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[发明专利]物业品质核查方法及其核查系统、物业综合管理系统-CN201811511929.5有效
发明人： 苏晓山 -专利权人：广州粤华物业有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06Q10/20 文献下载
摘要：本发明涉及物业品质核查方法及其核查系统、物业综合管理系统。所述物业综合管理系统在使用时，物业品质核查系统需与一个物业品质核查方法配套使用，物业报警中心管理系统需与一个物业报警中心管理方法配套使用。物业品质核查方法，其用于物业综合管理系统中用来核查物业的维修人员的维修品质。物业报警中心管理方法，其用于物业综合管理系统中对小区内发生偷窃报警事故进行处理。本发明通过利用物业的自评定与业主的他评定的双重评定方式，实现间接监管维修人员现场维修品质的效果。并根据现场维修的品质给与维修人员相应的奖惩措施以调动维修人员工作的积极性与认真性，最终在提高小区物业服务品质的同时也很好的保障了业主的生活。
物业品质核查方法及其系统综合管理

[发明专利]一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法-CN202310029917.3在审
发明人：张熠鑫;苏晓山;贾国;刘少博;卢昂 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法，采用沟槽结构和双栅结构相结合的方式，在纵向结构上，实现两个驱动栅极，使用多晶硅作为电极。在器件正向导通时，器件实际为PNP晶体管；在器件反向截止时，器件实际为NPN晶体管。本申请技术方案解决了现有的沟槽结构半导体无法实现低导通电阻、高压、高频的特性。
一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法

[发明专利]一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法-CN202310015042.1在审
发明人：张熠鑫;贾国;苏晓山;王大明;卢昂 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法，包括如下步骤：进行沟槽刻蚀，所述沟槽设置一拐点，所述拐点下部用于容纳多晶，所述拐点上部的沟槽宽度大于所述拐点下部的沟槽宽度；对沟槽依次进行氧化和多晶沉淀，然后进行退火处理；进行多晶刻蚀，形成多晶预期形貌；对整体结构进行氧化处理，使多晶异常部位完全氧化，并对产生的氧化层进行取出，得到多晶最终形貌。本申请技术方案解决了现有的SGT MOSFET多晶表面不平整导致产品失效的问题。
一种改善 sgt 产品多晶形貌制造方法

[发明专利]一种IGBT器件及制造方法-CN202310193570.6在审
发明人：滕跃;李强;曹务臣;苏晓山;左义忠 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种具有局部接触发射区的IGBT器件和IGBT器件制造方法，涉及半导体器件技术领域。IGBT器件包括：MOS器件；场终止层，位于MOS器件的下表面；P型发射区，位于场终止层下表面；绝缘层，位于P型发射区下表面；集电极金属，位于绝缘层下方；其中，在绝缘层的局部打开，形成集电极金属与P型发射区的接触窗口。由于发射区设置为局部发射区，或集电极设置为局部接触发射区，流过器件的电流会因窗口面积比降低，提高流过局部发射区的电流密度，使发射区工作在少子大注入状态，从而提高器件的电导调制强度，降低器件的导通压降。
一种 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种降低MOSFET器件导通电阻的制造方法-CN202310030128.1在审
发明人：张熠鑫;宋吉昌;苏晓山;王大明;卢昂 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种降低MOSFET器件导通电阻的制造方法，包括如下步骤：形成MOSFET接触孔的基本形貌；采用第一功率的射频对MOSFET接触孔进行干法刻蚀；采用第二功率的射频对MOSFET接触孔中残留的氧化硅进行过刻；采用低浓度硝酸和氢氟酸混合液对MOSFET接触孔表面的界面损伤进行处理，降低界面态密度；去除光刻胶，然后进行金属淀积，形成欧姆接触。本申请技术方案解决了现有MOSFET器件实际测试过程中，因导通电阻参数超标而失效的问题。
一种降低 mosfet 器件通电制造方法

[发明专利]抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构-CN202110814800.7有效
发明人：贾云鹏;周新田;贾国;胡东青;吴郁;苏晓山 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，尤其涉及一种抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构，包括源极金属、漏极金属、衬底、缓冲层、N柱、P柱、连接区组、栅极组、隔离氧化层及栅氧化层，所述衬底一端与漏极金属接触，另一端与缓冲层接触，所述P柱设置有两个，所述N柱设置在两P柱之间并分别与两P柱接触，两所述P柱与N柱的一端分别与缓冲层接触，所述连接区组设置有两个且对称设置，其中一所述连接区分别与源极金属、隔离氧化层及一P柱的另一端接触，另一所述连接区分别与源极金属、隔离氧化层及另一P柱的另一端接触，所述N柱的另一端分别与两连接区组及隔离氧化层接触，所述栅极组及栅氧化层设置在源极金属及隔离氧化层之间。
粒子烧毁 mos 器件结构

[实用新型]一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构-CN202120584004.4有效
发明人：刘少博;王大明;苏晓山 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试位相连通，所述固定组件用于将待测试的MOSFET器件固定在所述导电板的测试位上。本实用新型可快速实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，且测量结果误差小，精度高。
一种实现 mosfet 器件最大额定功率测试结构

[实用新型]一种半导体器件防潮结构-CN202023161487.1有效
发明人：李明宇;苏晓山;王大明;贾国 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体器件防潮结构，包括：衬底和形成于所述衬底表面的阱，所述阱内形成所需的器件，所述器件的上表面低于所述阱的上表面，所述器件周边的衬底形成一圈隔离区。本实用新型的半导体器件防潮结构，将器件形成于阱内，而阱周围的衬底形成所述器件的隔离区，该设计有效防止了外部环境对于器件的干扰，利用其自身结构实现器件的防潮效果。与现有的芯片级防潮结构相比，不需要通过挖槽工艺做复杂的防潮环，降低了工艺复杂度和生产成本。而且由于本半导体器件防潮结构在芯片级即满足可靠性的要求，故在封装时无需做复杂的封装，一般采用WLP晶圆级封装方式，即将器件直接贴装到基板或印刷电路板上，其在减小成品管芯尺寸的同时，也大大降低了封装成本。
一种半导体器件防潮结构

