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[发明专利]代码处理模型的训练方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311085387.0在审
发明人： 龙思怡;周吕;蒙春年;刘鹏;王刚 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F8/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种代码处理模型的训练方法、装置、电子设备、计算机程序产品及计算机可读存储介质；方法包括：获取通用语料训练集、领域语料训练集以及指令数据集合；基于通用语料训练集预训练代码处理模型，得到预训练后的代码处理模型；基于通用语料训练集中的至少部分样本和领域语料训练集，调用预训练后的代码处理模型进行领域训练处理，得到特定领域的代码处理模型；基于指令数据集合调用特定领域的代码处理模型进行训练，得到训练完成的代码处理模型，其中，训练完成的代码处理模型用于基于输入的问题指令生成作为回答内容的代码。通过本申请，能够提升代码处理模型生成特定领域代码的准确性。
代码处理模型训练方法装置电子设备存储介质

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310716701.4在审
发明人：曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极、第二接触电极和第一金属结构，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，第一金属结构覆盖第一接触电极和第一半导体层的上表面，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006115.4在审
发明人：陈思河;臧雅姝;曾炜竣;黄少华;蔡吉明;张中英;林素慧;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔是自第二半导体层向下延伸至第一半导体层，各通孔裸露出第一半导体层的部分表面；其中，发光二极管具有额定电流，通孔具有第一半径，第一半径与额定电流的比值范围为0.1～0.4。借此，增强载子传导能力，使得局域电流密度的均等化，避免集中区电流带来的热效应，发光层烧出熔洞或烧穿，避免直下的电损伤，直接击穿PN结，进而提升发光二极管的抗ESD性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202180005045.6有效
发明人：江宾;龙思怡;臧雅姝;彭康伟;曾炜竣;陈思河;曾明俊 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202111481531.3有效
发明人：曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极和第二接触电极，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，其中，第一半导体层中掺杂有Al，从紫外发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第一凹槽的面积占外延结构的面积的20％‑70％，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升紫外发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280005524.2在审
发明人：江宾;陈思河;陈功;臧雅姝;张中英;彭康伟;曾炜竣;曾明俊;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：半导体层序列，包含第一半导体层（121）、第二半导体层（123）及介于两者之间的有源层（122），该半导体层序列具有第一台面（M1）及位于第一台面（M1）之上的第二台面（M2），第一台面（M1）邻近第二台面（M2）的位置具有电流阻断部（131）及位于电流阻断部（131）下方的电流导通部（132）；第一半导体层（121）具有一远离有源层（122）的第一表面（S1），第一台面（M1）具有远离第一表面（S1）的第二表面（S2），第二表面（S2）与第一表面（S1）的距离大于或者等于第一半导体层（121）厚度的一半，电流导通部（132）在半导体层序列的厚度方向上的高度（D2）为第一半导体层（121）厚度的1/5至1/2。该发光二极管可以提升载流子注入效率。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211379293.X在审
发明人：蔡吉明;曾明俊;黄少华;彭康伟;林素慧;龙思怡;王鸿伟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层具有台面、相对的下表面和上表面，半导体叠层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层位于第一半导体层和第二半导体层之间，台面是指第一半导体层的未被发光层覆盖的表面，第一半导体层在台面处具有贯通部，贯通部自第一半导体层的上表面贯穿至第一半导体层的下表面，第一电极至少设置在贯通部内以电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层。借此，通过贯通部的设置，使得通过第一电极注入的电流能够从第一半导体层的侧壁注入，进而降低操作电压。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210937829.9在审
发明人：江宾;臧雅姝;陈功;陈思河;彭康伟;张中英;曾炜竣;曾明俊;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：半导体层序列，包含第一台面和第二台面，所述第二台面为发光台面其中第二台面发光区域；第一接触电极，形成于所述第一台面上，与所述第一半导体层形成电连接；第二接触电极，形成于所述第二台面上，与所述第二半导体层形成电连接；所述第一台面为图案化结构，该图案化结构具有密集分布的凹凸结构，所述凹凸结构具有第一表面、高出于所述第一表面的第二表面及连接所述第一表面和第二表面的侧表面，其中所述第一表面裸露出所述第一半导体层，所述第一接触电极形成在该图案化结构上，并接触第一表面、第二表面及侧壁。本发明所述发光二极管可以有效提升发光效果。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210980217.8在审
发明人：陈思河;杨仲杰;江宾;臧雅姝;张中英;蔡吉明;林素慧;龙思怡 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括外延结构、第一电极、第二电极和空穴补偿层，外延结构具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层位于N型半导体层和P型半导体层之间，P型半导体层包括P型接触层和P型基层，P型基层位于P型接触层与发光层之间，第一电极位于外延结构的第二表面上并电连接N型半导体层，第二电极位于外延结构的第二表面上并电连接P型半导体层，空穴补偿层位于P型接触层与第二电极之间。借此，可以有效提升发光二极管的发光效率，并且在老化光衰方面也得到显著改善。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种紫外发光二极管及发光装置-CN202210473236.1在审
发明人：江宾;臧雅姝;张中英;彭康伟;陈思河;陈功;曾炜竣;曾明俊;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管芯片技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管及发光装置，包括：外延层，外延层具有依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，电连接第一半导体层；第二电极，电连接第二半导体层；衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，外延层设于衬底的第一表面，第二表面上设有图形化微结构，其中，微结构的底部外接圆的直径D大于400nm并且小于1000nm。与现有技术相比，本发明通过改变衬底出光一侧设置的图形化微结构的尺寸，使之适应于紫外发光二极管的发光波段，使得紫外光更易散射出，以提高紫外发光二极管的光提取效率。
一种紫外发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202111491934.6在审
发明人：江宾;臧雅姝;张中英;彭康伟;陈思河;龙思怡;曾明俊;陈功;曾炜竣 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，发光二极管包括：衬底、设置于衬底表面的第一半导体层、设置于第一半导体层表面的凸出部及第一反射结构，其中，第一半导体层的表面包括第一导电区和第二导电区；凸出部设置于第一半导体层的第一导电区内，且凸出部在第一半导体层的表面依次包括有源层和第二半导体层；第一反射结构设置于每个凸出部内且贯穿第二半导体层、有源层和至少部分第一半导体层，第一半导体层的材料包括AlxGa1‑xN，其中X取值介于0～1，发光二极管的辐射光的波长介于200～320nm。由上，本发明能够有效缩短外延层内光的传播路径，减少光被外延层，尤其是第一半导体层的吸收，提高光的出光效率。
一种发光二极管

