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[发明专利]一种单晶硅精抛液及制备方法-CN202310743059.9在审
发明人：贺兆波;罗月;叶瑞;张庭;邹哲敏;姜飞;冯凯;崔会东;王书萍;严凡 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅精抛液及制备方法，该硅片精抛液由咪唑改性的高纯硅溶胶、渗透剂和成膜剂、表面活性剂、pH调节剂和超纯水组成，各组分所占的质量百分比为：0.5%～20%的咪唑改性的高纯纳米硅溶胶、0.01～1%的螯合剂、0.01%～0.5%的渗透剂，0.001%～0.5%的成膜剂、0.01%～5%的pH调节剂、余量的超纯水。其中咪唑改性的高纯硅溶胶不仅能提高硅溶胶的分散性，而且能减弱硅溶胶与硅片之间的静电斥力，显著地提高硅片的抛光速率；在渗透剂和成膜剂的共同作用下，本发明的精抛液不仅抛光速率高达550 nm/min，且抛光后硅片表面沾污颗粒极少，表面没有划痕和凹陷，表面状态良好。同时本发明精抛液的金属杂质离子控制在10 ppb以下，符合高端集成电路中单晶硅的精抛要求。
一种单晶硅精抛液制备方法

[发明专利]一种无C高选择性氮化硅蚀刻液-CN202210790396.9有效
发明人：冯凯;崔会东;贺兆波;王书萍;叶瑞;张庭;姜飞;冯帆;班昌胜;杜程;徐子豪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无C高选择性氮化硅蚀刻液，其主要成分包括无机酸、无机硅化合物、预溶剂、无机分散剂和水组成，本发明的蚀刻液可提高氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，提高蚀刻液的高温稳定性，避免有机胶质残留在晶圆上。
一种选择性氮化蚀刻

[发明专利]一种磷酸基蚀刻液及其配制方法-CN202211063570.6有效
发明人：杜程;贺兆波;叶瑞;姜飞;张庭;冯凯;王书萍;班昌胜;冯帆 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种磷酸基蚀刻液其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑88%的磷酸、0.005‑2%的添加剂，余量为水，所述的添加剂包括聚乙烯酸胺，聚乙烯酸亚胺，丙烯酸铵，聚丙烯酸亚胺，顺丁二酸铵，顺丁二酸亚胺中的一种或几种的混合物。本发明通过使用新型添加剂的成分及类型。明显降低了蚀刻液蚀刻过程中直径大于80nm大颗粒的含量，抑制颗粒的沉积，提高磷酸基蚀刻液使用寿命。
一种磷酸蚀刻及其配制方法

[发明专利]一种侧蚀量可控的锗蚀刻液-CN202111503295.0有效
发明人：尹印;陈小超;万杨阳;贺兆波;张庭;余迪;彭浩;冯凯;王书萍 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种侧蚀量可控的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于蚀刻晶圆上的锗膜层，并控制光阻结构下方的侧蚀量，组成包括氧化剂、氟离子源、粘度调节剂、pH调节剂和高纯水。氧化剂将锗氧化，且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合溶解锗的氧化物的作用；粘度调节剂用于控制蚀刻液粘度，改善侧向钻蚀能力；锗膜层上方光阻对pH值非常敏感，pH调节剂可以避免pH过低时导致光阻剥离。
一种侧蚀量可控蚀刻

[发明专利]3D NAND结构片的选择性蚀刻液-CN202211234631.0有效
发明人：冯帆;贺兆波;张庭;班昌胜;冯凯;王书萍;杜程;叶瑞;彭飞;倪高国 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND结构片的选择性蚀刻液。该蚀刻液包括磷酸、硅烷添加剂1、硅烷添加剂2、其他为水。本发明的蚀刻液对氧化硅膜与氮化硅膜具有蚀刻选择性，能够选择性地去除氮化硅膜，提升蚀刻液寿命且能适应叠层结构的蚀刻。
nand 结构选择性蚀刻

[发明专利]一种掺钪氮化铝和钨的选择性蚀刻液-CN202210757316.X有效
发明人：班昌胜;贺兆波;叶瑞;姜飞;张庭;冯帆;冯凯;王书萍;杜程 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺钪氮化铝和钨的选择性蚀刻液，按质量百分数计，包括碱性物质：10~25%、氧化剂1.5~2.5%；钨蚀刻抑制剂0.2~0.4%；表面活性剂0.03~0.1%；余量为去离子水。本发明所述的钪氮化铝碱蚀刻液能够在高效地蚀刻掺钪氮化铝同时保证金属钨的低蚀刻速率，最大程度地避免对金属钨的蚀刻。蚀刻过程中，氧化剂可极大程度提升钪氮化铝的蚀刻速率，减少蚀刻残留，延长蚀刻液寿命。
一种氮化选择性蚀刻

