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[发明专利]一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器-CN202010735158.9有效
发明人：李兴冀;杨剑群;董尚利;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器和电荷灵敏放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏放大子电路的输入端电连接，使输入电容和冲击传感器各自直接与电荷灵敏放大子电路的输入端耦合，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容具备防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，避免了冲击传感器通过输入电容与电荷灵敏放大子电路耦合，防止输入电容跟随冲击传感器工作，克服了现有微弱脉冲信号放电电路中的输入电容在冲击传感器与电荷灵敏放大子电路之间造成信号干扰的缺陷。
一种微弱脉冲信号放大电路微尘探测器

[发明专利]一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法-CN202211467957.8在审
发明人：刘勇;刘旭东;董尚利;吕露;何思锐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题，或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题，且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法：一、MXenes电极的制备及预处理；二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。
一种 mxenes 超级电容器电极辐照改性方法

[发明专利]一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法-CN202211350266.X在审
发明人：刘勇;刘旭东;董尚利;吕露;何思锐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01B32/921 文献下载
摘要：一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes薄膜的制备方法，或存在无法制备纳米级别薄膜，或存在无法获得纯净的纳米级别薄膜的问题。方法：一、MXenes湿膜的制备；二、超薄MXenes膜的制备。本发明用于基于气液界面的超薄MXenes膜的制备。
一种基于界面作用超薄 mxenes 制备方法

[发明专利]一种深能级瞬态谱触发信号的控制方法、装置及存储介质-CN202010735277.4有效
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种深能级瞬态谱触发信号的控制方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：根据预设时长确定触发信号曲线数据，触发信号曲线数据包括零电压数据段、过渡曲线数据段、保持幅度数据段，过渡曲线数据段构成平滑的上升沿曲线或下降沿曲线，用于实现零电压数据段和保持幅度数据段之间的平滑过渡；将触发信号曲线数据转化为模拟信号；对模拟信号进行调制形成注入电压信号，以将注入电压信号注入至被测器件。本发明采用零电压注入形式，使注入脉冲信号由零电压沿分段指数函数波形形式构成信号的上升沿和下降沿，消除波形的尖锐边沿，消除其瞬态变化高频畸变，从而保证了触发的瞬态性，又减小了系统的干扰。
一种能级瞬态触发信号控制方法装置存储介质

[发明专利]一种原子氧或紫外辐照通量的计算装置、方法及模拟器-CN202210770215.6在审
发明人：杨剑群;李兴冀;骆吉洲;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子氧或紫外辐照通量的计算装置、方法及模拟器，涉及航天器仿真计算技术领域，所述计算装置包括：环境参数设定模块，用于获取影响航天器外表面原子氧通量的第一空间环境参数或影响航天器外表面紫外辐照强度的第二空间环境参数；模型建立模块，用于建立航天器的三维模型，并将航天器表面剖分成多个多边形网格单元；参数导入模块用于将第一空间环境参数或第二空间环境参数输入到三维模型；选择模块用于确定采用蒙卡计算方法或射线追踪计算方法；计算模块用于计算航天器表面原子氧或紫外辐照通量。本发明操作简单，能够准确、快速地计算不同环境条件下材料表面的原子氧或紫外辐照通量。
一种原子紫外辐照通量计算装置方法模拟器

[发明专利]一种研究SiC MOSFET电离总量和单粒子烧毁协同效应的方法-CN202210759795.9在审
发明人：杨剑群;李兴冀;余雪强;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明提供一种研究SiC MOSFET电离总量和单粒子烧毁协同效应的方法，包括：对SiC MOSFET在不同偏置条件下进行电离总剂量辐照试验；记录电离总剂量辐照试验过程中所述SiC MOSFET的电性能变化数据，并分析提取所述SiC MOSFET的关键性能参数；将所述辐照SiC MOSFET进行单粒子烧毁试验，并分析单粒子烧毁试验与电离总剂量辐照之间的协同关系；通过仿真软件研究两者之间的协同作用。本发明通过比较不同条件处理后SiCMOSFET单粒子烧毁后的性能，总结SiC MOSFET的电离总剂量效应与单粒子烧毁效应的影响规律，从而研究两者之间的协同效应。
一种研究 sic mosfet 电离总量粒子烧毁协同效应方法

[发明专利]基于多核并行的原子氧或紫外通量的蒙特卡罗模拟方法-CN202210759741.2在审
发明人：骆吉洲;李兴冀;杨剑群;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多核并行的原子氧或紫外通量的蒙特卡罗模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述基于多核并行的原子氧或紫外通量的蒙特卡罗模拟方法包括：获取航天器仿真软件运行平台的核数，根据所述核数确定并行任务数；根据计算项目类别，为参与并行计算的各个核分别建立子线程并分配计算任务，并根据所述计算项目类别为各个所述子线程分配统计空间；航天器仿真软件运行平台的主线程建立共享变量，且所述主线程根据各个所述子线程对所述计算任务的完成结果，对所述共享变量加锁或放锁；所述主线程根据所有所述子线程对所述计算任务的完成结果输出计算结果。与现有技术比较，本发明能够提高CPU/内存利用率，大幅削减计算时间。
基于多核并行原子紫外通量蒙特卡罗模拟方法

