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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学系统、集成电路和形成集成电路的方法-CN202310180222.5在审
发明人：刘维纲;石志聪;卢皓彦;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对集成电路。集成电路包括具有上部面和下部面的衬底。上部面包括中心区域和横向地围绕中心区域并且从上部面延伸到下部面的外侧壁。设置在衬底的上部面上方的光学边缘耦合器，并且光学边缘耦合器在第一方向上从中心区域朝向外侧壁延伸。光学边缘耦合器的外侧壁对应于衬底的外侧壁并且具有凹陷表面或凸起表面。本发明实施例还提供了形成集成电路的方法和光学系统。
光学系统集成电路形成方法

[发明专利]包括光耦合集成电路芯片的半导体封装-CN202210814699.X在审
发明人： 石志聪;卢皓彦;刘维纲;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及包括光耦合集成电路(IC)芯片的半导体封装。第一IC芯片和第二IC芯片在衬底的中央处上覆于衬底上。光子芯片上覆于第一IC芯片和第二IC芯片上并电耦合到第二IC芯片。激光器件芯片在衬底的外围处上覆于衬底上，与光子芯片和第二IC芯片相邻。光子芯片被配置为根据来自第二IC芯片的电信号来调制来自激光器件芯片的激光束并将经调制的激光束提供给第一IC芯片。这有利于第一IC芯片与第二IC芯片之间的光通信。本公开的各种实施例进一步涉及同时对准并接合半导体封装的组成物。
包括耦合集成电路芯片半导体封装

[发明专利]极紫外遮罩及其制造方法-CN201910818426.0有效
发明人： 石志聪;简聪智;傅士奇;傅啟华;郑国堂;刘柏村;李宗泉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种极紫外线遮罩及其制造方法。极紫外(extreme ultraviolet；EUV)遮罩包括：多层钼/硅堆叠、覆盖层及在覆盖层上的吸收体层。钼/硅堆叠包含安置于遮罩基板的第一主表面之上的交替的钼及硅层；覆盖层由钌制成并且安置在多层钼/硅堆叠之上。极紫外遮罩包括电路图案区域及粒子吸引区域，并且覆盖层在粒子吸引区域的图案的底部处暴露。
紫外及其制造方法

[发明专利]利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模-CN202010531834.0有效
发明人：卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
利用曝光形成多层图案具有状态光掩模

[发明专利]用于光学互联的设备-CN202210529951.2在审
发明人：斯帝芬·鲁苏;赖比尔·伊斯兰;宋巍巍;石志聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：一种用于光学互联的设备，包括包含基座层的光子裸片(pDie)及电子裸片(eDie)、波导、光纤连接件的整合，以达成高带宽通信。在一实施例中，一种范例的光学互联装置包括耦接至一光子裸片的一电子裸片，且与一基板、一基座、一板件、一对微镜片及一镜面整合，上述镜面耦接至一波导，上述波导可嵌设在板件中。在另一实施例中，波导嵌设在一基座层中且耦接至一光纤连接件。在此等实施例中，范例的光学界面装置可经由一波导阵列及/或一光纤阵列而耦接另一其他的光学互联装置。
用于光学设备

[发明专利]二维光栅耦合器和其制造方法-CN202110599643.2在审
发明人： 石志聪;周淳朴;斯帝芬鲁苏;徐英杰;卓联洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：公开一种用于光学耦合的装置和方法。在一个实例中，所描述的装置包含：平面层；光栅区，包括布置在平面层中以形成二维光栅的散射元件阵列；第一锥形结构，形成在平面层中，以将光栅区的第一侧连接到第一波导，其中第一锥形结构的形状是对于垂直于平面层中的光栅区的第一侧的任何线不对称的第一三角形；以及第二锥形结构，形成在平面层中，以将光栅区的第二侧连接到第二波导，其中第二锥形结构的形状是对于垂直于平面层中的光栅区的第二侧的任何线不对称的第二三角形，其中第一侧和第二侧大体上彼此垂直。
二维光栅耦合器制造方法

[发明专利]倍缩光罩容器及微影系统-CN202110569403.8在审
发明人： 石志聪;简聪智;李宗泉;张皓翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：一种倍缩光罩容器及微影系统，倍缩光罩容器包含底座，包含第一表面；以及遮盖，包含第二表面，遮盖以第一表面朝向第二表面的方式耦合至底座。底座与遮盖形成包含倍缩光罩的内部空间。此倍缩光罩容器包含限制机构配置于内部空间中，以固定内部空间中的倍缩光罩与邻设于倍缩光罩的结构。此结构至少局部围绕倍缩光罩，且限制倍缩光罩容器的外部环境与内部空间之间的污染的通路。此结构包含阻障设于第一表面与第二表面上。在其他例子中，填料设置于阻障与第一表面及第二表面之间的间隙中。在其他例子中，此结构包含墙结构设于第一表面与第二表面上以及限制机构之间。
倍缩光罩容器系统