[发明专利]一种抑制二氧化硅蚀刻的无C蚀刻液-CN202210790401.6有效
发明人：冯凯;叶瑞;贺兆波;杜程;崔会东;王书萍;冯帆;班昌胜;张庭;徐子豪;姜飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制二氧化硅蚀刻的无C蚀刻液，其主要成分包括无机酸、氯硅烷、预溶剂和水组成，本发明的蚀刻液可通过抑制二氧化硅的蚀刻速率提高氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，提高蚀刻液的高温稳定性，避免有机胶质残留在晶圆上。
一种抑制二氧化硅蚀刻

[发明专利]一种金蚀刻液-CN202111512488.2有效
发明人：万杨阳;尹印;贺兆波;张庭;冯凯;王书萍;李鑫;李金航;钟昌东;黎鹏飞;彭浩;余迪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种金蚀刻液。该蚀刻液由氧化剂、络合剂、增溶剂、pH缓冲剂、添加剂、氧化剂再生剂和去离子水组成。氧化剂为I2，络合剂为KI，增溶剂为极性有机溶剂，PH缓冲剂为多元酸盐，添加剂为含亲水基的芳香硝基化合物，氧化剂再生剂为吡咯烷酮类化合物。吡咯烷铜类化合物，与溶液中I‑发生氧化还原反应，将I‑氧化成I2，补充了被消耗的I2，使得药液中的I2和I‑处于动态平衡，从而延长了蚀刻液的寿命。因此本发明中的金蚀刻液能够维持稳定的蚀刻速率和寿命，同时蚀刻出均匀的金表面。
一种蚀刻

[发明专利]TiN去除液-CN202210674335.6有效
发明人：万杨阳;尹印;贺兆波;余迪;彭浩;张庭;冯凯;王书萍;钟昌东;李金航;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种TiN去除液。该去除液由氧化剂、pH缓冲剂、添加剂A、添加剂B和去离子水组成。氧化剂为H2O2，pH缓冲剂为有机酸及有机酸盐混合物，添加剂A为过硫酸盐，能够提高对TiN层的蚀刻速率，添加剂B为酚磺酸、醇类、金属掩蔽剂的混合物。其中TiN先被H2O2氧化成TiO2，再由水合氢离子将TiO2溶解。pH缓蚀剂通过调节溶液的pH，使其维持酸性环境，减缓了H2O2的分解，增强其稳定性，延长了蚀刻液寿命及对TiO2的溶解速率。添加剂A增强了TiN的蚀刻速率，使得TiN层能快速的去除，且没有残留。添加剂B的引入抑制了对Cu、Co、Al、W、TEOS的蚀刻，使得该去除液与Cu、Co、Al、W、TEOS膜层有很好的兼容性，TiN/（Cu、Co、Al、TEOS）选择比高。
tin 去除

[发明专利]一种铜钼蚀刻液及其制备方法-CN202211014276.6有效
发明人：钟昌东;贺兆波;张演哲;叶瑞;张庭;刘悦;黄锣锣;黎鹏飞;冯凯;尹印;王书萍;万杨阳;李金航;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜钼蚀刻液及其制备方法。在本发明中，双氧水，双氧水稳定剂，无机酸，螯合剂，蚀刻抑制剂，表面活性剂，有机碱和去离子水构成铜钼叠层的蚀刻液。蚀刻液对金属铜、钼进行蚀刻的过程中，蚀刻液对金属铜、钼的蚀刻速率基本一致，多层金属之间不会出现阶梯状形貌。蚀刻液中噻唑类蚀刻抑制剂可以以物理吸附或化学键的形式结合在金属表面形成一层薄膜，稳定并控制蚀刻液对不同金属的蚀刻速率；聚氧乙烯烷醇酰胺等表面活性剂和醇胺类有机碱的协同作用可以调节蚀刻液的粘度、表面张力等物理性质，协作改变蚀刻液在不同金属层上的浸润效果，从而调节蚀刻液对铜和钼的蚀刻速率一致，消除不同金属层间的蚀刻差异，提高产品良率。
一种蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种磷酸基蚀刻液及其配制方法-CN202211696371.9在审
发明人：杜程;贺兆波;叶瑞;姜飞;张庭;冯凯;王书萍;班昌胜;冯帆 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种磷酸基蚀刻液其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑88%的磷酸、0.005‑2%的添加剂，余量为水。本发明通过使用新型添加剂的成分及类型。明显抑制了蚀刻液蚀刻过程Si2+与晶圆表面结合，抑制SiO2再生层生成，提高磷酸基蚀刻液使用寿命。
一种磷酸蚀刻及其配制方法