[发明专利]基于原子氧与紫外协同作用下材料剥蚀效应的模拟方法-CN202210762547.X在审
发明人：杨剑群;李兴冀;骆吉洲;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于原子氧与紫外协同作用下材料剥蚀效应的模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述模拟方法包括：获取原子氧环境影响参数，所述原子氧环境影响参数包括：航天器速率、来流方向以及原子氧密度；建立航天器的三维模型，将所述原子氧环境影响参数输入到所述三维模型，得到航天器表面原子氧通量；根据航天器表面受到原子氧与紫外辐照的协同情况，确定航天器表面材料剥蚀反应系数；通过所述航天器表面原子氧通量和所述航天器表面材料剥蚀反应系数，得到航天器表面材料的剥蚀厚度。本发明的模拟方法步骤简单，易于操作，且模拟准确。
基于原子紫外协同作用材料剥蚀效应模拟方法

[发明专利]一种模拟空间环境下原子氧或紫外辐照通量的计算方法-CN202210759732.3在审
发明人：骆吉洲;李兴冀;杨剑群;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种模拟空间环境下原子氧或紫外辐照通量的计算方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：获取影响航天器外表面原子氧通量的第一空间环境参数或影响航天器外表面紫外辐照强度的第二空间环境参数；建立航天器的三维模型，并将航天器表面剖分成多个多边形网格单元；将所述第一空间环境参数或所述第二空间环境参数输入到所述三维模型，计算原子氧或紫外辐照模拟粒子碰触的所述多边形网格单元，得到航天器表面原子氧或紫外辐照通量。本发明的模拟空间环境下原子氧或紫外辐照通量的计算方法，操作简单，能够准确、快速地计算不同环境条件下材料表面的原子氧或紫外辐照通量，有着广泛的应用前景。
一种模拟空间环境原子紫外辐照通量计算方法

[发明专利]一种航天器表面材料掏蚀效应的模拟方法-CN202210762546.5在审
发明人：李兴冀;杨剑群;吕良星;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种航天器表面材料掏蚀效应的模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述模拟方法包括：建立航天器的三维模型，并将航天器表面剖分成多个多边形网格单元；确定模拟目标网格单元；将原子氧通量导入所述模拟目标网格单元；设定影响航天器外表面材料掏蚀效应的掏蚀影响参数；根据所述原子氧通量以及所述掏蚀影响参数，得到航天器表面材料的掏蚀深度。本发明的模拟方法步骤简单，易于操作，且模拟准确。
一种航天器表面材料效应模拟方法

[发明专利]一种基于射线追踪的原子氧或紫外通量的计算方法-CN202210762569.6在审
发明人：杨剑群;李兴冀;骆吉洲;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于射线追踪的原子氧或紫外通量的计算方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述计算方法包括：根据航天器的轨道参数计算航天器在轨道各点的原子氧通量影响参数或紫外通量影响参数；将航天器表面剖分为多个多边形网格单元,并设定各个所述多边形网格单元的原子氧通量初始值或紫外通量初始值；计算所述航天器运动轨道每个点上的每个所述多边形网格单元的原子氧通量增加值或紫外通量增加值，最后得到原子氧通量累计值或紫外通量累计值。与现有技术比较，本发明能够大幅度提高计算时间效率，降低成本，为蒙特卡罗模拟方法的计算结果提供校验数据，为航天器表面涂层材料快速筛选提供高效技术手段，有着明显的优势和广泛的应用前景。
一种基于射线追踪原子紫外通量计算方法

[发明专利]一种识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法-CN202210759798.2在审
发明人：杨剑群;李兴冀;万鹏飞;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。
一种识别 algan gan hemts 活性辐射缺陷分布区域方法

[发明专利]一种深能级瞬态谱测试方法、装置及存储介质-CN202010735729.9有效
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种深能级瞬态谱测试方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：对半导体材料施加连续的脉冲同步信号；获取所述半导体材料的瞬态电容变化波形；根据所述瞬态电容变化波形进行多次指数拟合，确定所述半导体材料的指数深能级瞬态谱。本发明相对于率窗等抽样算法、傅里叶等统计算法，直接采用波形数据进行计算，而非估算的结果，可靠性更强，同时利用指数拟合的方法，还原瞬态电容变化波形的特征，寻找最优拟合结果，测试结果更为准确。
一种能级瞬态测试方法装置存储介质

[发明专利]一种中低温高速撞击试验装置及其试验方法-CN202010001052.6有效
发明人：吕钢;刘勇;刘海;叶铸玉;董尚利;耿洪滨 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-01-01 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N3/52 文献下载
摘要：本发明提供一种中低温高速撞击试验装置及其试验方法，防护罐体作为弹丸撞击试验的安全防护装置；防护罐体开设有穿线和管道的通孔，防护罐体的一端设有罐门；所述防护罐体内部设有一个试验台面、照明灯具；火药炮、环境箱安装在试验台面上内；环境箱内设置有靶架、液氮蒸发板；温控装置的测控线缆与环境箱连接，温控装置的制冷管路连接自增压液氮罐；自增压液氮罐与液氮蒸发板连接；电磁测速器与火药炮的可拆卸炮管连接，并通过线缆与示波器相连。本发明装置具有制造费用低，体积小，结构较简单，操作方便，发射安全可靠性高，降低了操作的专业性要求。
一种低温高速撞击试验装置及其试验方法

[发明专利]基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法-CN201810136598.5有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;魏轶聃;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β‑Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β‑Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β‑Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β‑Ga2O3电荷转移的领域。
基于杂化泛函计算氧化电荷转移方法

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