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[发明专利]功率半导体模块-CN202310684786.2有效
发明人：张斌;岳扬;周祥;张海泉;麻长胜;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体模块，变换电路，所述变换电路由至少一个半导体开关器件构成；IMS，IMS包括：图形层、绝缘层和金属层，图形层包括至少一个金属箔片区域，半导体开关器件焊接在金属箔片区域中；金属线，用于实现图形层中的电气连接；外壳，四周具有多个规律排布的金属键合端子，外壳的金属键合端子与图形层的金属键合端子通过超声波键合的方式进行键合，外壳内部注入硅凝胶，外壳通过硅橡胶与IMS粘连。本发明采用IMS作为产品基板，可以使变换电路的走线更加自由，且可以扩展固定尺寸中的电路可用面积，从而可以在同体积尺寸的模块内部封装更高功率的芯片，并且降低了逆变回路各相的杂散电感及各相之间的差异。
功率半导体模块

[实用新型]功率模块封装结构-CN202320149591.3有效
发明人：石彩云;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率模块封装结构，包括：散热基板，所述散热基板上开设有定位槽；焊片，所述焊片设置于所述定位槽内；陶瓷覆铜板下铜箔，所述陶瓷覆铜板下铜箔设置于所述焊片之上；陶瓷基板，所述陶瓷基板设置于所述陶瓷覆铜板下铜箔之上；陶瓷覆铜板上铜箔，所述陶瓷覆铜板上铜箔设置于所述陶瓷基板之上；芯片，所述芯片设置于所述陶瓷覆铜板上铜箔之上；封装胶，所述封装胶包裹所述芯片、所述陶瓷覆铜板上铜箔和所述陶瓷基板。本实用新型能够使焊料厚度均匀，并且降低了焊接过程中的分层失效风险和空洞风险，进而提高生产效率。
功率模块封装结构

[发明专利]功率模块封装结构及其制作方法-CN202310785276.4在审
发明人：郑军;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块封装结构及其制作方法，功率模块封装结构包括：导热底板；绝缘基板，固定设置于导热底板的上表面；功率器件，固定设置于绝缘基板的上表面；外壳，罩设于导热底板上并与导热底板形成容纳空间；悬浮板，设置于容纳空间内，悬浮板位于绝缘基板之上且与绝缘基板间隔一定距离；信号端子，设置于悬浮板上，信号端子的一端与悬浮板上的电路相连、另一端伸出外壳之外；第一键合线，两端分别对应连接绝缘基板上的电路和悬浮板上的电路。本发明能够缩减信号端子结构尺寸及成本，避免信号端子焊接带来的风险和信号端子的避让问题，降低制作工艺的实现难度，增加功率模块可设计空间，有利于高功率产品的开发。
功率模块封装结构及其制作方法

[发明专利]一种压接PIN针-CN202310811594.3在审
发明人：周祥;张敏;张海泉;麻长胜;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明涉及功率模块制造技术领域，具体涉及一种压接PIN针，包括插头部、过渡部、缓冲部、焊接部和限位部，所述插头部、所述过渡部、所述缓冲部和所述焊接部从上至下依次设置，所述限位部设置于所述过渡部和所述焊接部之间，所述限位部的下端与所述焊接部之间存在横向间隙，所述焊接部临近所述限位部且远离所述缓冲部的一侧边缘还设置有防滑结构。本发明能够避免限位部超出焊接部，防止限位机制失效，提高产品的稳定性，而且还能避免缓冲部过度形变，延长压接PIN针的使用寿命。
一种 pin

[实用新型]二极管器件-CN202320626951.4有效
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种二极管器件，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N‑漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N‑漂移区之上。本实用新型能够增强二极管器件的浪涌能力。
二极管器件

