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[发明专利]一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置-CN202310913850.X在审
发明人：林政勋;郭轲科 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置，涉及半导体技术领域。通过在磨盘上设置多个第一研磨块和多个第二研磨块，第一研磨块上具有表面凹陷，第二研磨块上具有表面凸起，利用凸起型的研磨块和凹陷型的研磨块的异型错位分布，在旋转过程中，可以有效引导研磨下的颗粒向边缘流动，降低因研磨出来的半导体颗粒未能及时排出，所造成的对晶圆更深层的损伤。研磨之后进行清洗然后进行电感耦合等离子体刻蚀抛光，不需要引入抛光过程中的浆液，能大幅度省下抛光产生的耗材及抛光后清洗处理的成本。
一种半导体材料抛光方法装置

[发明专利]顶升机构和晶圆加工设备-CN202310678768.3在审
发明人：孙文彬;戴立洪 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种顶升机构和晶圆加工设备，涉及半导体技术领域。顶升机构包括伸缩驱动件、安装板、顶针和反应腔体。反应腔体具有用于加工晶圆的反应腔，反应腔的底壁设置有开孔。顶针可移动地设置于开孔。安装板与伸缩驱动件传动连接，且安装板位于顶针的底部。伸缩驱动件用于在处于伸长状态时，带动安装板上升与顶针抵接以推动顶针向上移动从而顶升晶圆托架。伸缩驱动件处还用于在缩短状态时，带动安装板下移以便顶针向下移动。可以避免顶针在伸缩驱动件震动时发生形变，及易于顶针的维护和更换。
机构加工设备

[发明专利]去胶机台及其控制方法-CN202311051639.8在审
发明人：孙文彬;石宇 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文微电子科技股份有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种去胶机台及其控制方法，涉及半导体技术领域。去胶机台包括第一晶圆输入腔室、第二晶圆输入腔室、晶圆工艺调度腔室、第一去胶腔室、第二去胶腔室和冷却腔室；第一晶圆输入腔室用于装入晶圆盒，晶圆盒中包括多片晶圆；第一晶圆输入腔室与第二晶圆输入腔室连通，第二晶圆输入腔室与晶圆工艺调度腔室通过隔板隔离或连通，第二晶圆输入腔室用于将晶圆盒输入晶圆工艺调度腔室；第一去胶腔室、第二去胶腔室、晶圆工艺调度腔室和第二晶圆输入腔室分别通过对应的第一真空调节气路与主气路连接，主气路与各第一真空调节气路的连接处设置有第一电控阀，用于控制主气路与各第一真空调节气路的通断，能够降低制造成本，同时提高机台工作效率。
机台及其控制方法

[发明专利]退火炉及退火设备-CN202310631254.2在审
发明人：戴建波;孙文彬 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种退火炉及退火设备，涉及半导体技术领域。该退火炉及退火设备包括反应室、炉盖、托架、晶圆托盘、升降驱动装置以及托脚；炉盖设置于反应室的顶部；升降驱动装置设置于反应室上，并与托架连接，用于驱使托架升降；托脚设置于托架的顶部；晶圆托盘设置于反应室内，用于承载晶圆，晶圆托盘上开设有通孔，通孔用于供托脚穿过，以便托脚在上升的情况下顶升晶圆或者在下降的情况下放置晶圆至晶圆托盘，具有便于拿取或放置晶圆的效果。
退火炉退火设备

[发明专利]串口指令处理方法、电子设备及计算机可读存储介质-CN202310518853.3在审
发明人：阮正华;孙文彬 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：本申请提供一种串口指令处理方法、电子设备及计算机可读存储介质，涉及软件工程技术领域。该串口指令处理方法包括：首先获取多个下位机对应的命令集合，对命令集合中处理指令集合进行判断，若处理指令集合不为空，则将处理指令集合中的处理指令添加到每个下位机对应的命令数组中；进而根据命令数组的处理指令加入顺序，依次执行命令数组中的处理指令，以实现与每个下位机进行串口通信。很好的解决了上位机与多个下位机进行串口通信时多线程、多任务处理是实现难度大，代码复杂的问题，提升了通信的灵活性，实现高效率、高可靠性、维护简单的串口指令处理。
串口指令处理方法电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种气缸装置及半导体设备-CN202310560884.5在审
发明人：戴建波;孙文彬;朱磊 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F15B15/14 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种气缸装置及半导体设备，涉及半导体设备技术领域。气缸装置包括第一固定件、第二固定件、气缸组件以及调节组件。第一固定件与第二固定件均用于与外部框架连接。气缸组件的一端通过调节组件与第一固定件连接，另一端与第二固定件连接。通过调节组件调节气缸组件与外部框架之间的距离，以使得气缸组件和外部框架之间的距离达到预设距离，从而减少装配及加工误差，提高了气缸装置的精度以及装配效率；此外，还可通过调节组件调整气缸组件的平整度，以提高气缸组件运行的稳定性，从而提高气缸装置的操控性能。
一种气缸装置半导体设备

