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[发明专利]一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置-CN202310839649.1在审
发明人：王小周;李梅溶;张梦龙;韩理想;李京波;郑筌升 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及气体均匀设备技术领域，具体公开了一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置，包括：均流盒、均流板、均流孔、进气室、均流框、均流进气孔、分流腔一、通孔、分散孔、分流腔二、均流出气孔和出气室；本发明在设备腔体进气端增设主路、旁路设计，并于主路、旁路中加设质量流量计，进一步精确控制主路、旁路气体流量比；在进气管与腔室衔接部分设计了一种均流盒，经过进气室的气流，通过均流框上的均流进气孔，分散至分流腔一的两侧，并经过两组由一个通孔和三个分散孔组成的分流区域，进行均匀分散，随后汇聚到分流腔二中，并经过均流出气孔排出到出气室中，实现对充分均匀效果，进一步均匀化气流，改善反应室气流生长环境。
一种改善工艺气体气流均匀方法装置

[发明专利]一种利用本征钙钛矿优化JBS二极管的工艺方法-CN202310405945.0在审
发明人：李京波;张梦龙;张高天;王小周;周楚 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用本征钙钛矿优化JBS二极管的工艺方法，S1、首先在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N‑外延层；S2、首先通过PECVD在N‑外延层上生长一层SiO2掩模层，然后进行涂胶操作，涂胶以后用掩模板光刻并曝光，在N‑外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀；S3、将器件进行刻蚀，刻蚀出两个沟槽；S4、将器件放入X中用于去除剩余的SiO2，得到沟槽型的N‑外延层。本发明与现有技术相比优点在于：本发明为利用本征钙钛矿和明确金属种类来优化JBS二极管的工艺流程，一为在PN结之间加一层本征钙钛矿的易合成，成本较低的本征钙钛矿层来解决PN结势垒厚度较薄的问题，增加反向耐压，二是通过金半接触的机理和正负极电子的流向来确定金属的种类。
一种利用征钙钛矿优化 jbs 二极管工艺方法

[发明专利]一种碳化硅外延炉载盘气浮装置-CN202310873815.X在审
发明人：王小周;汤赛君;韩理想;张梦龙;李京波;郑筌升;雷剑鹏;李梅溶 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属外延炉载盘气浮装置技术领域，提供了一种碳化硅外延炉载盘气浮装置，包括炉腔，炉腔内部设置有圆形基座，还包括转动安装在圆形基座上表面的圆形载盘，在圆形基座外表面设置有氢气进气口，在圆形基座上表面均匀设置有若干通气孔，若干通气孔对称分布且距离圆形基座中心距离相等，炉腔一侧设置有工艺进气口。本发明通过碳化硅外延生长炉为石墨构件，但是高温下充入的氢气会对石墨产生刻蚀，容易给碳化硅外延生长带来大量缺陷，因此需要将各个部件的外表面涂覆碳化钽涂层，避免高温下氢气对石墨进行刻蚀，影响碳化硅外延生长以及影响炉体及其各部件的使用寿命，同时能够降低石墨粉的析出而导致的腔室颗粒污染问题。
一种碳化硅外延炉载盘气浮装置

[发明专利]一种提高碳化硅外延炉气源均匀性的进气过渡装置-CN202310871184.8在审
发明人：张梦龙;韩理想;郑筌升;王小周;雷剑鹏;李京波 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅外延炉气源进气技术领域，提供了一种提高碳化硅外延炉气源均匀性的进气过渡装置，包括进气槽，进气槽后侧固定连通有混合槽，进气槽内部均匀固定安装有若干第一遮挡板，混合槽内部均匀固定安装有若干第二遮挡板以及若干第三遮挡板；本发明通过在进气槽内部安装有若干第一遮挡板，若干第一遮挡板能够减缓各路工艺气体流速，从而提高混合度，再进入混合槽内，混合槽内部设置有若干第二遮挡板以及第三遮挡板，从而进一步对工艺气体进行混合，第二遮挡板以及第三遮挡板减缓工艺气体进入分流槽速度，提高工艺气体在混合槽中停留的时间，继而提高工艺气体的混合均匀度，从而提高碳化硅外延生长的质量。
一种提高碳化硅外延炉气源均匀过渡装置

[发明专利]用于提升ALGaN/GaN界面处二维电子气的外延结构-CN202310668778.9在审
发明人：李京波;汪禹;钱昊;刘传凯;王小周 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于提升AlGaN/GaN界面处二维电子气的外延结构，包括：衬底；AlGaN层，位于所述衬底的上表面；GaN恢复层，位于所述AlGaN层的上表面；非故意C掺杂GaN高阻层，位于所述GaN恢复层的上表面；n‑GaN沟道层，位于所述非故意C掺杂GaN高阻层的上表面；AlN插入层，位于所述n‑GaN沟道层的上表面；未掺杂的Al0.25Ga0.75N隔离层，位于所述AlN插入层的上表面；Si掺杂的n‑Al0.25Ga0.75N层，位于所述Al0.25Ga0.75N隔离层的上表面；AlN帽层，位于所述n‑Al0.25Ga0.75N层的上表面。本申请的外延结构通过Al0.25Ga0.75N隔离层和n‑Al0.25Ga0.75N层的设置，能够有效的提升二维电子气的迁移率。
用于提升 algan gan 界面二维电子外延结构

