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[发明专利]半导体存储装置及其动作方法-CN202110936019.7在审
发明人：须藤直昭 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明实施例提供可以得知开机动作时设定信息的读取是否正确完成的半导体存储装置及其动作方法。本发明提供的半导体存储装置及其动作方法，在检测到电源电压达到开机检测电平时，进行熔丝存储器的读取，判定熔丝存储器的读取是否正确完成，判定未正确完成时，在最大读取次数的范围内重新进行熔丝存储器的读取，并将从熔丝存储器读取出来的设定信息写入至CF暂存器。更进一步地，将识别对熔丝存储器的读取是否正确完成的识别数据储存于暂存器。
半导体存储装置及其动作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法与闪存-CN202010797928.2在审
发明人：蔡耀庭;廖修汉;庄哲辅 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法与闪存。所述半导体结构包括衬底、多个第一隔离结构、栅极结构以及氧化物层。第一隔离结构在衬底的周边区中将衬底界定出第一有源区。氧化物层设置于第一有源区中的衬底上，且被第一隔离结构覆盖。氧化物层与第一隔离结构界定出暴露衬底的开口。栅极结构设置于第一有源区中的衬底上，且包括设置于开口中的衬底上的栅介电层以及设置于栅介电层上的栅极。氧化物层位于栅介电层的周围。栅极的底表面的宽度小于第一有源区的顶表面的宽度。
半导体结构及其制造方法闪存

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202010836870.8在审
发明人：任楷;刘祥伯 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括依序形成绝缘层及图案化掩膜层于基板上。图案化掩膜层具有开口，开口包括主体部以及位于主体部两端的两个延伸部。所述方法包括依序形成第一牺牲层、第二牺牲层及第三牺牲层于绝缘层上。第一牺牲层填入于开口的延伸部中，且在开口的主体部中定义出凹口。第二牺牲层形成于第一牺牲层所定义出的凹口中。第三牺牲层形成在位于延伸部中的第一牺牲层上。本发明实施例提供的半导体结构的制造方法能够改善半导体结构的良品率及可靠度，而不会明显增加工艺的复杂度及生产成本。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]延迟控制装置和可调延迟装置-CN202011077721.4在审
发明人：周彦佑 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H03K5/133 文献下载
摘要：本申请提供一种延迟控制装置和可调延迟装置，所述延迟控制装置，用于控制一延迟电路，并包括：一振荡器、一计数器，以及一输出控制电路。振荡器是根据一外部时脉信号来产生一内部时脉信号。计数器是根据内部时脉信号来产生一累计信号，其中计数器是由外部时脉信号来选择性地进行重设。输出控制电路是根据累计信号来产生一延迟指示信号，其中延迟电路的一延迟时间是根据延迟指示信号来进行调整。本申请可避免PVT变异的影响与对不同位置处的电路所产生的不同延迟时间进行补偿。
延迟控制装置可调

[发明专利]半导体装置及与非型闪速存储器的读出方法-CN202110418808.1在审
发明人：冈部翔;妹尾真言 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及与非型闪速存储器的读出方法，可进行高速读出或高可靠性的读出。本发明的与非型闪速存储器的读出方法包括：预充电步骤，通过电压供给节点对感测节点进行预充电；放电步骤，为了进行规定的动作，将感测节点放电至电压供给节点；再充电步骤，在规定的动作后，通过电压供给节点对感测节点进行再充电；以及读出步骤，对与非串进行放电，并对存储单元进行感测。
半导体装置非型闪速存储器读出方法

[发明专利]阵列装置及其写入方法-CN202110770511.1在审
发明人：冨田泰弘;矢野胜 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列装置及其写入方法，通过脉冲宽度控制可更准确地控制设置写入时的电阻值的变化。本发明的突触阵列装置包括：交叉式阵列，在多个行线与多个列线各自的交叉部连接有可变电阻式存储元件；行选择/驱动电路，选择交叉式阵列的行线并对所选择的行线施加脉冲信号；列选择/驱动电路，选择交叉式阵列的列线并对所选择的列线施加脉冲信号；以及写入构件，对连接于所选择的行线及所选择的列线的可变电阻式存储元件进行写入。对所选择的行线施加脉冲宽度经控制的第一写入电压，并对所选择的列线施加脉冲宽度经控制的第二写入电压，来进行可变电阻式存储元件的设置写入。
阵列装置及其写入方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010765884.5在审
发明人：潘增耀;尤建祥;陈宏生;王景擁;韦承宏 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，包含：形成主动层于基板上，基板具有相邻的字线预定区和选择栅极预定区；形成包含第三硬遮罩层的硬遮罩堆叠于主动层上；图案化第三硬遮罩层，形成第三硬遮罩，在字线预定区最靠近选择栅极预定区的两个紧临的第三硬遮罩之间具有第一间距，第一间距小于任何其他两个之间的第二间距；形成间隔物于第三硬遮罩的侧壁上，在两个紧临的第三硬遮罩的相对的侧壁上的两个间隔物合并成组合间隔物；形成图案化遮罩结构于选择栅极预定区中；将间隔物与图案化遮罩结构的图案转移到主动层，形成字线与选择栅极。将间隔物的图案转移到主动层的步骤包含将组合间隔物的图案转移到主动层，在最靠近选择栅极处形成第一字线。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]或非型快闪存储器-CN201810685566.0有效
发明人：矢野胜 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种或非型快闪存储器，其包含降低了消耗电力的三维结构的存储单元。本发明的快闪存储器包括多个柱状部，从硅基板的表面朝垂直方向延伸且包含主动区域；电荷蓄积部，以围绕各柱状部的侧部的方式形成；控制栅极，以围绕行方向的电荷蓄积部(130A)的侧部的方式形成；以及选择栅极，以围绕行方向的电荷蓄积部(130B)的侧部的方式形成。柱状部的其中一个端部经由接触孔而电连接至位线，柱状部的另一个端部电连接于形成在硅基板表面的导电区域。
非型快闪存