[发明专利]快速热处理设备-CN202310667042.X在审
发明人：孙文彬;许伏龙 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种快速热处理设备，该快速热处理设备包括腔室、顶针、密封件和高温计，其中，腔室的侧壁设有连通腔室的测温孔，腔室的顶部设有用于加热腔室内温度的加热件；顶针设于腔室内，用于承载晶圆；顶针的直径尺寸小于测温孔的直径尺寸；密封件用于密封测温孔；高温计设于腔室的外部，高温计能透过密封件测量托盘的温度。借助上述设置使得高温计的对位更加简单，提高了组装效率，降低整体成本；另外，由于测温孔的尺寸较大，降低腔室内空气的置换难度。
快速热处理设备

[发明专利]一种应用于半导体器件的聚酰亚胺烘箱固化工艺转化方法-CN202210856152.6有效
发明人：林政勋;万军 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B29C35/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于半导体器件的聚酰亚胺烘箱固化工艺转化方法，涉及半导体器件制备方法的技术领域；包括：提供管式炉的固化工艺、管式炉的固化工艺曲线和烘箱的运行参数；预设所述烘箱的固化工艺；运行所述烘箱的固化工艺，获取所述烘箱的初始固化工艺曲线；分别获取所述管式炉的固化工艺的热预算值和所述烘箱的初始固化工艺的热预算值；调整所述烘箱的初始固化工艺，获得所述烘箱的固化工艺。本申请提高从管式炉固化工艺到烘箱固化工艺的转化效率，降低工艺转化成本。
一种应用于半导体器件聚酰亚胺烘箱固化工艺转化方法

[发明专利]多工序PECVD设备的喷淋组件自动调平方法和装置-CN202310147056.9有效
发明人：孙文彬;戴建波;刘龙龙 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请提供一种多工序PECVD设备的喷淋组件自动调平方法与装置，涉及半导体加工技术领域，多工序PECVD设备包括由多个喷淋头构成的喷淋组件、加热盘、与多个喷淋头一一对应的多个调平组件，各调平组件包括至少三个与对应喷淋头连接的调节件，加热盘包括与喷淋头数量相同的多个晶圆放置区域；所述方法包括：基于预设测量节点对应的水平度信息，确定匹配的喷淋头需要调平的目标晶圆放置区域以及对应的喷淋头调平参数；基于实时工艺进度确定不同工序目标喷淋头匹配的晶圆放置区域是否为目标晶圆放置区域，若是，基于目标喷淋头匹配的晶圆放置区域对应的喷淋头调平参数对目标喷淋头对应的调节件进行调节，能避免晶圆薄膜质量不达标的问题。
工序 pecvd 设备喷淋组件自动平方装置

[发明专利]晶圆快速热处理工艺的工艺温度控制方法和装置-CN202310051377.9有效
发明人：阮正华;孙文彬 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆快速热处理工艺的工艺温度控制方法和装置，所述方法包括：基于当前晶圆的实时工艺进度，获取预设温度采样节点对应的晶圆目标温度和晶圆实际温度，并生成目标温度曲线和实际温度曲线，基于目标温度曲线和实际温度曲线的斜率确定实际温度曲线的目标区段，在目标区段中不包括设备故障区段的情况下，基于目标区段对应的工艺阶段以及目标区段中目标点对应的斜率和温度差值确定控温参数异常区段，并对控温参数异常区段对应的目标控温参数进行调节，基于调节后的控温参数对后续晶圆快速热处理工艺的工艺温度进行自动控制，能够在快速热处理工艺过程中自动进行温度误差校正，提高工艺温度的控制精度，保证晶圆的工艺质量和工艺效率。
快速热处理工艺温度控制方法装置

