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[发明专利]电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法-CN202310080671.2在审
发明人：宋政奎;曹恩爱;金容诚;朴报恩;N·韩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法。电容器包括下部电极、上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质膜、以及在所述上部电极和所述电介质膜之间的漏电流减小膜。所述漏电流减小膜包括经掺杂的AlZrO膜，其中所述经掺杂的AlZrO膜中含有的掺杂剂的离子半径大于或等于约130皮米(pm)。
电容器包括半导体器件制造方法

[发明专利]电容器和包括该电容器的电子装置-CN202210890086.4在审
发明人：金真弘;李昌洙;金容诚;都垠彻;李周浩;赵龙僖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种电容器包括：下电极；与下电极分开的上电极；以及在下电极和上电极之间的电介质，电介质包括包含TiO2的电介质层以及在电介质层中包含GeO2的漏电流减小层。由于漏电流减小层，有效地减小了漏电流，同时电介质薄膜的介电常数的降低很小。
电容器包括电子装置

[发明专利]反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置-CN202210423984.9在审
发明人：朴报恩;金容诚;宋政奎;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开一种反铁电薄膜结构、电子器件、存储单元和电子装置，其中该反铁电薄膜结构包括：电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及在电介质层中的插入层，该插入层包括氧化物。已经应用反铁电薄膜结构的电子器件可以确保具有很小滞后的工作电压区间。
反铁电薄膜结构电子器件存储单元电子装置

[发明专利]光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件-CN201710044340.8有效
发明人：许成;金奎植;金南定;金成宪;金容诚;曹恩爱;卢卓均;尹桐振;金瑢洙;鲜于文旭;朴用永;朴敬培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0x1)、氧氮化硅(SiOyNz，0y0.5，0z1)、以及其组合。
光电子器件以及包括图像传感器电子器件

[发明专利]电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管-CN202110047413.5在审
发明人：李载昊;朴报恩;金容诚;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。
电子装置控制方法包括晶体管

[发明专利]膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法-CN202011144164.3在审
发明人：金海龙;朴正敏;金容诚;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了一种包括铪氧化物的膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法。包括铪氧化物的该膜结构包括：铪氧化物层，其包括结晶成四方晶相的铪氧化物；以及第一应力源层和第二应力源层，其彼此隔开且其间具有铪氧化物层并且向铪氧化物层施加压缩应力。
膜结构包括电子器件制造方法

[发明专利]非互易光传输器件及包括其的光学装置-CN201711283653.5有效
发明人：梁基延;崔永铣;宋锡虎;尹载雄;韩喆雄;金容诚;李政烨;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社;汉阳大学校产学协力团
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：提供了非互易光传输器件及包括该非互易光传输器件的光学装置。一种非互易光传输器件包括光输入部分、光输出部分、以及插置在光输入部分与光输出部分之间并包括光波导的中间连接部分。光波导中的任何一个或任何组合的复折射率在光输入部分与光输出部分之间变化，并且经过非互易光传输器件的光的传输方向由复折射率的变化控制。
非互易光传输器件包括光学装置

[发明专利]相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件-CN201910579002.3在审
发明人：李政烨;金梨香;辛锺和;梁基延;金容诚;金材官;李昌承;N.韩 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：提供一种相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件，该相移器件包括：多个金属层和多个第一电介质层，所述多个金属层中的金属层和所述多个第一电介质层中的第一电介质层在第一方向上交替地堆叠；以及第二电介质层，在第二方向上设置在堆叠结构的侧表面上，其中第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料，第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料，并且其中第二介电常数大于第一介电常数。
相移器件以及包括色差光学

[发明专利]多层薄膜结构和使用多层薄膜结构的相移器件-CN201910378158.5在审
发明人：李政烨;金容诚;金材官;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：提供了一种多层薄膜结构和使用多层薄膜结构的相移器件。多层薄膜结构包括交替堆叠的至少一个结晶防止层和至少一个电介质层。至少一个结晶防止层包括非晶材料，并且至少一个结晶防止层的厚度小于至少一个电介质层的厚度。
多层薄膜结构使用相移器件

[发明专利]石墨烯电子器件及其制造方法-CN201310534898.6有效
发明人： 金容诚;李昌承;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
石墨烯电子器件栅极结构存储器器件二极管开关器件石墨烯层晶体管制造

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201310007163.8有效
发明人：李昌承;李周浩;金容诚;金俊成;文彰烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。
沟道层晶体管第二区域第一区域沟道区域漏极电极源极电极基板制造三维覆盖

[发明专利]石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法-CN201310124248.4有效
发明人：李周浩;郑镛席;金容诚;李昌承;文彰烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。
石墨器件制造装置使用方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201310073946.6有效
发明人：李昌承;金容诚;李周浩;郑镛席 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。
晶体管及其制造方法

[发明专利]石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法-CN201210497438.6有效
发明人：李昌承;李周浩;金容诚;文彰烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法。制造石墨烯器件的方法可以包括在第一基板上形成包括石墨烯层的器件部分；将第二基板附接在第一基板的器件部分上；以及移除第一基板。移除第一基板可以包括蚀刻第一基板与石墨烯层之间的牺牲层。在移除第一基板之后，第三基板可以附接在器件部分上。在附接第三基板之后，可以移除第二基板。
石墨晶体管以及制造器件方法

[发明专利]复杂性低的伪正交码发生器-CN200910262784.4有效
发明人： 金容诚;徐京鹤;赵镇雄;李铉锡;权大吉;林容锡 -专利权人：电子部品研究院
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种伪正交码发生器，通过实施使用组合电路而不使用只读存储器(ROM)电路的伪正交码发生器，使得该伪正交码发生器不仅简化了整体配置，还具有快速的运算速度，并且通过减少门区域而减少其总体尺寸。本发明的伪正交码发生器由以下组件组成，或包括以下组件：将串行传输数据转换为9位并行数据的串并转换器；反复地从0计数到15的4位计数器；和组合电路单元，其利用所述9位并行数据和所述4位计数器值顺序地生成16位伪正交码，其中所述组合电路单元的运算由以下等式组成：并且，其中C(I)是所述9位并行数据的伪正交码，0≤I≤15，b₀～b₉是所述并行数据，i₀～i₃是二进制化所述I得到的4位计数器值，I是16位伪正交码的指示数。
复杂性正交发生器

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