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[发明专利]一种半导体封装件及其生产方法-CN202311167514.1在审
发明人：王晓;任真伟 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装件及其生产方法。该半导体封装件包括半导体芯片、铜箔和电路基板，半导体芯片和电路基板的至少部分表面上设有镀层；半导体芯片的镀层中含过渡金属，电路基板的镀层中含金属和/或金属氧化物；铜箔通过铜与半导体芯片的镀层中包含的过渡金属形成金属键，进而与半导体芯片键合；铜箔通过铜与电路基板的镀层中包含的金属和/或金属氧化物形成金属键，进而与电路基板键合。本发明中，铜与半导体芯片及电路基板上的镀层中包含的金属和/或金属氧化物形成金属键，进而实现铜箔与半导体芯片及电路基板之间的键合，铜箔与半导体芯片及电路基板之间的结合强度高。
一种半导体封装及其生产方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202311107760.8在审
发明人：任真伟;王晓 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，同一半导体器件上集成有并联设置且共用源极沟槽结构的结型场效应管和金属氧化物场效应管，能对结型场效应管和金属氧化物场效应管进行同步开关控制，利用结型场效应管的沟道关闭能力比金属氧化物场效应管的沟道关闭能力弱的原理，在同步关闭结型场效应管和金属氧化物场效应管时，使得浪涌电流优先通过结型场效应管的导电沟道，解决了金属氧化物场效应管在反向浪涌状态下的电流泄放问题，能避免反向浪涌电流引起的金属氧化物场效应管的雪崩发热现象和雪崩位错现象，改善了抗浪涌能力，提升了可靠性；同时，对应制作方法与沟槽型金属氧化物场效应管的制作工艺兼容，工艺流程简单，成本低。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种肖特基二极管版图结构及其制作方法-CN202311041595.0在审
发明人：任真伟;王晓 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管版图结构及其制作方法，该肖特基二极管版图结构包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，其设置于所述第一导电类型衬底的一侧；多个多边形微沟槽，设置于所述第一导电类型外延层背离所述第一导电类型衬底的一侧，所述多边形微沟槽的侧壁为斜面，相邻两个多边形微沟槽的邻边之间留有平台区，每个所述多边形微沟槽的底面以及所述平台区均设置有第二导电类型金属区；第一金属层，其覆盖所述多边形微沟槽和所述第二导电类型金属区；第二金属层，设置于所述第一导电类型衬底背离所述第一导电类型外延层的一侧。本申请的肖特基二极管芯片尺寸更小，成本更低，制作鲁棒性更高。
一种肖特基二极管版图结构及其制作方法

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制作方法-CN202311041676.0在审
发明人：任真伟;王晓 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制作方法，该晶体管包括：第一导电类型衬底；第一导电类型漂移区设置于第一导电类型衬底的一侧，在第一导电类型漂移区背离第一导电类型衬底的一侧设置有栅沟槽；第二导电类型栅氧保护层设置于栅沟槽底部；第一源电极层设置于第二导电类型栅氧保护层背离所述第一导电类型衬底的一侧；两个肖特基接触区相对设置于所述栅沟槽的侧壁；屏蔽栅设置于两个肖特基接触区之间；氧化层设置于屏蔽栅背离所述第一源电极层的一侧；控制栅被氧化层包裹；源区设置于栅沟槽侧壁的外侧；漏极设置于第一导电类型衬底背离第一导电类型漂移区的一侧。本申请可降低反向恢复电流。
一种屏蔽沟槽晶体管及其制作方法

[发明专利]一种自对准沟槽型碳化硅混合二极管结构及其制备方法-CN202311047818.4在审
发明人：任真伟;王晓 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种自对准沟槽型碳化硅混合二极管结构及其制备方法。本发明公开的半导体结构包括：N+碳化硅衬底；N‑缓冲层，设置于所述N+碳化硅衬底上方；N‑漂移层，设置于所述N‑缓冲层上方；所述N‑漂移层中刻蚀形成有多个沟槽，多个所述沟槽间互不连通且均沿垂直方向设置；氧化层，设置于所述沟槽内侧表面；填充层，设置于所述氧化层内，所述填充层的顶部与所述N‑漂移层的上表面重合以及第一P型阻挡区等，本发明的半导体结构兼具低导通压降以及低漏电流的特性，基于自对准工艺，本发明可在不额外增加掩膜层的基础上，实现多级沟槽型碳化硅混合二极管器件结构，达到优化正向导通特性以及反向漏电流的性能。
一种对准沟槽碳化硅混合二极管结构及其制备方法