[发明专利]一种蚀刻硅片后清洗液-CN202111534816.9有效
发明人：李金航;李鑫;张庭;贺兆波;尹印;冯凯;王书萍;万杨阳;钟昌东;武昊冉 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种专用于蚀刻后的微米级孔穴结构的清洗液。该清洗液主要成分为氢氟酸、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的制备的清洗液表面张力极低，对孔穴结构有很强的钻蚀能力，更利于药液进入孔穴进行溶解清洗，并且孔内结构表面清洗后更加均一。其中添加剂在HF药液体系中具有良好的溶解度和分散性，且更容易在氮化硅和多晶硅表面形成空间位阻，腐蚀速率极低。表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力，其表面张力可维持在25mN/m以内。本发明所述的清洗液可满足芯片结构制造中的＜10um孔径的孔内氧化物残留和多晶硅残渣的快速清洗，并保证结构的稳定性。
一种蚀刻硅片清洗

[发明专利]一种电动射台装置-CN202210865246.X有效
发明人：朱康建;王书萍;孙晓波;朱燕志;李浩娜;袁中华;杜呈表;刘媛 -专利权人：博创智能装备股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B29C45/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动射台装置，包括射胶部件；机座的内壁上设置有绕组定子铁芯，绕组定子铁芯内对应设置有转子铁芯，转子铁芯套设在注射丝杆上；注射丝杆的一端延伸出机座，且注射丝杆通过密封连接件与机座的端口连接；转子铁芯的两端分别设置有转子压板一和转子压板二，转子压板一和转子压板二通过转子铁芯紧固钢套安装在注射丝杆上，本发明直驱注射电机装置是将注射丝杆的丝杆直接当成电机的转子主轴，中间节省连接，降低加工因素对电机工作时的影响，减少故障率，提高转动效率，减少由于电机惯量，提高电机响应速度，针对生产薄壁制品有显著效果。
一种电动装置

[发明专利]一种铝蚀刻液中醋酸的检测方法-CN202111537569.8有效
发明人：李鑫;李金航;贺兆波;尹印;冯凯;钟昌东;倪高国;张庭;万杨阳;王书萍 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N31/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝蚀刻液中醋酸的检测方法。配置醋酸溶液，磷酸、硝酸，作为标准样；将配制的标准样与铝蚀刻液待测液分别加入萃取剂，振揺后静置分层，弃去下层的水相，得到有机相；将有机相加水后，滴加氢氧化钠溶液，电位滴定仪测定pH为12时，停止滴加氢氧化钠，根据等当点时氢氧化钠的消耗量绘制标准曲线，横轴为消耗的氢氧化钠标准溶液的体积与其浓度之积，纵轴为样品中的醋酸的实际浓度，计算待测样中醋酸的浓度。在本发明中，使用固定质量或体积的待测液和萃取剂，只进行一次萃取，分液后量取一定质量的萃取相进行滴定处理，再将结果与事先绘制的滴定校正曲线匹配即可算出醋酸的准确浓度。
一种蚀刻醋酸检测方法

[发明专利]一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液-CN202111525543.1有效
发明人：李金航;李鑫;张庭;贺兆波;尹印;冯凯;王书萍;万杨阳;钟昌东;武昊冉;罗海燕 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液及其制备方法。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、改性表面活性剂、添加剂以及超纯水。本发明的制备的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的高选择性蚀刻，并且对氮化硅薄膜蚀刻具有优异的抑制效果，其中添加剂在HF药液体系中具有极优的溶解度和分散性，避免添加剂在低温下会析出的缺陷，同时能够降低蚀刻液的表面张力，改善晶圆蚀刻后表面的平整度。本发明所述的蚀刻液可用于蚀刻二氧化硅薄膜并保护氮化硅薄膜，通过调整各组分的含量得到的BOE蚀刻液，满足不同制程中的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的蚀刻指标要求。
一种选择性缓冲氧化物蚀刻

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