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202111470298.9在审
发明人：江宾;臧雅姝;黄敏;彭康伟;曾炜竣;曾明俊;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，所述紫外发光二极管，包括：半导体层序列，包含依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，并具有从一个或者多个自第二半导体层延伸第一半导体层的台面，该台面裸露出第一半导体层，其中第一半导体层具有第一导电性，第二半导体层具有第二导电性，第一导电性不同于第二导电性；第一欧姆接触电极，位于所述台面上，与第一半导体层形成欧姆接触；第二欧姆接触电极，位于第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触；连接电极，形成于所述第二欧姆接触电极上，通过所述欧姆接触电极与所述第二半导体层形成电性连接；所述连接电极的边缘位于第二欧姆接触电极的边缘的内侧，两者之间具有一定的间距。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]一种基于HTTP协议的高隐匿网络代理方法及系统-CN201910032097.7有效
发明人：彭怀梁;龙思怡;戴琼;覃海湄 -专利权人：中国科学院信息工程研究所
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于HTTP协议的高隐匿网络代理方法及系统，设计并实现一套提升代理效率和隐匿性的代理通信方案，解决现有代理应用中的并发能力弱、流量易被识别等问题。通过隧道技术实现基于应用层协议的数据隐匿传输，以提高代理流量的隐蔽性。同时对负载数据进行拆分，隐匿原始数据的特征，达到抗流量分析的目的。通过异步传输框架保证代理系统在高并发访问下的通信质量，提升用户的使用体验。
一种基于 http 协议隐匿网络代理方法系统

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