[发明专利]一种提升P型4H-SiC同质外延薄膜生长质量的方法-CN202310887341.4在审
发明人：韩理想;刘志远;张梦龙;王小周;李京波 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件技术领域，具体公开了一种提升P型4H‑SiC同质外延薄膜生长质量的方法，包括以下步骤：选用一种偏11‑20方向4°的6寸4H‑SiC衬底，对衬底进行标准清洗后放入托盘中；通入氢气，对反应腔内的碳化硅衬底进行10～15min刻蚀；升温；进行Buffer层生长；进行P‑SiC外延层生长；关闭反应源和掺杂源，降温至室温进行吹扫，获得P型掺杂的碳化硅外延片；本发明中4H‑SiC外延炉的进气管分为主路和副路，对样品生长质量影响较大，本发明通过确定腔体进气处的TMA流量，对主管路和副管路的TMA流量配比进行探究，确定最优配比，大大提升了样品掺杂浓度和厚度均匀性。
一种提升 sic 同质外延薄膜生长质量方法

[发明专利]一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法-CN202310839721.0在审
发明人：张梦龙;雷剑鹏;韩理想;王小周;李京波;郑筌升 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，包括以下步骤：抽真空；升温至1550～1770℃，原位刻蚀；沉积N‑SiC缓冲层，厚度0.3～1.5μm；沉积U‑SiC外延层，厚度10μm～15μm；本发明通过改变氮气旁路和主路的气体流量比例可以在提升掺杂浓度均匀性，且简便易操作，生产成本较低，不会破坏晶体质量，保障制备出浓度均匀，质量较好的碳化硅外延片。
一种改善 sic 外延浓度均匀制备方法

[发明专利]一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置-CN202310859141.8在审
发明人：李梅溶;张梦龙;韩理想;王小周;李京波 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置，涉及碳化硅外延片制备装置技术领域，本发明包括反应炉壳体、石墨托盘以及收集环，石墨托盘安装于反应炉壳体内部下表面，收集环设置于石墨托盘外部，收集环内表面设有若干收集圆孔，收集环外表面设有若干排气孔，石墨托盘外部设有第一挡板、第二挡板、第三挡板以及第四挡板。本发明一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置，收集圆孔等间距安装于收集环内表面，继而收集环可以均匀收集外延时产生的颗粒物，能有效减少碳化硅外延的掉落物缺陷，同时能减少碳化硅外延炉的保养频率，增加石墨元件和外延炉的使用寿命。
一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒反应装置

[发明专利]一种SiC反应炉原位清洗的方法-CN202310839726.3在审
发明人：张梦龙;钱昊;韩理想;王小周;李京波 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明涉及外延反应炉清洗技术领域，具体公开了一种SiC反应炉原位清洗的方法，包括：正常生长时进行颗粒物监测、反应室颗粒物过量清洗程序开始、将对刻蚀气体敏感的传输盘移出反应室、升温并将大流量氢气通入反应室吹扫、降温降氢气流量、颗粒物监测、清洁完成和将对刻蚀气体敏感的传输盘移回反应室；本发明利用两步法，即高温氢气大流量和低温含氯混合气的分段式不同刻蚀速度清理反应室，加上离子束轰击反应室表面，去除附着的污染物并提供表面激活，以促进反应室下一步的再生和生长，利用加装光谱仪作为监测手段，及时发现腔体内SiC微粒水平超标情况，降低损失，并且可以对清理过程进行更精确的控制，不依赖经验值，且可推广性高。
一种 sic 反应炉原位清洗方法

[发明专利]一种提升SiC外延层厚度和载流子浓度均匀性的方法-CN202310859106.6在审
发明人：张梦龙;雷剑鹏;韩理想;王小周;李京波;郑筌升 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及SiC晶圆领域，具体公开了一种提升SiC外延层厚度和载流子浓度均匀性的方法，具体包括以下步骤：S1、将Si源与C源放在反应腔室的Si面4H碳化硅衬底上，进行反应生成4H‑SiC外延层，同时充入N2作为N型掺杂气源；S2、调整工艺气源以及进气端的主旁路气体流量值进行外延生长实验；S3、根据外延层厚度均匀性和载流子浓度均匀性确定合适的Si源与C源生产比值；本发明通过调整晶圆生产中外延生长时的主旁路工艺气体比例，同时改变反应时C/Si比等生长条件参数，实现对4H‑SiC外延层的质量控制，提高厚度和掺杂均匀性，以此制备具有高质量外延层的晶圆。
一种提升 sic 外延厚度载流子浓度均匀方法

