“深圳平创半导体有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果46个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种碳化硅MOSFET元胞版图结构-CN202211587276.5在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种碳化硅MOSFET元胞版图结构。该结构包括SBD和四个八边形碳化硅MOSFET元胞结构，通过改变所述八边形碳化硅MOSFET元胞结构的斜边比例从而调节所述中间方形空洞区域与所述八边形碳化硅MOSFET元胞结构的元胞版图占比，并设置与所述中间方形空洞区域面积相同的所述SBD。本申请中与源极金属相连的P+区域能够屏蔽部分分离栅结构的栅氧化层电场，提高可靠性，八边形交错排列结构形成的中心区域来集成SBD，结构布局简单，工艺简单。
一种碳化硅 mosfet 版图结构

[发明专利]一种深沟槽碳化硅JFET结构的制作方法-CN202211081099.3有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本申请提供了一种深沟槽碳化硅JFET结构及制作方法。该结构在源极引入深沟槽结构，并在沟槽底部和侧壁形成P型离子注入区，同时在栅极引入浅沟槽结构，同时在沟槽底部和侧壁形成P型离子注入区。栅源极之间形成垂直导电沟道，提高器件的载流子迁移率，降低器件比导通电阻，提升器件功率密度，进一步缩小芯片面积。同时，源极深沟槽结构在器件关断时，能够降低栅极所受电场，降低器件漏电流。
一种深沟碳化硅 jfet 结构制作方法

[发明专利]一种微纳米金属焊膏脉冲电烧结方法-CN202211098529.2有效
发明人：陈显平 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供了一种微纳米金属焊膏脉冲电烧结方法。该方法在基板表面先生长一层氮化铜，再生长一层导电金属膜，并印刷焊层，将芯片贴放于焊层上后置于无氧环境中施加辅助压强，将电极置于金属膜层上，输出脉冲电流以完成烧结。该方法兼容现有基板图案，在电烧结后可经过简单热处理直接进行键合工艺，相较于热烧结，该方法可在30s内完成烧结，并且脉冲电流直接作用于焊层加热，对芯片无损伤，能量利用率高。
一种纳米金属脉冲烧结方法

[外观设计]新能源交流充电桩-CN202230719710.5有效
发明人：龚晖;汪澜;陈显平 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆隆鑫新能源科技有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：新能源交流充电桩。2.本外观设计产品的用途：用于给电动汽车交流充电。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
新能源交流充电

[发明专利]一种基于自蔓延薄膜的纳米铜烧结方法-CN202211276146.X在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B23K3/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于自蔓延薄膜的纳米铜烧结方法，通过对镍铝薄膜按照预设间距进行挖孔，然后使用点胶机在所挖的各个孔中注入纳米铜焊膏，以得到单块的纳米铜焊膏和镍铝薄膜的组合体，对自蔓延纳米铜烧结结构先进行预热和保温，然后继续进行二次加热和二次保温，最后冷却至室温，完成烧结。本申请的技术方案能够大幅的加快烧结时间，大幅节约时间成本，大幅节约设备成本。
一种基于蔓延薄膜纳米烧结方法

[发明专利]集成SBD的碳化硅平面MOSFET及其制造方法-CN202211250200.3在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种集成SBD的碳化硅平面MOSFET及其制造方法，其中方法包括：N型衬底，在N型衬底上生长N型外延层；在N型外延层上离子注入JFET区；在N型外延层上离子注入两个Pwell区；在两个Pwell区上分别离子注入P+区；在两个Pwell区上分别离子注入N+区；在两个Pwell区上分别离子注入沟道区；刻蚀栅极结构；在两个栅极结构之间形成肖特基接触区；肖特基接触区与栅极结构之间设有绝缘氧化层；在P+区、部分N+区的上方以及N型衬底的下表面金属溅射欧姆接触区；在栅极结构和位于P+区、部分N+区的上方的欧姆接触区的上方金属淀积第一金属层形成源极、栅极金属接触；在N型衬底下表面的欧姆接触区的下表面淀积第二金属层形成漏极金属接触。
集成 sbd 碳化硅平面 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种耗尽型碳化硅双极器件结构及制作方法-CN202210952812.0有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种耗尽型碳化硅双极器件结构及制作方法，耗尽型碳化硅双极器件结构包括前级部分和后级部分，前级部分为碳化硅JFET结构；后级部分位于本器件结构的下部，在后级部分中，N+型衬底层、N+离子注入区、肖特基金属接触区和集电极金属层形成肖特基二极管结构；N+型衬底层、P+离子注入区、欧姆接触区和集电极金属层形成PN结二极管结构，并且肖特基二极管结构和PN结二极管结构沿集电极金属层的长度方向相间布置。兼具PN结二极管的电导调制效应及肖特基二极管的低导通损耗及快反向恢复能力，能够降低本发明的导通电阻。
一种耗尽碳化硅器件结构制作方法

[外观设计]便携式储能电源-CN202230688357.9有效
发明人：龚晖;汪澜;陈显平 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆隆鑫新能源科技有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：便携式储能电源。2.本外观设计产品的用途：用于户外供电。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
便携式电源

[发明专利]碳化硅JFET器件结构及其制备方法-CN202210849869.8有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，提供一种碳化硅JFET器件结构及其制备方法，包括自下而上依次设置的碳化硅N+衬底、碳化硅N‑第一外延层、P基区、碳化硅N‑第二外延层、P+欧姆接触区和P+栅极注入区、栅电极区、绝缘介质层、发射极欧姆接触层和发射极肖特基接触层，并且在碳化硅N+衬底下方和绝缘介质层、发射极欧姆接触层、发射极肖特基接触层上方设置金属电极。本发明设置双外延结构，在第一外延层嵌入P基区，第二外延层嵌入P+栅极注入区，两者之间形成导电沟道结构，减少栅极氧化层结构，降低器件导通损耗，减少反向漏电流；同时形成肖特基二极管结构，能提升器件反向恢复损耗。
碳化硅 jfet 器件结构及其制备方法

