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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710368881.6有效
发明人： 詹佳玲;王参群;陈亮吟;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种等离子体掺杂制程，其对鳍状物中的淡掺杂源极/漏极区提供共形的掺杂轮廓，并减少由等离子体掺杂引起的鳍状物高度减损。上述等离子体掺杂制程克服了在鳍状物结构的传统的等离子体掺杂制程造成的限制，例如结构的具挑战性的高宽比及紧密的节距。已证实，具有共形的淡掺杂源极/漏极区及减少鳍状物高度损失的半导体装置的并联电阻较低且晶体管效能得到改善。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN201910234384.6有效
发明人： 詹佳玲;陈亮吟;简薇庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体装置与其形成方法。在一实施例中，装置包括鳍状物于基板上，且鳍状物具有靠近基板的硅部分与远离基板的硅锗部分；栅极堆叠，位于鳍状物的通道区上；源极/漏极区，与栅极堆叠相邻；第一掺杂区，位于鳍状物的硅锗部分中，第一掺杂区位于通道区与源极/漏极区之间，且第一掺杂区具有一致的掺质浓度；以及第二掺杂区，位于鳍状物的硅锗部分中，第二掺杂区位于源极/漏极区下，而第二掺杂区具有梯度的掺质浓度，且掺质浓度随着自鳍状物顶部朝鳍状物底部延伸的方向增加。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN202110743295.1在审
发明人：罗威扬;程潼文;詹佳玲;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法。方法包含形成虚设栅极于半导体鳍片的通道部位上方；沉积氧化物层于虚设栅极以及半导体鳍片上方；沉积氮硅化物层于氧化物层上方；掺杂氮硅化物层以于氮硅化物层中形成富掺杂层；将富掺杂层中的掺杂物撞击至氧化物层中；将富掺杂层中的掺杂物撞击至氧化物层中之后，形成多个轻掺杂漏极区域于半导体鳍片的未覆盖部位；图案化氮硅化物层以及氧化物层以形成一对栅极间隙壁于虚设栅极的相对的两侧壁上，其中轻掺杂漏极区域中的一者的一顶部位所具有的掺杂浓度是高于该对栅极间隙壁中的一者的底部位所具有的掺杂浓度，轻掺杂漏极区域中的该者的底部位所具有的掺杂浓度是低于该对栅极间隙壁中的该者的底部位所具有的掺杂浓度。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710310947.6有效
发明人：李威养;篮加纯;詹佳玲;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置是包含掺杂半导体层、鳍片结构、源极/漏极区域以及鳍片侧壁。鳍片结构是设置在掺杂半导体层上，且是以p型掺质掺杂。源极/漏极区域是设置在鳍片结构的上部分中。鳍片侧壁是沿着鳍片结构的下部分形成的，并具有p型掺质。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]在鳍式场效晶体管中形成外延结构-CN201810972337.7在审
发明人： 詹佳玲;陈子涵;陈亮吟;郭建亿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了在鳍式场效晶体管中形成外延结构。在一实施例中，一种在FinFET装置中形成源极/漏极构件的方法包含：提供形成于衬底上方的鳍片和形成于鳍片上方的栅极结构；在所述鳍片中相邻于所述栅极结构形成凹槽；在所述凹槽中形成第一外延层；在所述第一外延层上方形成第二外延层；和在所述第二外延层上方形成第三外延层。所述第二外延层可掺杂有第一元素，而所述第一外延层和所述第三外延层的一者或两者包含不同于所述第一元素的第二元素。所述第一外延层和所述第三外延层的一者或两者可通过等离子体沉积程序形成。
外延层鳍式场效晶体管外延结构栅极结构鳍片等离子体沉积源极/漏极程序形成衬底掺杂