[实用新型]一种可移动加热的原子层沉积设备-CN202320917265.2有效
发明人：李京波;张梦龙;王小周;郑筌升 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请公开了一种可移动加热的原子层沉积设备，包括：机架、工艺管以及加热装置；机架上形成有安装座，安装座用于安装工艺管；工艺管内部形成有工艺腔，工艺腔用于放置原子层沉积的晶圆并给原子层沉积提供反应空间，工艺管架设在安装座上；加热装置包括加热箱本体，加热箱本体外套在工艺管上，加热箱本体沿工艺管长度方向滑动安装在机架上，加热箱本体用于对工艺管及工艺腔内的晶圆进行加热。本设备可辅助工艺腔内的温度快速升降，以满足腔内高温退火要求；当需要退火时，移动加热装置至工艺腔放置原子层沉积晶圆的对应位置，可辅助完成工艺腔内热退火工艺，退火结束后，沿工艺管移动加热装置，可实现工艺腔及退火后的快速降温，以节省时间成本。
一种移动加热原子沉积设备

[发明专利]一种提高单片式显影均匀性的方法及装置-CN202310534878.2在审
发明人：邓宇;李京波;张梦龙;王小周 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺领域，具体公开了一种提高单片式显影均匀性的方法及装置；本发明通过设定特殊显影步骤，在进行显影之前，首先预喷显影液1S，并快速转动晶圆，转速在800～1200rpm之间，使晶圆表面整体都沾上一层显影液，此时晶圆各区域由于都沾上显影液均开始进行显影，再开始进行正式喷涂显影液，此方式可有效避免显影液喷涂时流动过慢导致中心和边缘的显影时间偏差，从而导致显影不均匀，通过设置显影液喷嘴、分盘和喷头，显影液喷嘴喷出的显影液会流到分盘内部，然后分盘内部的显影液再从多个喷头端部喷出，使得显影液同时且均匀地喷涂到晶圆表面，保证晶圆各区域显影时间相同。
一种提高单片显影均匀方法装置

[实用新型]一种光催化燃料电池的产电装置-CN202321169725.4有效
发明人：张梦龙;张紫宁;李京波 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01M16/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种光催化燃料电池的产电装置，包括：电池、电容器以及光照装置，电池包括阳极板以及阴极板；光照装置用于给电池提供光照以使阳极板和/或阴极板产生电子；电容器与电池的阳极板连接，电容器用于接收并存储电池产生的电子。实际使用时，阳极板在光照时产生的光电子一部分直接用于制氢，一部分光电子储存在电容器中，在黑暗条件下放电继续制氢。本发明通过在电池上连接可以在光照下储存光电子的电容器，使本发明的电池不受光照时间影响，可以持续不断产出氢能源。使本发明的电池制备出的氢气能源不仅可以直接利用发电，也可以通过不同方式进行运输和存储，可应用于多个领域，提供稳定且持续的电能。
一种光催化燃料电池装置

[发明专利]一种基于SiC衬底的光电探测器及其制备方法-CN202310685626.X在审
发明人：李京波;黎思娜;霍能杰;张洁莲 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于SiC衬底的光电探测器及其制备方法，光电探测器包括SiC衬底、第一材料层、第二材料层、栅电极、源电极以及漏电极；P型第一材料层设置在SiC衬底表面；N型第二材料层设置在SiC衬底表面，且第二材料层与第一材料层接触形成二型能带的异质结；栅电极设置在SiC衬底远离异质结的一侧；源电极设置在SiC衬底远离栅电极的一侧，源电极一端与P型的第一材料层相接触；漏电极设置在SiC衬底远离栅电极的一侧，漏电极与N型的第二材料层相接触。通过栅电极对SiC衬底施加电压，可对SiC衬底内的光生载流子进行偏压、栅压的调控，进而影响二型能带异质结内部电荷的聚集，以得到高性能、高光响应、稳定性优良且栅压可调光电流的的光电探测器。
一种基于 sic 衬底光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种在2°Si偏轴面上生长低缺陷密度的4H-SiC外延层的方法-CN202310871153.2在审
发明人：张梦龙;柯茜;李京波 -专利权人： 浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种在2°Si偏轴面上生长低缺陷密度的4H‑SiC外延层的方法，包括以下步骤：2°碳化硅衬底的原位湿法清洗，2°碳化硅衬底的原位干法刻蚀，对干法刻蚀后的衬底生长碳化硅缓冲层，在缓冲层碳化硅上再生长同质碳化硅外延层，本发明通过在2°碳化硅衬底和外延层之间设计一层缓冲层，并调节出最平衡的外延层及缓冲层生长C/Si和生长温度，可显著降低2°碳化硅外延层三角型缺陷密度及减少层错阶梯现象，从而提高在2°偏轴衬底上生长的外延层的表面质量。
一种 si 面上生长缺陷密度 sic 外延方法

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