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- [发明专利]加工装置-CN202310300648.X在审
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冈村卓
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株式会社迪思科
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2023-03-24
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2023-10-17
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H01L21/67
- 本发明提供加工装置，其即使在加工中产生异常，也在不使加工效率降低的情况下对被加工物进行再次加工。该加工装置具有：卡盘工作台，其在保持面上对具有相互交叉的多条间隔道的被加工物进行保持；加工单元，其沿着该间隔道对该卡盘工作台所保持的该被加工物进行加工；以及控制单元，该控制单元在通过该加工单元从该间隔道的一端到另一端对该被加工物进行加工的期间残留有未加工区域而中断了加工的情况下，使该卡盘工作台旋转180度，通过该加工单元从该间隔道的该另一端对该被加工物的该未加工区域进行加工。
- 加工装置
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201910613278.9有效
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原田成规;冈村卓;赵金艳
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株式会社迪思科
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2019-07-09
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2023-09-15
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H01L21/683
- 提供晶片的加工方法，在将晶片分割成各个器件芯片时，不会使器件的品质降低。该晶片的加工方法将由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：晶片配设工序，在对晶片进行支承的基质的上表面上敷设聚烯烃系片或聚酯系片中的任意的片，将晶片的背面定位在片的上表面上而进行配设；片热压接工序，在密闭环境内对隔着片而配设于基质的晶片进行减压并对片进行加热，并且按压晶片，从而隔着片将晶片热压接在基质上；以及分割工序，将切削刀具定位于晶片的正面而对分割预定线进行切削，从而将晶片分割成各个器件芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]止血器具-CN201880070998.9有效
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冈村卓;日野贤树
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株式会社戈德曼
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2018-12-25
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2023-06-27
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A61B17/12
- 止血器具(10)具备：第一筒状构件(8C)；定位构件(8A)，其具有能够与血管的开口部卡合的第一卡合部(82)；止血剂(S)，其配置在比第一定位构件(8A)的第一卡合部(82)靠基端侧的位置；挤出构件(8B)，其在相对于第一筒状构件(8C)向前端侧相对移动时能够从第一筒状构件(8C)的前端部挤出止血剂(S)；壳体(71)；第一操作部(510)，其用于分别执行使第一筒状构件(8C)及挤出构件(8B)向前端侧相对移动的第一前端动作、使挤出构件(8B)向前端侧相对移动的第二前端动作；以及切换机构，其在直到第一前端动作结束的期间限制第二前端动作，并根据第一前端动作结束这一情况解除第二前端动作的限制而能够执行第二前端动作。
- 止血器具
- [发明专利]光器件晶片的加工方法-CN201810044091.7有效
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冈村卓
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株式会社迪思科
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2018-01-17
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2023-06-16
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H01L21/304
- 提供光器件晶片的加工方法，即使是莫氏硬度高的基板，也在分割后的器件芯片上形成倾斜面。该光器件晶片的加工方法沿着分割预定线将光器件晶片(W)分割成各个器件芯片(C)，构成为包含如下的步骤：对晶片基板照射吸收性波长的激光光线，在光器件晶片的背面上沿着分割预定线形成激光加工槽(12)；以及利用V形刀具(33)在背面上沿着激光加工槽形成V形槽(13)并使裂纹从激光加工槽向下方伸展而将光器件晶片分割成器件芯片，其中，激光加工槽形成得比V形刀具的切入深度浅。
- 器件晶片加工方法
- [发明专利]止血器具-CN202310323914.0在审
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冈村卓;日野贤树
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株式会社戈德曼
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2018-12-25
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2023-05-23
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A61B17/12
- 止血器具(10)具备：第一筒状构件(8C)；定位构件(8A)，其具有能够与血管的开口部卡合的第一卡合部(82)；止血剂(S)，其配置在比第一定位构件(8A)的第一卡合部(82)靠基端侧的位置；挤出构件(8B)，其在相对于第一筒状构件(8C)向前端侧相对移动时能够从第一筒状构件的前端部挤出止血剂(S)；壳体(71)；第一操作部(510)，其用于分别执行使第一筒状构件及挤出构件(8B)向前端侧相对移动的第一前端动作、使挤出构件向前端侧相对移动的第二前端动作；以及切换机构，其在直到第一前端动作结束的期间限制第二前端动作，并根据第一前端动作结束这一情况解除第二前端动作的限制而能够执行第二前端动作。
- 止血器具
- [发明专利]晶片的加工方法-CN202111475164.6在审
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冈村卓
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株式会社迪思科
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2021-12-06
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2022-06-14
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H01L21/78
- 本发明提供晶片的加工方法，能够简易地去除残留在晶片的外周部的增强部。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片在正面侧具有在由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的器件区域，该晶片在背面侧具有形成于与器件区域对应的区域的凹部，该晶片在外周部具有围绕器件区域和凹部的环状的增强部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削工序，将器件区域分割成多个器件芯片，并且在增强部形成切削槽；分割工序，以切削槽作为起点而将增强部分割；以及去除工序，从位于晶片的外侧的规定的喷射位置朝向增强部喷射流体，由此使分割后的增强部朝向喷射位置的相反侧飞散而去除。
- 晶片加工方法
- [发明专利]边缘修剪方法-CN202111483398.5在审
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冈村卓;原田成规
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株式会社迪思科
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2021-12-07
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2022-06-14
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H01L21/02
- 本发明提供边缘修剪方法，减小磨削时产生的边角料体积。边缘修剪方法对在外周部具有倒角部的被加工物的外周部进行切削，边缘修剪方法具有如下步骤：切入步骤，在利用卡盘工作台的保持面对被加工物进行保持的保持步骤之后，使旋转的切削刀具与卡盘工作台相对移动而使切削刀具切入至被加工物的外周部；切削步骤，在切入步骤之后，使卡盘工作台旋转而对被加工物的外周部进行切削，形成环状的阶梯差；和移动步骤，在切削步骤之后，为了形成与阶梯差相邻的环状的其他阶梯差，使切削刀具在切削刀具的旋转轴方向上移动，通过按顺序重复进行切入步骤、切削步骤和移动步骤，在外周部形成厚度随着从被加工物的最外周端朝向内侧而增加的台阶状的倾斜区域。
