|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 21个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110254492.3有效
-
木村淑;角保人;大田浩史;入船裕行
-
株式会社东芝
-
2011-08-31
-
2012-04-04
-
H01L29/78
- 本发明半导体装置具备第一导电型的第一半导体层(1)、第一漂移层(5)、第二漂移层(8)、第一电极(24)、和第二电极(25)，具有在第一电极(24)与第二电极(25)之间流过电流的元件部、和其外周的末端部。第一漂移层(5)具有在元件部中在第一方向上交替地配置的第1第一导电型柱层(3)和第1第二导电型柱层(4)，在末端部中具有第一外延层(2)。第二漂移层(8)在第二外延层(8)中的元件部和末端部中，具有沿着第一方向离开配置的第2及第3第二导电型柱层(7、7a)，将被它们分别所夹的第二外延层(8)分别作为第2及第3第一导电型柱层(6、6a)。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN201010004023.1有效
-
小野昇太郎;斋藤涉;羽田野菜名;大田浩史;渡边美穗
-
株式会社东芝
-
2010-01-14
-
2010-08-04
-
H01L29/78
- 本发明提供一种半导体器件，具备：第一导电型的半导体衬底；形成在半导体衬底上的第一导电型的第一半导体区；以及在第一半导体区内，相对于半导体衬底在衬底面方向上分别离开地形成的第二导电型的第二半导体区。关于第二半导体区的活性化的杂质浓度的相对于半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量、与关于第一半导体区的活性化的杂质浓度的相对于半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量之差，总是为正数，且从第二半导体区的两端的接合面中的半导体衬底侧的第一接合面的深度朝向第二半导体区的两端的接合面中的与第一接合面相反一侧的第二接合面的深度增加。
- 半导体器件
- [发明专利]交通信息提供系统-CN200510062771.4无效
-
柘植正邦;鹫见公一;津田博之;大田浩史
-
本田技研工业株式会社
-
2005-03-30
-
2005-10-05
-
G01C21/00
- 一种交通信息提供系统，对搭载有导航装置的信息享有车辆提供交通信息的系统，即使是在含有分支部的分支部周边区域使车辆向任一分支方向行进的情况下，也可以对车辆提供就各自行进方向上的交通状态下的交通信息。具有交通信息服务器(1)，该服务器(1)包括：从信息提供车辆(3b)来收集与由分支前路径和从该分支前路径经分支部而分支出的多条分支后路径构成的分支部周边区域的移动所需时间相关的信息的单元(21)、和根据该信息来制作与分支部周边区域的每一行进方向的移动所需时间相关的信息的单元(22)。一旦从信息享有车辆(3a)的导航装置(4)发出交通信息的提供请求，则将每一行进方向的移动所需时间信息、或者从现在开始制作的分支部周边区域的每一路径的移动所需时间信息发送于导航装置(4)。
- 交通信息提供系统
|