[发明专利]一种三相PFC电路的调制方法、系统、设备和介质-CN202311007204.3在审
发明人：田祥均;李杰;蒲强 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本申请提供一种三相PFC电路的调制方法、系统、设备和介质，该方法包括：获取三相PFC电路的直流侧负载以及实时交流输入功率；在所述直流侧负载小于或等于预设负载阈值时，调用对应的调制临界功率；根据所述实时交流输入功率以及所述调制临界功率确定调制系数；根据所述调制系数对所述三相PFC电路的调制信号进行修正，使得交流电过零点附近的调制信号占空比满足预设占空比需求。本申请可有效解决直流侧电压过冲问题，提升直流侧输出电压控制的平稳性。
一种三相 pfc 电路调制方法系统设备介质

[发明专利]集成SBD的碳化硅SGT-MOSFET及其制备方法-CN202310986654.5在审
发明人：王晓;任真伟 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成SBD的碳化硅SGT‑MOSFET及其制备方法，集成SBD的碳化硅SGT‑MOSFET包括：碳化硅衬底、N‑型漂移区、设置于所述N‑型漂移区内的第一沟槽和第二沟槽、第一P+型掺杂区、第二P+型掺杂区、P阱区、N+型掺杂区、第一欧姆接触区、肖特基接触区、屏蔽栅、控制栅以及碳化硅衬底的另一个表面上设置第二欧姆接触区等。本发明通过两个P+型掺杂区有效提升反向击穿电压，降低反向漏电，所述第二沟槽上方沉积有金属层，形成内嵌SBD，内嵌SBD可以优化传统MOSFET的体二极管抗浪涌能力低的问题，而且反向续流能力也可以得到加强。
集成 sbd 碳化硅 sgt mosfet 及其制备方法

[发明专利]一种器件及其封装方法-CN202310979434.X在审
发明人：王晓;任真伟;郑博风 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明属于器件封装技术领域，具体涉及一种器件及其封装方法，本发明提供了一种器件，包括基板和芯片，所述基板和所述芯片之间通过焊层连接，所述焊层包括焊膏和金属添加物，所述金属添加物包括分散于所述焊膏内的金属颗粒或设置于基板上的金属颗粒，所述金属添加物的尺寸为1‑50μm，所述金属添加物的添加量为0.01‑5wt%，所述金属添加物的熔点高于所述焊膏的熔点。在本发明中，通过将熔点高于焊膏的金属添加物分散于焊膏内，使得芯片焊接后得到的器件的平整度提升，进而提高了芯片的可靠性。
一种器件及其封装方法

[发明专利]一种应用于LLC高频变压器的绕组切换方法和装置-CN202310896687.0在审
发明人：蒲强;陈显平 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本申请提供了一种应用于LLC高频变压器的绕组切换方法和装置。本申请通过调节LLC中高频变压器的变比或者串联并联变压器来使得在不同电压等级下保持频率调节范围不变，同时保证谐振腔谐振参数不变，第一谐振点不变，有利于谐振参数设计。此外，本申请的绕组切换方式，改变了变压器绕组的连接方式，提高高频变压器的利用率，能够满足不同电压等级下的满功率输入输出。
一种应用于 llc 高频变压器绕组切换方法装置

[发明专利]一种LLC磁集成高频变压器-CN202310898159.9在审
发明人：陈显平 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01F19/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种LLC磁集成高频变压器，通过调节高压绕组和低压绕组的耦合程度来完成调节漏感的大小，从而实现磁集成。本申请利用高频变压器的漏感充当LLC电路中的谐振电感，从而减少了磁性元器件的数量，降低了成本。同时通过采用多槽骨架稳定绕组和增加漏感，解决磁集成高频变压器的不方便绕制和漏感不一致性问题，最后对于低压绕组采用环形铜带绕组，增加散热，解决绕组的发热问题。
一种 llc 集成高频变压器