[发明专利]FinFET及其制造方法-CN201510212384.8有效
发明人：李威养;陈定业;詹佳玲;詹前泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：FinFET包括鳍结构、栅极和源极‑漏极区。鳍结构位于衬底上方并且具有鳍结构的上表面的凹槽以及位于鳍结构中并且邻近凹槽的掺杂区。栅极从凹槽突出并且横跨在鳍结构上方。源极‑漏极区位于鳍结构中并且邻近掺杂区。本发明也提供了FinFET的制造方法。
finfet 及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201810807054.7在审
发明人：郭建亿;傅少甫;詹佳玲;白易芳;舒丽丽;吕惟皓;江威德;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开披露了一种半导体装置的形成方法。本公开的实施例大体上涉及外延方式，其用以形成半导体装置，例如n型通道装置中的源极/漏极区。在一示例中，半导体装置的形成方法包括在基板上形成主动区。主动区包括源极/漏极区。源极/漏极区的形成步骤包括：沿着主动区中的凹陷部的下表面与侧表面形成阻障区。阻障区包括第一掺质浓度的砷。源极/漏极区的形成步骤还包括在凹陷部中的阻障区上形成外延材料。外延材料包括第二掺质浓度的磷。
源极/漏极区半导体装置主动区阻障区外延材料凹陷部掺质外延方式侧表面下表面基板

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201811147913.0在审
发明人： 詹佳玲;林彥君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括形成鳍状物于基板上；形成虚置栅极结构于鳍状物上；形成第一间隔物于虚置栅极结构上；布植第一掺质至鳍状物中，以形成与第一间隔物相邻的鳍状物的掺杂区；移除鳍状物的掺杂区以形成第一凹陷，其中第一凹陷自对准掺杂区；以及外延成长源极/漏极区于第一凹陷中。
鳍状物掺杂区凹陷虚置栅极结构间隔物源极/漏极区半导体装置自对准布植掺质基板移除

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810523022.4在审
发明人： 詹佳玲;刘孟岳;林玮耿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本公开一些实施例，提供半导体装置的制造方法，其包含形成第一鳍片于基底的第一区上及第二鳍片于基底的第二区上。上述方法亦包含形成第一栅极堆叠于第一鳍片上，及形成第二栅极堆叠于第二鳍片上。上述方法更包含形成间隙物层于第一鳍片、第二鳍片、第一栅极堆叠及第二栅极堆叠上。此外，上述方法包含形成第一掩模于第二区的间隙物层上，且第一掩模覆盖第二鳍片。形成第一掩模后，将具有第一掺杂型态的第一掺杂质注入第一鳍片上方的间隙物层内。上述方法亦包含移除第一掩模。上述方法更包含执行第一退火工艺，以将第一掺杂质导入第一鳍片，以及外延成长第一源极/漏极区于第一鳍片内。
鳍片栅极堆叠间隙物掩模半导体装置掺杂质基底源极/漏极区掺杂型态退火工艺掩模覆盖第一区移除制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201711079441.5在审
发明人： 詹佳玲;林彦君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括形成间隔层于半导体鳍片之上，此半导体鳍片突出于基板上，当此间隔层覆盖半导体鳍片的源极/漏极区域时，使用第一掺质掺杂此间隔层及在掺杂之后进行热退火工艺。
半导体鳍片半导体装置隔层掺杂源极/漏极区域间隔层热退火掺质基板制造覆盖

[发明专利]鳍式场效晶体管装置的制造方法-CN201710718888.6在审
发明人：陈佳政;詹佳玲;陈亮吟;张惠政;高琬贻;王立廷;聂俊峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供鳍式场效晶体管装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法，此方法包含在鳍式场效晶体管的虚设栅极上方形成第一栅极间隔物，此方法也包含对第一栅极间隔物实施碳等离子体掺杂，此方法也包含形成多个源极/漏极区，其中源极/漏极区设置在虚设栅极的相反侧上，此方法也包含移除虚设栅极。
鳍式场效晶体管虚设栅极源极/漏极区栅极间隔物碳等离子体相反侧移除制造掺杂

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201611149521.9在审
发明人：罗威扬;程潼文;詹佳玲;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包含基材、至少一源极漏极特征、栅极结构以及至少一栅极间隙壁。源极漏极特征至少部分位于基材中。栅极结构位于基材上。栅极间隙壁位于栅极结构的至少一侧壁上。栅极间隙壁的底部位具有掺杂物于其中。
半导体元件及其制造方法

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