[发明专利]SiC MOSFET中JFET区域的霍尔迁移率的模拟测试方法-CN202211043652.4在审
发明人：陈显平 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种SiC MOSFET中JFET区域的霍尔迁移率的模拟测试方法，包括：对SiC晶圆的其中一个表面进行N型离子注入；对所述SiC晶圆上注入N型离子的表面覆盖SiO2薄膜；在所述SiO2薄膜上光刻霍尔条形，并刻蚀掉所述霍尔条形的区域的所述SiO2薄膜；在所述霍尔条形上沉积Ni并退火，退火后蒸镀上Al作为电极；将蒸镀电极后的所述霍尔条形从所述SiC晶圆上切割，形成霍尔条形芯片；将霍尔条形芯片放入密封腔体中，将所述密封腔体抽真空，然后控制所述密封腔体的内部温度，通过施加多种磁场强度测试所述霍尔条形芯片的霍尔迁移率。根据本发明的方案，本发明的模拟测试方法可以模拟测量JFET区域体迁移率，方便后期器件工艺优化。
sic mosfet jfet 区域霍尔迁移率模拟测试方法

[实用新型]一种直流充电枪枪温隔离检测电路-CN202220207051.1有效
发明人：陈显平;陈凯;李杰;刘国权 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本实用新型属于充电枪温度检测领域，特别涉及一种直流充电枪枪温隔离检测电路。该直流充电枪枪温隔离检测电路包括顺序串联连接的惠斯通电桥、差动放大电路、ADC采样电路、数字隔离电路、MCU，以及为惠斯通电桥和ADC采样电路提供基准电压的电压基准电路。本实用新型对充电枪的两个PT1000电阻温度同时进行检测，提高了检测精度，尤其适合充电桩等对电压隔离有严格要求的温度测试场合。
一种直流充电枪枪温隔离检测电路

[发明专利]一种用于直流或低频开关的功率半导体器件栅极驱动电路-CN202210740282.3在审
发明人：高博;陈显平 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于直流或低频开关的功率半导体器件栅极驱动电路，用以解决工作在直流或低频开关状态下的功率半导体器件的栅极驱动的问题，从而使得功率半导体驱动电路的成本更低且尺寸更小，提升使用直流或低频开关的功率半导体的电力电子设备的功率密度，并且降低了设备成本。
一种用于直流低频开关功率半导体器件栅极驱动电路

[发明专利]沟槽型SiC JFET器件及其制备方法-CN202210525584.9有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种沟槽型SiC JFET器件及其制备方法，其中器件包括：漏极金属层；N+型衬底层，形成在漏极金属上，形成器件的背面漏极欧姆接触；N型缓冲层，形成在N+型衬底层上；N‑型漂移区，形成在N型缓冲层上，并且其远离N型缓冲层的一侧具有两个对称的离子注入区；P型掺杂区，形成在N‑型漂移区的两个离子注入区的侧壁上；P+欧姆接触区，形成在P型掺杂区上；栅极金属层，形成在P+欧姆接触区上；N+欧姆接触区，位于P+欧姆接触区之上，连接P型掺杂区和N‑型漂移区；源极金属层，形成在所述N+欧姆接触区上；所述N‑型漂移区上的两个所述离子注入区之间通过两个离子注入区中形成的P型掺杂区和P+欧姆接触区形成垂直沟道。
沟槽 sic jfet 器件及其制备方法

[发明专利]中心注入P+屏蔽区的分裂栅平面MOSFET及其制造方法-CN202210583804.3有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种中心注入P+屏蔽区的分裂栅平面MOSFET及其制造方法，其中方法包括：N型衬底，在N型衬底的上表面生长N型外延层；在N型外延层上离子注入JFET区；在N型外延层上离子注入P‑body区；在两个P‑body区上分别离子注入第一P+区；在两个P‑body区上分别离子注入N+区；在部分P‑body区、部分N+区和和部分JFET区的上方刻蚀栅氧化层；在栅氧化层上刻蚀多晶硅栅极区；在栅氧化层上刻蚀包围多晶硅栅极区的绝缘层结构；在绝缘层结构上刻蚀中心注入孔，通过中心注入孔在JFET区离子注入位于其中心的第二P+区；金属溅射欧姆接触区；在绝缘层结构和欧姆接触区的上方金属淀积刻蚀第一金属层；在N型衬底下表面的欧姆接触区金属溅射淀积第二金属层。
中心注入屏蔽分裂平面 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种用于减小栅极负压驱动电路功耗的装置-CN202210791607.0在审
发明人：陈显平;高博 -专利权人： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于减小栅极负压驱动电路功耗的栅极驱动器装置。本发明旨在解决传统驱动电路在采用电荷泵电路产生负压时，并且在高开关频率及高被驱动器件栅极电荷的情况下负压损耗非常大的问题。本发明在驱动电路对被驱动器件进行关断时，先将栅极电压从正电压拉至零电压，经过短暂时间后，再将零电压拉至负电压，保证了负压关断能够顺利完成的同时使绝大部分栅极电荷经由地回路泄放而非负压回路，从而减小负压回路的功率消耗。本发明提供的技术方案能够有效地降低栅极驱动器产生的功耗和发热，从而提高系统效率和稳定性。
一种用于减小栅极驱动电路功耗装置