[发明专利]半导体装置-CN201811122609.0有效
发明人：冈部翔 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明利用新的方法提供一种具有产生固有数据功能的半导体装置。本发明的NAND型快闪存储器具有：存储单元阵列、分页缓冲器/感测电路、在存储单元阵列的虚拟阵列被读出时检测出虚拟阵列的位线对的电位差的差动感测放大器，其中NAND型快闪存储器会根据差动感测放大器的检出结果而输出半导体装置的固有数据。本发明可以一边维持半导体装置的重现性、信赖性，一边确保固有数据的随机性。
半导体装置

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202010733242.7在审
发明人：许博砚;吴伯伦;蔡世宁 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。电阻式随机存取存储器包括第一电极层与第二电极层，彼此相对设置；可变电阻层，位于所述第一电极层与所述第二电极层之间；氧交换层，位于所述可变电阻层与所述第二电极层之间；导体层，侧向环绕于所述氧交换层的侧壁周围；第一阻挡层，位于所述导体层与所述氧交换层之间以及所述氧交换层与所述可变电阻层之间；以及第二阻挡层，位于所述导体层与所述第二电极层之间以及所述第二电极层与所述氧交换层之间。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]化学气相沉积工艺及膜层的形成方法-CN202110069418.8在审
发明人：陈佩瑜;洪婉毓 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积工艺及膜层的形成方法。化学气相沉积工艺包括：执行第一阶段沉积工艺，在第一温度维持第一时间段；执行第二阶段沉积工艺，包括：升温步骤，在第二时间段内从所述第一温度升温至第二温度；以及降温步骤，在第三时间段内从所述第二温度下降至第三温度。本发明的化学气相沉积工艺及膜层的形成方法可以提升膜层的均匀度。
化学沉积工艺形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110536763.8在审
发明人：池田典昭 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体衬底、字线与位线。半导体衬底具有彼此分离且沿第一方向延伸的有源区。字线形成于半导体衬底中。有源区分别地与一个或多个字线相交。字线分别地具有宽部与沿第二方向连续性延伸于宽部上的窄部。宽部位于字线与有源区相交处。位线形成于半导体衬底之上，且沿与第一方向以及第二方向相交的第三方向延伸。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010715585.0在审
发明人：张维哲;任楷;王喻柏 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述结构包含半导体基底以及设置于半导体基底中的隔离部件。隔离部件包含沿着隔离部件与半导体基底之间的边界设置的衬层、设置于衬层之上的第一氧化物填充层、以封闭环形方式围绕第一氧化物填充层的介电阻挡结构、以及设置于介电阻挡结构之上且邻近衬层的第二氧化物填充层。本申请可改善半导体装置的漏电流，从而提升半导体装置的效能，还可阻隔氧化物填充层的杂质扩散至主动区中，从而改善半导体装置的可靠性和制造良品率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]放电装置-CN202010722975.0在审
发明人：马英庭 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种放电装置。放电装置对电子装置的内部电力进行放电。放电装置包括电压调节电路、电荷存储电路、控制信号产生器以及放电路径。电压调节电路将内部电力调节为经调节电力。电荷存储电路存储经调节电力。控制信号产生器接收经调节电力以及外部电力，依据经调节电力被致能，并反应于外部电力的电压电平产生控制信号。放电路径接收内部电力，并依据控制信号被导通，以对内部电力进行放电。
放电装置

[发明专利]电压电平移位器-CN201710238957.3有效
发明人：陈宗仁 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明提供一种电压电平移位器，包括电压电平移位电路以及升压电路。电压电平移位电路包括第一参考输入端、第二参考输入端、第一升压输入端以及第二升压输入端。电压电平移位电路操作在第一电压以及第二电压之间。升压电路耦接至电压电平移位电路。升压电路用以依据第一参考输入端以及第二参考输入端的电压值，将第一升压输入端以及第二升压输入端升压，以降低从第一电压传递至第二电压的转态电流。
电压电平移位