第2导电型的杂质区域与杂质扩散层相比为高浓度；多个第1导电型的电极分离扩散层，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离；以及由第2导电型的杂质区域构成的埋入层，设置在半导体衬底与半导体层之间，第2导电型的杂质区域与半导体层相比为高浓度且与杂质扩散层相比为低浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110135949.9无效
发明人：佐藤嘉展;铃木聪史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一杂质区域，其形成于具有第一导电型的半导体层的表面部，具有第二导电型；主体区域，其以与第一杂质区域接触的方式相邻地形成，具有第一导电型；第二杂质区域，其与主体区域分离而形成于第一杂质区域并具有第二导电型，其深度比第一杂质区域小；源极区域，其形成于主体区域的表面部，具有第二导电型；漏极区域，其形成于第二杂质区域的表面部，具有第二导电型；和隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极。在半导体装置的优选实施方式中，第二杂质区域具有比第一杂质区域高的杂质浓度，并且第一杂质区域的深度小于1μm。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080007024.3在审
发明人：合田健太;小田洋平;野中裕介 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在多个沟槽栅构造之间形成有体区域(3)，并且在体区域的一部分的表面部形成有第1杂质区域(4)。体区域具有第2导电型杂质浓度比该体区域高并且与上部电极(10)接触的第2导电型接触区域(3a)。第1杂质区域具有第1导电型杂质浓度比第1杂质区域高并且与上部电极接触的第1导电型接触区域(4a)。在体区域中的没有形成第1杂质区域的部分，没有形成第1导电型接触区域且形成有第2导电型接触区域，在第1杂质区域形成有接触沟槽(4b)，在接触沟槽内形成有第1导电型接触区域。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法-CN201511020961.X有效
发明人：陈冠宇;陈美玲 -专利权人：节能元件控股有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，先在一第一导电型基板的一正面制作正面元件及正面金属层。于第一导电型基板的背面制作多重凹槽结构，于每一凹槽外侧具有一第一导电型杂质植入层图案，于多重凹槽结构底部具有一第一导电型杂质植入层。以沉积方式于该多重凹槽结构内填入多层第一导电型多晶硅层，且这些第一导电型多晶硅层分别与这些第一导电型杂质植入层图案对齐。于第一导电型基板底部表面植入一第二导电型杂质层。以激光退火工艺对所得结构的各杂质层退火，以制作多个场截止层。
绝缘双极晶体管背面低温氧化制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080032059.9无效
发明人：山下贤哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括多个单位单元，各单位单元具备：基板；形成在基板上的漂移层；设于漂移层内的主体区域；设于主体区域内的第1个第一导电型杂质区域；与主体区域相邻接且形成在漂移层的表面区域的第2个第一导电型杂质区域；在第2个第一导电型杂质区域和相邻接的单位单元的第2个第一导电型杂质区域之间，按照与第2个第一导电型杂质区域相接的方式形成在漂移层的表面区域的第3个第一导电型杂质区域；至少在第1个第一导电型杂质区域与第2个第一导电型杂质区域之间，按照与漂移层的表面相接的方式形成的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的栅电极；和第1以及第2欧姆电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]显示设备和制造其的方法-CN202110244518.X在审
发明人：姜旻炅;苏炳洙;郑在祐;白种埈;奥村展 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：制造显示设备的方法包括：在支撑基板上形成第一基板；在第一基板上形成第一阻挡层；以及通过在第一基板的至少一部分和第一阻挡层中注入n型杂质或p型杂质来形成导电层。显示设备包括布置在基板上的导电层和布置在导电层上的第一阻挡层。当第一阻挡层掺杂有n型杂质时，导电层掺杂有n型杂质，并且当第一阻挡层掺杂有p型杂质时，导电层掺杂有p型杂质。
显示设备制造方法

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