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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711363980.1有效
发明人：金真雅;李善荣;金志永;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。所提供的半导体器件可以具有增强的可靠性和操作特性。半导体器件包括：衬底；形成在衬底内的器件隔离膜；形成在衬底内的第一栅结构；凹陷，形成在第一栅结构的至少一侧并在衬底和器件隔离膜内，该凹陷包括上部分和下部分，其中凹陷的下部分形成在衬底内，凹陷的上部分跨过衬底和器件隔离膜形成；埋入接触，填充该凹陷；以及信息存储器，电连接到埋入接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件-CN201711274103.7有效
发明人：崔智旻;李东烈;李镐旭;金志永;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供了具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的基板。沟槽形成在半导体层内。填充绝缘膜设置在沟槽内。插入衬层设置在填充绝缘膜内。插入衬层与半导体层间隔开并沿着沟槽的底表面延伸。
具有沟槽器件隔离半导体器件

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201711223457.9有效
发明人：金真雅;李善荣;金容宽;金志永;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法。单元区域和核心区域被限定在衬底中。设置在单元区域中的位线结构被提供。设置在核心区域中的栅极结构被提供，以及设置在栅极结构上的核心盖膜被提供。核心盖膜的高度大于位线结构的高度。第一接触膜在位线结构上被形成。第二接触膜在核心盖膜上被形成。掩模在第一接触膜上被形成。核心盖膜的上表面使用掩模被暴露。第一接触膜使用蚀刻工艺被蚀刻直到第一接触膜的高度变得小于位线结构的高度。在蚀刻工艺中，对于第一接触膜的蚀刻速率大于对于位线结构和核心盖膜的蚀刻速率。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有气隙间隔物的半导体器件及制造其的方法-CN201711247712.3有效
发明人：李东烈;慎重赞;李东俊;李镐旭;崔智旻;金志永;尹灿植;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。
有气间隔半导体器件制造方法

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202010115013.9在审
发明人：宋时虎;朴正熙;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：多条第一导线，在第一方向上水平延伸；第二导线，在与第一方向垂直的第二方向上竖直延伸；以及存储器单元，位于第一导线和第二导线之间的交叉点处。所述多条第一导线在与第一方向交叉的第三方向上彼此侧向地间隔开。每个存储器单元包括水平布置的可变电阻元件和开关元件。可变电阻元件包括：第一可变电阻图案和第二可变电阻图案，布置在第二方向上；第一电极，位于第一可变电阻图案与第一导线之间；第二电极，位于第二可变电阻图案与第二导线之间；以及第三电极，位于第一可变电阻图案与第二可变电阻图案之间。
三维半导体存储器装置

[发明专利]非易失性存储器器件-CN202010453083.5在审
发明人：宋时虎;金英培;金杜应;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器器件。所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，产生要供应到所选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，接收地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量。控制逻辑块还根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。
非易失性存储器器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710281627.2有效
发明人：金根楠;朴善暎;廉癸憙;张贤禹;郑震源;赵昶贤;洪亨善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310491132.4在审
发明人：金根楠;朴善暎;廉癸憙;张贤禹;郑震源;赵昶贤;洪亨善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]带有水泵的发动机-CN201010242883.9有效
发明人： 赵昶贤 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： F01P5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有水泵的发动机。配备有水泵的发动机可以包括泵壳体，所述泵壳体安装在具有叶轮的气缸体的一侧上，所述叶轮能够旋转地安装在其前侧以抽取冷却液；入口配件，所述入口配件安装在所述气缸体上，与所述泵壳体离开预定距离，使得冷却液流过所述入口配件；以及连接体，所述连接体整体地连接所述泵壳体与所述入口配件以形成一个主体。
带有水泵发动机

[发明专利]自对准内栅凹陷沟道晶体管及其制造方法-CN200410010450.5无效
发明人：金志永;赵昶贤;申树浩;郑泰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体衬底中的自对准内栅凹陷沟道，包括：形成在衬底有源区中的凹槽；形成在凹槽底部上的栅极电介质层；形成在凹槽侧壁上的凹槽内侧壁隔离壁；形成在凹槽内的栅极使得栅极的上部伸出衬底的上表面之上，其中凹槽内侧壁隔离壁的厚度使栅极的中间部分的宽度小于栅极突出的上部和下部；形成在栅极层上的栅极掩模；形成在栅极的突出的上部和栅极掩模上的栅极侧壁隔离壁；以及在与栅极侧壁隔离壁相邻的衬底有源区中形成的源极/漏极区。
对准凹陷沟道晶体管及其制造方法

[发明专利]自对准内埋接触对及其形成方法-CN200410032182.7有效
发明人：尹喆柱;赵昶贤;郑泰荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-04-01 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种自对准内埋接触(BC)对，包括：衬底，具有多个扩散区；氧化物层，露出形成在衬底上的扩散区对；位线，相邻的扩散区之间，并且位于氧化物层上，位线的每一个具有形成在其侧壁上的位线侧壁隔片；第一层间介质(ILD)层，在位线和氧化物层上形成；BC焊盘对，形成在相邻的位线之间并且在第一ILD层中，BC焊盘对的每一个与露出的衬底中的一个扩散区对准；以及一对电容器，BC焊盘对的每个具有形成在其上的一个电容器对，其中一对位线侧壁隔片与BC焊盘的每一个相邻并且位线侧壁隔片对具有对称形状。
对准接触及其形成方法

[发明专利]在半导体器件中形成自对准接触的方法-CN98125611.2无效
发明人： 赵昶贤;郑弘植;李宰求;姜昌珍;郑相燮;郑澈;郑灿旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-12-18 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层；在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层；在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形，以暴露所说有源区和部分无源区；腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层，形成自对准接触开口；去掉掩模图形；在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层；平面化腐蚀导电层和层间介质层，从而至少形成两个接触焊盘。
半导体器件形成对准接触方法

[发明专利]形成电介质层的方法-CN99111093.5有效
发明人：金注完;金成镇;赵昶贤;黄秉槿;李宰求;高宽协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-07-29 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时，该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤，从而可以形成无空隙的电介质层。
形成电介质方法

[发明专利]制造金属氧化物半导体晶体管的方法-CN99109412.3无效
发明人： 赵昶贤;李美香;高宽协;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-06-29 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：向半导体衬底中注入第一导电杂质离子，由此形成阱区，其上再形成栅极。向栅极两侧的阱区中注入第一非导电杂质，以便控制其中的衬底缺陷，从而形成具有第一深度的第一沉淀区。向栅极两侧的阱区中注入第二非导电杂质离子，从而形成具有比第一深度相对浅的第二深度的源/漏区。向源/漏区中注入第二非导电杂质，以便控制其中的衬底缺陷，从而形成第二沉淀区。这种衬底缺陷如位错、扩展缺陷和堆垛层错同P-N结区隔离开，由此形成稳定P-N结。
制造金属氧化物半导体晶体管方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN99107373.8无效
发明人：梁元硕;金基南;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-05-18 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供在金属氧化物半导体晶体管中的一种改进的源/漏结构形及其制造方法，其中其在外围区中形成栅双侧壁间隔层，同时在单元阵列区中形成栅单侧壁间隔层。形成的双侧壁间隔层有利地抑制短沟道效应，防止漏电流和减少薄层电阻。外围区中用于第二间隔层的绝缘层留在单元阵列区中，并在用于形成接触开口的层间绝缘层的腐蚀步骤期间用作腐蚀停止层，而且在硅化作用形成的步骤期间用作阻挡层，由此简化制造工艺。
半导体器件制造方法

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