[发明专利]在硬掩模膜上的ALD SiO2 在审
| 申请号： | 201980048209.6 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112771646A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·沃尔特·阿格纽;伊时塔克·卡里姆 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在衬底表面上限定薄膜层的方法包含通过第一等离子体而使衬底表面暴露于第一前体，以使第一前体能够被衬底表面吸收。通过第二等离子体而将不同于第一前体的第二前体施加至衬底表面。第二前体是二氧化碳前体，其释放足够的氧自由基以与第一前体进行反应，从而在衬底表面上形成氧化物膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩模膜上 ald sio base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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