[发明专利]功率半导体器件-CN202110526994.0有效
发明人：陈超;张海泉;麻长胜;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件，包括：覆金属绝缘陶瓷衬底，上层和下层分别为第一导电金属层和第二导电金属层，中间层为陶瓷层，第一导电金属层上设置有上桥臂单元和下桥臂单元；多个SiC MOSFET芯片，焊接在第一导电金属层，其中，上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的数量与下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的数量相同；第一功率金属箔片，内部设置有第一信号金属箔片，下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的栅极信号的第一金属线均汇集在第一信号金属箔片内，并且紧密排布；第二功率金属箔片，内部设置有第二信号金属箔片，上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的栅极信号的第二金属线均汇集在第二信号金属箔片内，并且紧密排布。由此，能够使得内部驱动回路杂散参数一致。
功率半导体器件

[发明专利]功率模块封装结构-CN202310102213.4在审
发明人：石彩云;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块封装结构，包括：散热基板，所述散热基板上开设有定位槽；焊片，所述焊片设置于所述定位槽内；陶瓷覆铜板下铜箔，所述陶瓷覆铜板下铜箔设置于所述焊片之上；陶瓷基板，所述陶瓷基板设置于所述陶瓷覆铜板下铜箔之上；陶瓷覆铜板上铜箔，所述陶瓷覆铜板上铜箔设置于所述陶瓷基板之上；芯片，所述芯片设置于所述陶瓷覆铜板上铜箔之上；封装胶，所述封装胶包裹所述芯片、所述陶瓷覆铜板上铜箔和所述陶瓷基板。本发明能够使焊料厚度均匀，并且降低了焊接过程中的分层失效风险和空洞风险，进而提高生产效率。
功率模块封装结构

[发明专利]二极管器件及其制作方法-CN202310310085.2在审
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管器件及其制作方法，其中，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N‑漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N‑漂移区之上。本发明能够增强二极管器件的浪涌能力。
二极管器件及其制作方法

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202211677913.8在审
发明人：林茂;戚丽娜;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括阴极金属层、硅片、场氧化层、阳极金属层，所述阴极金属层、所述硅片、所述场氧化层由下至上依次设置，所述硅片的上部具有有源区，所述场氧化层具有与所述有源区相对应的有源区窗口，所述阳极金属层覆盖所述有源区窗口和所述场氧化层，其中，在所述有源区内间隔设置有多个高掺杂P区，每两个高掺杂P区之间设置有层叠区，所述层叠区包括位于下半部的低掺杂P区和位于上半部的低掺杂N区。本发明能够降低快恢复二极管正面注入效率，在反向偏置时提供正面空穴电荷的抽取通道，更快地使器件进入截止状态，大大降低反向恢复损耗，提升反向恢复能力。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]功率模块及其制作方法-CN202211540086.8在审
发明人：张斌;周祥;张海泉;麻长胜;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01R12/72 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，提供一种功率模块及其制作方法，所述功率模块包括绝缘基板，所述绝缘基板包括上金属层、绝缘层和下金属层，所述绝缘层位于所述上金属层和所述下金属层之间，所述上金属层分为多个板块，至少一个所述板块呈弯折状，且呈弯折状的板块以弯折处为界分为主电路部和端子部。本发明能够降低模块封装的杂散电感，降低加工制作难度，提高稳固性和可靠性，并且端子由于直接与主电路连接，还能够起到少量散热的作用，此外，能够去除外壳与基板之间为铝线跨线保留的空间，有利于功率模块的小型化设计。
功率模块及其制作方法

[实用新型]一种芯片键合结构-CN202223598598.8有效
发明人：刘利峰;赵善麒;王晓宝 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片键合技术领域，特别涉及一种芯片键合结构，包括基板和铝覆铜带，所述基板上设置有铜电路拓扑，所述铜电路拓扑上通过焊料焊接有芯片，所述铝覆铜带与芯片键合并与铜电路拓扑上的铜端子相连；所述铝覆铜带由铜带及铝带复合而成。本实用新型采用铝覆铜带进行芯片键合，集成了铝带和铜丝/铜带的双重优点，实现了在常规铝表面金属的芯片上键合，覆铜层又起到了铜丝/铜带的过大电流作用，降低了纯铝带键合的寄生电感，在满足性能要求的前提下，使生产工艺难度大幅降低，成品率获得显著提升。
一种芯片结构