[发明专利]半导体器件以及用于形成半导体器件的方法-CN202110448356.1在审
发明人： 石志聪;卢皓彦;徐英杰;斯帝芬鲁苏;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种半导体器件。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。
半导体器件以及用于形成方法

[发明专利]EUV焦点监控系统和方法-CN201610153625.0有效
发明人： 石志聪;郑介任;陈政宏;陈家桢;游信胜;严涛南;赖韦志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了用于监控EUV光刻系统的焦点的系统和方法。另一方面包括具有测量第一移位值和测量第二移位值的操作的方法，其中对于晶圆上的焦点测试结构的第一组图案化的子结构，测量第一移位值，并且对于晶圆上的测试结构的第二组图案化的子结构，测量第二移位值。可以使用非对称照明在晶圆上形成测试结构，测试结构具有第一组图案化的子结构和第二组图案化的子结构，第一组图案化的子结构具有第一间距，第二组图案化的子结构具有与第一间距不同的第二间距。方法还包括，基于第一移位值和第二移位值之间的差值来确定用于照明系统的焦点移位补偿。
euv 焦点监控系统方法

[发明专利]极紫外线微影方法、极紫外线遮罩及其形成方法-CN202110653476.5在审
发明人： 石志聪;吴于勳;刘柏村;李宗泉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种极紫外线微影方法、极紫外线遮罩及其形成方法，形成极紫外线(EUV)遮罩的方法包含形成多层Mo/Si叠层，此多层Mo/Si叠层包括在遮罩基材之上交替堆叠的Mo层及Si层；在多层Mo/Si叠层之上形成钌覆盖层；采用卤素元素、五价元素、六价元素、或其等的组合掺杂钌覆盖层；在钌覆盖层之上形成吸收层；蚀刻吸收层以在吸收层中形成图案。
紫外线方法及其形成

[发明专利]处理半导体晶片的方法-CN202011255598.0在审
发明人：李奕纬;陈瑞杰;石志聪;李宗泉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：根据部分实施例，本公开提供了一种用于处理半导体晶片的方法。此方法包括在微影曝光设备中将载体以及由载体支撑的遮罩一起运输。此方法还包含透过磁场调节载体中的微粒。另外，此方法包括从载体移除遮罩。此方法还包含使用遮罩对微影曝光设备中的半导体晶片执行微影曝光制程。
处理半导体晶片方法

[发明专利]针对污染控制进行改进的光掩模及其形成方法-CN202010870107.7在审
发明人：赖建宏;张浩铭;林佳仕;王宣文;许有心;石志聪;吴于勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明实施例涉及针对污染控制进行改进的光掩模及其形成方法。本发明实施例涉及一种光掩模，其包含：衬底；多层堆叠，其安置在所述衬底上方且经配置以反射辐射；罩盖层，其在所述多层堆叠上方；及抗反射层，其在所述罩盖层上方。所述抗反射层包括第一图案，其中所述第一图案暴露所述罩盖层且配置为可印刷特征。所述光掩模还包含从俯视视角来看与所述可印刷特征隔开的吸收体。
针对污染控制进行改进光掩模及其形成方法

[发明专利]用于光刻工艺的辅助部件-CN202010806388.X在审
发明人：黄道旻;陈嘉仁;李信昌;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。
用于光刻工艺辅助部件

[发明专利]用于集成电路图案化的方法-CN202010429964.3在审
发明人： 石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种图案化衬底的方法。该方法包括图案化形成在衬底上方的光刻胶层以生成光刻胶图案，以及利用离子束来处理该光刻胶图案。离子束由诸如CH4、SiH4、Ar或He的气体生成，并且该离子束以至少10°的倾斜角度被引导至光刻胶图案。在实施例中，离子束以一致的扭转角度或具有单峰或双峰分布的扭转角度被引导至光刻胶图案。离子束减小了光刻胶图案的线边缘粗糙度(LER)、线宽粗糙度(LWR)和/或临界尺寸。该方法还包括利用被处理的光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还提供了用于集成电路图案化的方法。
用于集成电路图案方法

[发明专利]用于光刻工艺的辅助部件-CN201510133081.7有效
发明人：黄道旻;陈嘉仁;李信昌;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。
用于光刻工艺辅助部件

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