[发明专利]一种增压加速型半导体薄膜沉积装置-CN202310051374.5有效
发明人：孙文彬;戴建波 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种增压加速型半导体薄膜沉积装置，涉及半导体技术领域。该增压加速型半导体薄膜沉积装置包括沉积腔室、混气腔室、等离子体发生器和至少两个进气管。混气腔室包括依次连接的预混提速室、增压管和混气室，至少两个进气管均与预混提速室连接，混气室与沉积腔室连接，预混提速室用于对至少两种工艺气体进行预混，以形成混合气体，预混提速室还用于对混合气体进行增压提速，并使其通过增压管进入混气室，混气室用于对混合气体进行充分混合，并将其送入沉积腔室，等离子体发生器与沉积腔室连接。本发明提供的增压加速型半导体薄膜沉积装置能够有效提高工艺气体的流速和气压，保证混合充分且均匀，成膜均匀性好，成膜效率高，沉积效果好。
一种增压加速半导体薄膜沉积装置

[发明专利]一种多功能高温反应装置及其在SiC MOSFET制备中的应用-CN202310065447.6有效
发明人：林政勋;郭轲科 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种多功能高温反应装置及其在SiC MOSFET制备中的应用，涉及半导体技术领域。多功能高温反应装置包括依次连通的气源、横向等离子体发生室、卧式高温反应腔室和真空模块，其中，横向等离子体发生室包括腔体、感应线圈和过滤装置，腔体两端分别开设有沿横向布置的进气口和出气口；感应线圈设置于腔体上、且靠近进气口一侧；过滤装置安装在腔体内、靠近出气口一侧，过滤装置包括至少一层开设有过滤孔的金属过滤板，能够过滤等离子体中的离子，提高对于带电离子的过滤效果，从而减少到达SiC晶片表面进行氧化反应的等离子体中的带电离子，制备缺陷少、态密度低的SiC/SiO2界面。
一种多功能高温反应装置及其 sic mosfet 制备中的应用

[发明专利]SiC晶片的光刻胶固化和曝光系统及其工艺控制方法-CN202310214214.8有效
发明人：高阔;孙文彬 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种SiC晶片的光刻胶固化和曝光系统及其工艺控制方法，所述系统包括：通信连接的控制模块和工艺模块；工艺模块包括反应腔和反应腔上方的UV光源；反应腔中包括加热盘，用于放置SiC晶片并对SiC晶片进行加热；UV光源包括自上而下设置的发光单元和控光单元，发光单元包括发光电源、磁控管和汞灯，磁控管用于在发光电源的激发下产生微波点亮汞灯，控光单元包括多个可切换的滤光片，汞灯发射的紫外光经不同滤光片滤光后得到不同波长的紫外光并进入反应腔对SiC晶片进行照射；控制模块用于控制加热盘的加热温度、汞灯的光强及进入反应腔的紫外光波长，以对光刻胶进行固化和曝光，能避免塌胶并提高SiC的刻蚀选择比。
sic 晶片光刻固化曝光系统及其工艺控制方法

[发明专利]一种改善SiC Mos界面特性的方法-CN202310065487.0有效
发明人：林政勋;郭轲科 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种改善SiC Mos界面特性的方法，涉及碳化硅制备领域。该改善SiC Mos界面特性的方法包括碳化硅表面清洗；在碳化硅表面制备阻挡层；利用等离子体对碳化硅表面进行处理，等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补；去除碳化硅表面的阻挡层；对碳化硅表面进行氧化形成SiC/SiO2。在对碳化硅表面的缺陷进行修复处理之前先在碳化硅的表面制备阻挡层，使得等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补，降低了到达碳化硅表面的带电离子的数量，缓解带电离子对碳化硅表面造成损伤的问题。
一种改善 sic mos 界面特性方法

[发明专利]化学气相沉积腔体设备-CN202310065466.9有效
发明人：孙文彬;杜马峰 -专利权人： 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种化学气相沉积腔体设备，涉及半导体技术领域。化学气相沉积腔体设备包括支架、腔体、伸缩动力装置和导向装置。腔体包括下盖体和上盖体，下盖体安装在支架上，上盖体活动设置在下盖体上；伸缩动力装置包括动力装置和与动力装置连接的伸缩电缸，动力装置安装在下盖体的下侧，伸缩电缸安装在支架和上盖体上，动力装置用于驱动伸缩电缸，伸缩电缸用于带动上盖体相对于下盖体升降；导向装置安装在支架和上盖体上，导向装置用于限制上盖体在竖直方向移动。这样，化学气相沉积腔体设备结构紧凑，整体高度低，且占地面积小，而且，上盖板升降平稳，上盖板回落至腔体上时，能够满足的工艺条件。
化学沉积设备

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