[实用新型]一种智能马桶盖可视化控制系统-CN202022987637.8有效
发明人：白玉锋;苏晓山;邓剑 -专利权人：四川长虹电子部品有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G08C17/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及智能设备控制技术，其公开了一种智能马桶盖可视化控制系统，实现对马桶盖更加智能化、可视化控制。该系统包括通过FPC相连的MCU主控电路板和LED驱动电路板；所述MCU主控电路板上设置有主控MCU、射频天线、第一显示单元和第一按键单元；所述射频天线、第一显示单元和第一按键单元均与所述主控MCU电连接；所述LED驱动电路板上设置有驱动芯片、第二显示单元、第二按键单元以及电源单元；所述第二显示单元和第二按键单元均与所述驱动芯片电连接；所述电源单元用于为LED驱动电路板供电，并通过FPC为MCU主控电路板供电。
一种智能马桶盖可视化控制系统

[发明专利]平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法-CN202110137004.4在审
发明人： 苏晓山;贾国;卢昂;李明宇;王大明 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，包括如下步骤：步骤S 1：在N型硅片表面沉积氧化硅并进行光刻刻蚀；步骤S2：去除部分氧化硅以形成沟槽刻蚀窗口，并进行沟槽刻蚀；步骤S3：去除N型硅片表面的氧化硅并对N型硅片的表面进行氧化形成氧化硅，并在氧化硅上再沉积一层氧化硅，并在上一层的氧化硅上沉积多晶硅；步骤S4：刻蚀步骤S3中的多晶硅及多晶硅下的两层氧化硅，进行栅氧化，沉积多晶硅，在多晶硅上沉积氧化硅；步骤S5：进行多晶硅的光刻刻蚀，再进行氧化硅的刻蚀，刻蚀出P‑注入窗口；步骤S6：进行P‑注入及推结；步骤S7：刻蚀出N+注入窗口并进行N+注入及退火。
平面沟槽相结合场效应半导体器件制造方法

[外观设计]免接触感应洗手瓶-CN202030440917.X有效
发明人： 苏晓山 -专利权人： 苏晓山
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： 23-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：免接触感应洗手瓶。2.本外观设计产品的用途：包装清洁用品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
接触感应洗手

[外观设计]固定测温仪-CN202030596443.8有效
发明人： 苏晓山 -专利权人： 苏晓山
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：固定测温仪。2.本外观设计产品的用途：测量。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
固定测温

[发明专利]累积型MOS沟道二极管结构-CN202011223439.2在审
发明人：刘梦;吴郁;薛云峰;苏晓山;雷正龙 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种累积型MOS沟道二极管结构，包括阴极金属、阳极金属、N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅组，所述N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅设置在阴极金属与阳极金属之间，所述N型衬底一端与阴极金属接触，另一端与N型外延层的一端接触，N型外延层的另一端部分与P区接触，N型源区设置在阳极金属、P区及槽栅组之间并分别与部分阳极金属、部分P区及部分槽栅组接触，部分所述槽栅组及部分P区分别与部分阳极金属接触。本发明的累积型MOS沟道二极管结构通过P区、N型源区与阳极金属形成欧姆接触，使得具有比肖特基势垒更低的势垒高度，有利于降低其在正向导通时的压降。
累积 mos 沟道二极管结构

[发明专利]一种植物滴灌装置-CN201811254335.0在审
发明人： 苏晓山 -专利权人：广州粤华物业有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： A01G25/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种植物滴灌装置，包括轨道，所述轨道上设置有用于将其架空的吊架，且轨道上设置有行走装置，所述行走装置沿轨道的长度方向运动，所述行走装置上还设置有控制器，且行走装置的下方设置有两端密封的分水管，所述分水管的下方设置有滴注头，所述滴注头与分水管相连通，所述分水管与行走装置之间还设置有用于使分水管升高或降低的连接杆，所述连接杆的一端与行走装置固定连接，另一端与分水管固定连接；该植物滴灌装置具有结构合理、使用及维护方便的优点。
行走装置分水管滴灌装置轨道滴注头连接杆种植物长度方向运动两端密封维护方便控制器吊架架空升高

[实用新型]抗辐射功率场效应晶体管-CN201820445531.5有效
发明人：贾国;刘广海;苏晓山;张熠鑫 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2018-03-31 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种抗辐射功率场效应晶体管。本实用新型中，该抗辐射功率场效应晶体管包括：具有沟道的基底以及设置在沟道上的栅极结构，栅极结构包括依次叠设在沟道上的氧化层、介质层、多晶硅栅极层、隔离层和电极层，隔离层包覆多晶硅栅极层、并将多晶硅栅极层与电极层隔离开，氧化层包括正对并覆盖沟道的中央区域以及自中央区域延伸至基底上的非沟道区域的边缘区域，中央区域的厚度大于边缘区域的厚度。本实用新型实施方式提供的抗辐射功率场效应晶体管，其抗辐射能力得以提高。
抗辐射功率场效应晶体管沟道多晶硅栅极层本实用新型中央区域边缘区域栅极结构电极层隔离层氧化层基底半导体制造领域沟道区域介质层包覆正对隔离延伸覆盖

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