- 边缘修剪方法
- [发明专利]磨削方法-CN202111025660.1在审
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冈村卓
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株式会社迪思科
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2021-09-02
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2022-03-08
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B24B1/00
- 本发明提供磨削方法，是能够赋予磨削后的被加工物高刚性的新的磨削方法。该磨削方法利用安装于主轴的磨削磨具对在正面上具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的板状的被加工物的与正面的相反的一侧的背面进行磨削，其中，将具有比器件区域大的正面的支承部件的正面固定在被加工物的背面上，将保护部件粘贴在被加工物的正面上，利用卡盘工作台对粘贴在固定有支承部件的被加工物上的保护部件进行保持，从支承部件的与正面相反的一侧的背面对支承部件的与器件区域对应的区域进行磨削而形成环状的加强部件，进而从被加工物的背面对被加工物的与器件区域对应的区域进行磨削而形成与器件区域对应的薄板部和围绕薄板部且固定有加强部件的厚板部。
- 磨削方法
- [发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201710396737.3有效
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冈村卓
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株式会社迪思科
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2017-05-31
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2022-03-01
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H01L33/58
- 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个槽；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
- 发光二极管芯片制造方法
- [发明专利]切削方法-CN202110922874.2在审
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冈村卓;原田成规
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株式会社迪思科
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2021-08-12
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2022-02-22
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B28D5/02
- 本发明提供切削方法，对切削刀具赋予超声波振动而对被加工物进行切削，并且减少切削刀具的过度磨损。切削方法使用切削装置对被加工物进行切削，该切削装置具有：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；以及切削单元，其具有切削刀具和超声波振子，该切削刀具对卡盘工作台所保持的被加工物进行切削，该超声波振子使切削刀具在切削刀具的径向上进行超声波振动，该切削方法具有：保持步骤，利用卡盘工作台对被加工物进行保持；以及切削步骤，在被加工物所设定的多条切削线中的同一切削线上实施超声波切削和通常切削，该超声波切削利用进行超声波振动的切削刀具对被加工物进行切削，该通常切削利用未进行超声波振动的切削刀具对被加工物进行切削。
- 切削方法
- [发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201710655605.8有效
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冈村卓
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株式会社迪思科
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2017-08-03
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2021-12-21
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H01L33/00
- 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或槽；透明基板准备工序，准备在整个面的区域内形成有多个贯通孔的透明基板；一体化工序，在实施了晶片背面加工工序之后，将晶片的背面粘贴在透明基板的正面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
- 发光二极管芯片制造方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN202110629751.X在审
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冈村卓;原田成规;泷田友春
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株式会社迪思科
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2021-06-07
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2021-12-10
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H01L21/78
- 本发明提供晶片的加工方法，简单地将残留于晶片的外周部的加强部去除。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片在正面侧具有器件区域，在背面侧具有形成于与该器件区域对应的区域的凹部，在外周部具有将该器件区域和该凹部包围的环状的加强部，其中，该器件区域在由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件，该晶片的加工方法包含如下步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对凹部的底面进行保持；切削步骤，利用切削刀具沿着分割预定线对晶片进行切削，由此将器件区域分割成多个器件芯片，并且在加强部的正面侧形成槽；以及分割步骤，通过对加强部施加外力，以槽为起点沿着分割预定线对加强部进行分割。
- 晶片加工方法
- [发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201710436981.8有效
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冈村卓
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株式会社迪思科
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2017-06-12
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2021-09-14
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H01L33/58
- 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。发光二极管芯片的制造方法具有如下工序：晶片准备工序，准备如下晶片：晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或第1槽；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个第2槽；一体化工序，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
- 发光二极管芯片制造方法
- [发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201710436931.X有效
-
冈村卓
-
株式会社迪思科
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2017-06-12
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2021-08-17
-
H01L33/58
- 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。发光二极管芯片的制造方法具有如下工序：晶片准备工序，准备如下晶片：晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或第1槽；透明基板加工工序，在透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个第2槽；一体化工序，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
- 发光二极管芯片制造方法
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