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[发明专利]显影液涂布装置-CN200810179629.1无效
发明人：吉原孝介;田中启一;山本太郎;京田秀治;竹口博史;大河内厚 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：提供一种显影液涂布装置，包括：显影液喷嘴；送出规定浓度的显影液的第一送出装置；送出纯水或与从第一送出装置送来的显影液浓度不同的显影液的第二送出装置；显影液喷嘴具有：贮存从第一送出装置送来的显影液的第一液体贮存室；贮存从第二送出装置送来的纯水或显影液的第二液体贮存室；液体混合室，具有显影液喷出口并连通第一液体贮存室和第二液体贮存室；连通第一液体贮存室和液体混合室的第一通路；连通第二液体贮存室和液体混合室的第二通路；从显影液喷出口喷出显影液或纯水或浓度不同的显影液，在液体混合室中混合第一液体贮存室中贮存的显影液和第二液体贮存室中贮存的纯水或浓度不同的显影液来调制规定浓度的显影液，从显影液喷出口喷出。
显影液装置

[发明专利]显影处理方法和显影液涂布装置-CN200510099555.7有效
发明人：吉原孝介;田中启一;山本太郎;京田秀治;竹口博史;大河内厚 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底上的进行了曝光处理的抗蚀剂膜的显影处理方法，其特征是，该方法包括以下工序：在所述衬底上涂布显影液；将涂布有所述显影液的所述衬底放置规定时间以进行显影反应；再向涂布有所述显影液的所述衬底涂布液体，所述液体选自与纯水的混合比为0.1％至1.5％的TMAH溶液、稀释的显影液、纯水、在纯水中添加了界面活性剂以使pH值为9至12的水溶液或pH值为9至12的亲水性有机溶剂中的一种；将涂布有所述液体的所述衬底放置规定时间，由所述液体降低所述显影液生成的溶解生成物的浓度；对涂布有所述液体的所述衬底进行漂洗处理。本发明还提供向衬底上的实施了曝光处理的抗蚀剂膜涂布显影液的显影液涂布装置。
显影处理方法显影液装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200480002531.9无效
发明人：石井信雄;筱原己拔 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司
申请日： 2004-01-26 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，包括上面放置有目标物体的工作台、容纳工作台并通过高频电磁场在其中产生等离子体的容器、产生高频电磁场的高频振荡器(30)，以及输出功率低于高频振荡器(30)且振荡频率稳定的参考振荡器(34)。所述参考振荡器(34)产生的参考信号被注入高频振荡器(30)中，将高频振荡器(30)的振荡频率固定在参考信号的频率。从而，当在高频振荡器(30)与容器之间设置自动匹配装置，并根据参考信号的频率设计容器时，能够实现精确的负载匹配，提高能量效率。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理设备和等离子体产生方法-CN03810611.6无效
发明人：石井信雄;八坂保能;高桥应明;安藤真 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司;八坂保能;高桥应明;安藤真
申请日： 2003-03-12 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种等离子体处理设备，槽孔(26)的长度(L)在径向方向中从天线表面(28)的中心部分(A)单调增加，并在第一中间部分(C)处达到最大值。从第一中间部分(C)直到周边部分(B)保持该最大值。当与槽孔长度从天线表面(28)的中心部分直到它周边部分单调增加的情况相比较时，从槽孔天线辐射的功率能够增加。因此，不从槽孔天线辐射而是留在它里面的功率减少了，使得来自槽孔天线的反射功率减少了。
等离子体处理设备产生方法

[发明专利]显影处理方法和显影液涂布装置-CN02143756.4有效
发明人：吉原孝介;田中启一;山本太郎;京田秀治;竹口博史;大河内厚 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：对形成对显影液的溶解速度快的抗蚀剂膜并进行曝光处理的晶片的显影处理中，为提高晶片中央部和外部部的线宽度均匀性，通过最初在晶片上盛装低浓度的显影液并放置规定时间来进行显影反应，接着再向晶片涂布比盛装的显影液浓度高的显影液并放置规定时间，之后进行晶片的漂洗处理。
显影处理方法显影液装置

[发明专利]工件的超临界处理的方法和装置-CN00815298.5有效
发明人： M·A·比伯格;F·P·莱曼;T·R·苏顿 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司
申请日： 2000-11-01 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于超临界处理和非超临界处理工件的装置包括一传送组件、一超临界处理组件、一非超临界处理组件和一机器人。该传送组件包括一入口。该超临界处理组件和非超临界处理组件连接到该传送组件上。该机器人最好与位于该传送组件内。在操作中，该机器人将工件从该传送组件的入口传送到该超临界处理组件中。在超临界处理后，该机器人将该工件从该超临界处理组件传送到该该非超临界处理组件中。在非超临界处理后，该机器人将该工件返回到该传送组件。作为选择，该非超临界处理可在该超临界处理之前实施。
工件临界处理方法装置

[发明专利]半导体器件制造工艺-CN01802598.6无效
发明人：前川薰;星野聪彦;杉浦正仁;F·阿勒格雷蒂 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司
申请日： 2001-06-28 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法,包含的步骤有用旋涂工艺在基板上形成第一层绝缘薄膜;对该第一层绝缘薄膜在380～500℃温度下进行硬化工艺,持续时间为5～180秒;用旋涂工艺在该第一层绝缘薄膜上形成第二层绝缘薄膜。
半导体器件制造工艺

[发明专利]多个工件的超临界处理的方法和装置-CN00815299.3无效
发明人： M·A·比伯格;F·P·莱曼;T·R·苏顿 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司
申请日： 2000-11-01 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于超临界处理多个工件的装置包括一传送组件、第一和第二超临界处理组件和一机器人。该传送组件包括一入口。该第一和第二超临界处理组件连接到该传送组件上。该机器人最好位于与该传送组件内。在操作中,该机器人将第一工件从该传送组件的入口传送到该第一超临界处理组件中。接着该机器人将第二工件从该传送组件的入口传送到该第二超临界处理组件中。在该工件处理后,该机器人将该第一和第二工件返回到该传送组件的入口。作为选择,该装置包括连接到该传送组件上的附加的超临界处理组件。
工件临界处理方法装置

[发明专利]使用超临界二氧化碳法从衬底上去除光刻胶及残渣-CN00815082.6无效
发明人： W·H·穆勒;M·A·比伯格;P·E·施林 -专利权人： 东京威力科创股份有限公司
申请日： 2000-11-01 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种从衬底上去除光刻胶和残渣的方法,它起始于保持超临界二氧化碳、胺和溶剂与所述衬底接触,使得所述胺和溶剂至少部分溶解光刻胶和残渣。优选地,所述胺是叔胺。优选地,所述溶剂选自DMSO、EC、NMP、乙酰基丙酮、BLO、醋酸、DMAC、PC和它们的混合物。然后,把光刻胶和残渣从衬底附近去除。优选地,该方法继续冲洗步骤,其中,衬底在超临界二氧化碳和冲洗剂中冲洗。优选地,冲洗剂选自水、醇、二者的混合物以及丙酮。在一种供选择的实施方案中,胺和溶剂用含水氟化物代替。
使用临界二氧化碳衬底去除光刻残渣

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