[发明专利]一种用于半导体功率模块封装的石墨烯基板-CN202310025281.5在审
发明人：刘利峰;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率模块封装技术领域，特别涉及一种用于半导体功率模块封装的石墨烯基板，包括石墨烯层，所述石墨烯层表面覆有绝缘层，所述绝缘层表面为金属电路拓扑层。本发明省去了陶瓷板和铜板，用绝缘层代替了陶瓷板，无需陶瓷板与铜板焊接，孔洞率为零，利用石墨烯优异的导热特性，可以大大改善模块的散热效果；由于石墨烯材质的硬度可以抵抗芯片焊接造成的拱起，石墨烯不会发生形变，因此石墨烯不必像铜板一样提前预弯出弧度，降低了模块封装工艺控制难度。
一种用于半导体功率模块封装石墨烯基板

[发明专利]半导体功率器件的制备方法和装置-CN202211405217.1在审
发明人：刘帅帅;滕正刚;张正义;麻长胜;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件的制备方法和装置，其中，该方法包括以下步骤：采用覆铜工艺将第一导电金属层和第二导电金属层铺设在陶瓷层的两侧，并在铺设完成后，依次进行高温加热处理和冷却结晶处理，以获取覆铜基板，其中，第一导电金属层的厚度小于陶瓷层的厚度，陶瓷层的厚度小于第二导电金属层的厚度；采用第一焊料将覆铜基板中的第二导电金属层与散热基板相连；采用第一焊接温度将第一焊料熔化，以控制覆铜基板的弧度与散热基板的弧度相同，并在第一焊料熔化完成后，进行冷却结晶处理；将芯片连接在第一导电金属层上。由此，能够有效地防止出现焊接空洞的情况，进而大大提高了半导体功率器件的可靠性和使用寿命。
半导体功率器件制备方法装置

[发明专利]零电压开关的三电平Buck变换器及其控制方法-CN201611234270.4有效
发明人：傅强;史旭;李倩;王毅;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种零电压开关的三电平Buck变换器及其控制方法，电容C1、C2、C3和体二极管D1、D2、D3并接在各自的开关管Q1、Q2、Q3的漏极和源极上；开关管Q1的漏极接直流电源Vin正极、源极接开关管Q2的漏极，开关管Q2的源极经原边绕组Np2接开关管Q3的源极，开关管Q3的漏极一路经原边绕组Np1跨接在开关管Q1与开关管Q2的接点上、另一路接开关管Q2与电容C4的接点上，开关管Q3的源极接直流电源Vdc负极；副边整流桥的输入侧接副边绕组Ns1、输出侧接LC滤波电路，LC滤波电路包括漏感L1、电容C5和电阻R。本发明能实现了开关管零电压导通，减小了开关损耗，提高电路效率。
电压开关电平 buck 变换器及其控制方法

[发明专利]零电压零电流开关的三电平Buck变换器及其控制方法-CN201611234943.6有效
发明人：傅强;史旭;王毅;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明涉及一种零电压零电流开关的三电平Buck变换器及其控制方法，包括直流电源Vdc、三电平逆变桥臂和LC滤波电路，开关管Q1的漏极接直流电源Vin正极、源极接开关管Q2的漏极，开关管Q3的漏极跨接在开关管Q1和Q2的接点上，电容C1、C2、C3和体二极管D1、D2、D3并接在自各开关管Q1、Q2、Q3的漏极和源极上，续流二极管D4、电感L1、电容C5和续流二极管D5依次串接并接在开关管Q2的源极和直流电源Vdc负极上，开关管Q3源极通过电容C4接在电感L1与电容C5的结点上。本发明结构简单，通过抽走电容的能量来实现零电压导通，通过电感的扼流使开关管实现零电流导通，减小开关损耗，提高电路效率。
电压电流开关电平 buck 变换器及其控制方法

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