[发明专利]一种SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET的混合开关结构-CN202310848095.1在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本申请提供了一种SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET的混合开关结构，该开关结构由两条并联支路构成，第一条电流支路为SiC MOSFET，第二条电流支路为Si IGBT与低压Si MOSFET串联结构。该混合开关结构相较于现有的SiC MOSFET混合Si IGBT开关结构，增加了一个低压Si MOSFET，器件成本基本没有增加，混合开关结构中的电流大部分流经IGBT，可靠性更高，同时也解决了IGBT关断拖尾电流的问题。
一种 sic mosfet si igbt 混合开关结构

[发明专利]沟槽型碳化硅二极管器件结构及其制作方法-CN202310875624.7在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型碳化硅二极管器件结构，自下向上包括：阴极、第一欧姆接触层、N+碳化硅衬底、N‑漂移层、P型阻挡区、沟槽结构、绝缘介质层、导电材料层、P型基区、多个N型注入区、第二欧姆接触层和阳极。多个N型注入区间隔设置在P型基区内，且N型注入区厚度小于P型基区厚度。每个沟槽结构位于两个N型注入区之间，且所述沟槽结构贯穿P型基区并延伸至N‑漂移层，所述绝缘介质层位于沟槽结构的底面和侧壁，所述导电材料层填充在沟槽结构的内部空间。本发明还提供上述沟槽型碳化硅二极管器件结构的制作方法。本发明的沟槽型碳化硅二极管器件结构反向截止时的漏电流小、电流密度高、正向浪涌能力好、比导通电阻小，功率密度高。
沟槽碳化硅二极管器件结构及其制作方法

[发明专利]逆导-结型栅双极型晶体管器件及其制作方法-CN202310828129.0在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导‑结型栅双极型晶体管器件，包括结型栅双极型晶体管和结型场效应晶体管并联，所述逆导‑结型栅双极型晶体管器件的元胞结构包括：下表面设置集电极的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括交替排列的第一P+型掺杂区和N+型掺杂区；位于碳化硅衬底上方的N型缓冲层；位于N型缓冲层上方的N‑型漂移区，且N‑型漂移区顶部的两端和中间设置有栅极沟槽；位于栅极沟槽的底面和侧壁第二P+型掺杂区；位于第二P+型掺杂区上表面的栅极；位于N‑型漂移区的上方N+型发射极区以及位于N+型发射极区上方的发射极。本发明的逆导‑结型栅双极型晶体管器件全电流处理能力好、开关速度高、反向恢复能力好、可靠性与稳定性高、尺寸较小。
逆导结型栅双极型晶体管器件及其制作方法

[发明专利]碳化硅结型栅双极型晶体管器件及其制作方法-CN202310819766.1在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅结型栅双极型晶体管器件，包括：下表面设置有集电极的P+型碳化硅衬底；位于所述P+型碳化硅衬底上方的N型场截止层；位于所述N型场截止层上方的N‑型漂移区，且所述N‑型漂移区的两端设置有栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底面和侧壁的P+型掺杂区；位于所述P+型掺杂区上表面的栅极；位于所述N‑型漂移区的上表面和所述两个栅极沟槽之间的N‑型漂移区的侧面的N+型掺杂区，所述N+型掺杂区与所述P+型掺杂区无接触；以及位于所述N‑型漂移区上方的发射极。本发明还提供上述SiC结型栅双极型晶体管器件的制备方法。本发明的SiC结型栅双极型晶体管器件可靠性高、击穿电压高、开关速度快、元胞尺寸小。
碳化硅结型栅双极型晶体管器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310558950.5有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构包括漏极；N+型衬底层，第一P型基区、第二P型基区以及第三P型基区；第一P+离子注入区、第三P+离子注入区、第四P+离子注入区；第一N+离子注入区，连接所述第一P型基区与所述第二P型基区；所述第一N+离子注入区作为所述半导体结构的部分导电沟道；第二P+离子注入区；第二N+离子注入区，与所述第一N+离子注入区之间设置有所述第三P+离子注入区；第三N+离子注入区；第一栅极区；第二栅极区；源极。本发明具有改善雪崩电流通路、降低体二极管性能退化以及提高器件高可靠性的特性。
一种半导体结构及其制备方法

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